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低能氮离子注入固态甘氨酸剩余产物的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用20keV N^+注入固态甘氨酸(Gly)薄膜。对注入样品的α粒子透射能谱以及样品溶于水后溶液的电导率和氨基含量的测量,揭示了低能离子注入的损伤作用具有饱和性。XPS测量表明低能N^+注入Gly后形成了多种损伤产物,其中C、N元素的结合能变化较大,而O元素所处的化学环境变化很小。 相似文献
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采用480keV P^+离子注入单晶硅,注入剂量为1×10^16cm^-2。采用RBS、TEM技术测试样品,发现样品经600℃退火后,距样品表面约240nm处有一条低密度缺陷带。研究表明,这一现象与P^+的剂量及退火温度有关。 相似文献
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考查了Cr12MoV钢经N^+,Mo^+离子注入前后的硬度,用金相方法和AES分析了Cr12MoV钢金相组织和注入层的成分,研究了离子注入对Cr12MoV钢洛氏硬度和努氏硬度的影响。 相似文献
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沉积在云母片上的纯C60薄膜受20keV的Li+和N+2离子轰击,剂量在0.5×1016/cm2~5.0×1016/cm2之间改变,测量了离子注入后C60薄膜方块电阻随温度的变化,进而推导出C60薄膜电导率随温度和注入离子剂量的变化;分析了非原位测量中氧元素对电导率变化的影响以及能量较高的注入离子对C60薄膜的辐照损伤效应。研究结果表明,Li+注入对C60薄膜电导率的影响明显高于N+2注入的影响,并给出了不同离子注入条件下C60薄膜电导率随温度变化的函数关系式。 相似文献
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高剂量N^+注入碳膜形成氮化碳CNx的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用高剂量的N^+注入碳膜形成氮化碳CNx的可能性,对这种新材料进行了城叶变换红外吸收光谱、X射线光电子能说、X射线衍射和薄膜的维氏显微硬度等测量。结果表明,在100keV高剂量N^+注入碳膜过程中形成了含有碳氮共价键成分的CNx化合物。 相似文献
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用增长率方法首次测量6-30keVB^+、C^+、N^+、O^+与H2碰撞的单了截面,给出的B^+和C^+和6-30keV能区截面随离子能量的趋势与已有的100-2500keV能区截面的变化趋势衔接很好。根据截面随入射离子能量和核电荷数的变化,对碰撞机理作了分析,B^+、N^+、O^+与H2碰撞的单电子剥离截面的变化规律由分子轨道模型得到很好的解释。 相似文献
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低能重离子及其碰撞产生的级联原子在生物材料中的直接作用范围 总被引:10,自引:6,他引:4
用Monte Carlo法模拟计算了30keV和200keV的N^+与110keV的Fe^+在模拟细胞中的射程分布和径迹结构,并将110keVFe^+模拟计算的结果与RSB测量的结果相比较,发现计算与测量的结果吻合较好,离子的作用范围小于1μm。计算和实验的结果都说明能量相当低的重离子不大可能直接作用引起麦胚深层生物效应。 相似文献
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用兰州重离子研究装置(HIRFL)首次进行了47MeV/u的C^6^+离子辐照CaVSn:YIG的实验。通过穆斯堡尔效应和正电子寿命测量对47MeV/u的C^6^+离子在CaVSn:YIG中的辐照效应进行了初步研究。发现辐照导致内磁场方向趋于各向同性分布,由穆斯堡尔谱未观察到非晶化现象。缺陷的数量随C^6^+离子在样品中电子能量损失的增加而增加。 相似文献
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离子束混合形成氮化钛膜的摩擦和光学性能 总被引:2,自引:0,他引:2
用载能氮离子束轰击纯铁镀钛膜样品,成功地形成了金黄色氮化钛薄膜。结果表明:注入剂量为0.5×10^17 N^+/cm^2的混合样品表面颜色与纯金类似;氮离子束混合样品表面显微硬度及耐磨性都远优于纯铁基体,且随离子剂量的增加,混合样品的表面硬度和耐磨性也提高。 相似文献
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室温下在50kV电压的MEVVA离子源中用不同不剂量的银离子注入到单昌6Hα-SiC中,对未注入和注入的SiC样品进行了显微硬度和压坑的扫描电子显微镜观察,并研究了其拉曼谱、卢瑟福背散射谱和X光电子能谱等。 相似文献
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报道了在室温和200kV电压下,以6.7×10^16Ag^+/cm^2剂量注入单晶SiO2的研究结果。Raman谱表明6.7×10^16Ag^+/cm^2注入使单晶SiO2非晶化;XPS结果初步说明注入的Ag以金属态存在;RBS谱表明Ag在SiO2中呈现双峰分布。TEM明场像显示了Ag在注入层中形成两种主要尺寸的球形超微粒。较大的直径为25nm左右,分布相当密集;较小的直径大约为5nm。注入层的光 相似文献
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离子注入α—Al2O3陶瓷材料的表面改性研究 总被引:5,自引:2,他引:3
研究了α-Al2O3单晶注入N^+后的力学性能变化。结果表明,注入剂量为1×10^17N^+/cm^2时,Al2O3的显微硬度提高了92%,注入剂量为3×10^17N^+/cm^2时,在Al2O3表面形成晶层,导致表面软化,显微硬度只是其50%左右。离子注入在样品表面产生了高达-1150MPa的压应力,材料的断裂韧性的改善与此有关,实验亦发现N^+离子注入后Al2O3的断裂韧性提高了95%左右。 相似文献
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用V+C双重离子注入H13钢合成表面优化层的研究 总被引:4,自引:1,他引:3
给出了C,V离子和V+C双重离子注入H13钢合成表面优化层机理的研究结果,包括表面薄碳膜和弥散硬化层的形成。用电镜观察到离子注入时晶粒细化和新相的析出,使晶界强化和位错强化效果增强。俄歇分析表明C,V离子注入浓度将分别达到50%和30%的原子比便,即形成固溶化。X射线衍射分析表明,注入层中出现了弥散的Fe2C,Fe5C2,FeV和V2C相。注入样品退火,这些相的衍射峰增强,说明这些相在生长。由于这 相似文献
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高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用112MeV Ar离子以50K的低温辐照了〈111〉取向的单晶Si后在室温下采用X射线光电子谱(XRS)、电子顺磁共振(EPR)和红外光吸收(IR)技术对样品进行了分析。XPS分析结果表明,表面处Si以单元素和SiO2两种形式共存,辐照对这两种形式Si的2p轨道电子的结合能影响较小。EPR测量结果显示,Si中的损伤产生明显地依赖于辐照剂量,当剂量为1.0×10^14-1.8×10^14cm^-2 相似文献
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秀卢瑟福背散射-沟道技术(RBS-C)和X射线衍射技术(XRD)研究了Pt和注入YSZ(Y2O3稳定的ZrO2)后产生的损伤和退火过程中损伤的恢复及注入Pt的晶化,RBS-C分析表明YSZ室温下的存在较强自退火效应,XRD分析结果示出硫以铂的晶化产生很大影响。 相似文献
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用慢正电子探针分别检测了P^注入和P2^+注入Si(100)的两组样品,与基底样品相比较,注入样品中的缺陷导致了正电子湮没参数的显著变化。由湮没线形参数的变化拟合了两组样品注入损伤的深度分布,陷对正电子的捕获系数,讨论了P^+和P2^+注入损伤缺陷的差别和它们在退火过程中的不同行为。 相似文献