石墨表面台阶原子尺度观察

本文采用ＳＴＭ观察到了石墨（０００１）解理面的单原子台阶和台阶处的原子排列。实验表明，台阶附近的二维点陈结构存在因为台阶延伸方向不断变化而造成的晶格变形，台阶上还存在着大量的扭折。这一结果，将有助于我们从原子尺度的角度深入探讨石墨表面催化反应的微观机理．     

纳米硅薄膜表面形貌分形特征的STM研究

利用扫描隧道显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，简称ＳＴＭ）对纳米硅薄膜在纳米尺度上的表面微观形貌进行了研究，结合分形理论，计算出样品表面形貌的分形维数Ｄ，从而得出Ｄ与有关样品微结构参数之间的关系．ＳＴＭ结合图象处理和傅利叶分析法可以很好地研究薄膜材料表面形貌的分形特征．纳米硅薄膜的表面在纳米尺度上的微观形貌呈现出分形特征．     

石墨表面台阶的原子尺度观察

本文采用ＳＴＭ观察到了石墨（０００１）解理面的单原子台阶和台阶处的原子排列。实验表明，台阶附近的二维点阵结构存在着因为台阶延伸方向不断变化而造成的晶格变形，台阶上还存在着大量的扭折。这一结果，将有助于我们从原子尺度的角度深入探讨石墨表面催化反应的微观机理。     

薄膜生长初期的原子过程

薄膜生长初期的原子过程ＺｈｅｎｙｕＺｈａｎｇ和Ｍ．Ｇ．Ｌａｇａｌｙ在Ｓｃｉｅｎｃｅ１９９７年（２７６卷）４月１８日一期的３７７—３８３页上发表综述论文，介绍近年来用ＳＴＭ观察薄膜生长初期获得的许多重要结果。ＳＴＭ的高分辨率使它可以和场离子显微术（ＦＩ...     

真空电弧沉积的TiN薄膜表面分析

对真空电弧沉积的ＴｉＮ薄膜表面化学组份、组织结构、形貌及库度分布进行了测试与分析。结果表明，薄膜中Ｔｉ、Ｎ两种元素原子比接近１：１，其它杂质元素含量极少，薄膜为ＴｉＮ单相结构，（１１１）晶面择优取向；薄膜表面形貌光滑致密，颗粒含量少；薄膜厚度分布较均匀。     

原子层沉积技术发展现状

复杂的非平面结构基板形貌对传统的薄膜沉积技术产生了极大的挑战,不同类型的集成电路器件需要不同的生产技术,同时也对薄膜材料提出了不同的要求。为了突破现有材料的性能限制就要求开发具有更高性能的材料。原子层沉积(ALD)是一种可足以应对这些挑战的独特技术,它所沉积的薄膜具有极佳的均匀性、台阶覆盖率和(对薄膜图形的)保形性。介绍了原子层沉积技术原理、新一代逻辑组件所面临的课题、原子气相沉积技术AVD及原子层沉积设备现状。     

锗硅表面结构和动态过程的STM研究

本文综述了我们利用扫描隧道显微镜和低能电子衍射对锗硅表面结构和动态过程进行了系统化和比较性的研究。研究结果除了具有重要的基础意义外，对半导体异上延生长衬底选择以及量子线和量子点自组织生长模板的选择都有指导意义。     

运用STM法分析WO3（001）表面结构

我们已经用扫描穿透显微镜研究了单斜晶ＷＯ３的（００１）的表面结构。凭借表面的ＷＯ２层的终止可以避免在ＷＯ３（００１）的极性面上的静电不稳定性。支系由半个单层氧离子产生的一个√２Ｘ√２Ｒ４５°的顶部氧排列而成。在一些倾斜区域，由ＷＯ６八面体的倾斜而产生沿「１１０」方向分离的长短交替的顶部Ｏ－Ｏ引出一个额外的周期。这样就产生了一个间隔大约ｃ２ｍｍ的（２Ｘ２）的上层结构。由于氧离子的缺少，在氧化退火表面     

用STM研究HF,O_2和H_2O混合气体对Si(100)表面的作用

用STM观测了Si（100）表面被氧气流携带的HF和H2O处理后的表面原子结构．实验在大气环境和室温条件下进行，所得STM拓扑图具有清晰的原子级的分辨率．结果表明处理后的表面结构随时间发生变化．刚处理后的表面不显示有序的结构特征，但在大气中存放15分钟后，硅片表面开始逐渐呈现出清晰的Si（100）2×1结构，随后再逐渐转变为1×1结构．这可能是混合气体与Si表面作用，能更有效地清除表面残余的沾污物和氧化层，暴露清洁的硅2×1再构表面，进一步由于吸附H，使表面悬挂键被氢原子占据，转变为1×1结构．有序结构可维持3小时，因此用所述混合气体处理硅     

硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征

为满足硫化锌(ZnS)薄膜在光学薄膜领域进一步应用的要求,基于原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)技术在130℃温度下以二乙基锌(DEZ)和硫化氢(H2S)为反应源,在砷化镓(GaAs)衬底表面沉积了ZnS薄膜。用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)分析了样品的表面形貌和膜界面特性,用X射线衍射仪(X-ray Diffraction, XRD)分析了薄膜的结构特性,并通过X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)分析了薄膜的化学成分。研究了厚度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明,得到的ZnS薄膜为多晶结构,薄膜的厚度随循环数线性增加,速率为1.45 ?/cycle。对在75℃温度下烘烤48 h后的薄膜进行了XPS分析,得出的Zn/S比为1.07:1,表明烘烤除去了薄膜中残存的H2S。以较短生长时间得到的较薄的薄膜具有更好的表面平整度和更致密的结构。     

JC模型下原子质心运动对原子动力学行为的影响

本文从理论上讨论了原子质心运动对于原子中电子－光场系统动力学影响的高阶效应。并且利用高阶量子绝热近似方法，该尽地研究了在量子微腔的驻波腔场中原子质心运动对二能级级原子运动动力学演化的影响。     

Mo沉积成膜质量与磁控溅射条件间的STM研究

利用扫描遂道显微镜（ＳＴＭ）和Ｘ射线小角衍射（ＳＡＸＲＤ）了几呼经常使用的直流磁控溅射条件（包括：Ａｒ气压强０．６Ｐａ，８溅射电流１００ｍＡ、２００ｍＡ及Ａｔ气压强０．４Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ三种条件）下所沉积的Ｍｏ单层薄膜的质量及相同射条件下不同溅射时间对成膜质量的影响。实验的结果表明：降低Ａｒ气压强提高溅射电流（即提高氩离子加速电压）都会使形成的薄膜更致密表面更光滑。相同条件下随沉积时间的增     

观察单个原子的运动

在对单原子学具有深远意义的一次研究活动中,物理学家试制成功一种"原子一腔体显微镜",该显徽镜利用来自激光束的单个光子跟踪单个原子的运动.     

利用STM观察Si（100）微斜面的表面结构

本文利用超高真空ＳＴＭ和ＬＥＥＤ装置观察了错切角为０．５°和４．５°的Ｓｉ（１００）微斜面的原子结构．观察到错切角为０．５°时ＳＴＭ像为单原子高度台阶表面结构，错切角为４．５°时ＳＴＭ像为双原子高度台阶结构．     

非晶Ni88P12合金薄膜的AFM和STM研究

本文报导利用ＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）和ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）对化学沉积的非晶及高温晶化后的Ｎｉ８８Ｐ１２合金薄膜表明的形貌进行了研究，观察到非晶合金膜是由纳米大小的微粒聚成微米大小的颗粒构成的，晶化后颗粒长大变为晶粒。     

Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究

在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面．在Si（100）晶片上用离子束溅射淀积Co／Ti双层膜，经退火处理完成三元固相反应，生成TiN／CoSi2／Si膜，然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2薄膜．AES，XRD等分析表明所得CoSi2膜层是Si（100）衬底的外延生长膜．STM测量结果显示CoSi2薄膜表面结构致密平整，主要由交替出现的平台和台阶结构组成．平台的平均宽度为9nm，台阶高度为2个原子层厚度，分析表明这是由于Si衬底的晶面切割偏离（100）面引起的．平台表面呈平行台阶方向的相距约1．1nm的条状结构．     

前驱体通气时间对原子层沉积氧化锌薄膜的影响

建立了反应腔室模型,模拟分析了原子层沉积(ALD)过程中前驱体质量分数随其通气时间的变化趋势.采用ALD法制备了ZnO薄膜,采用原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了表征,研究了不同二乙基锌通气时间下ZnO薄膜的表面形貌和厚度均匀性.模拟结果表明,前驱体通气时间越长,前驱体在整个反应腔室内的分布越...     

厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜

利用原子层沉积方法制备V_2O_5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制,并对纳米晶V_2O_5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显著影响.原子层沉积过程中V_2O_5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙,这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用.