掺杂Y2O3的铁锡复合氧化物的穆斯堡尔谱学研究

采用化学共沉淀法合成α－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２和α－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｙ２Ｏ３的铁锡复合氧化物,应用Ｘ射线衍射和穆斯堡尔谱学等手段研究材料的微结构和微粒生长情况,实验结果表明,掺杂Ｙ２Ｏ３对晶粒生长有明显抑制作用,不同温度热处理可制得不同尺寸大小的纳米晶α－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｙ２Ｏ３材料。     

不同工艺生成的Si—SiO2经电离辐照的电子自旋共振研究

采用电子自旋共振（ＥＳＲ）分析技术，较系统地研究了Ｓｉ－ＳｉＯ２体系中点缺陷Ｐｂ和Ｅ＇随氧化工艺、＾６０Ｃｏγ射线辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。实验结果表明：两类Ｓｉ／ＳｉＯ２样品在γ辐照前后均能观察到Ｐｂ缺陷，且γ辐照在Ｓｉ－ＳｉＯ２中产生更多的Ｐｂ缺陷；第一类样品在正电场下辐照将产生Ｅ＇缺陷，在自由场下辐照剂量达５×１０＾４Ｇｙ（Ｓｉ）时才能观察到Ｅ＇缺陷；在辐照后的第二类样品中无Ｅ＇信号     

低折射率SiO2光学增透薄膜的结构控制

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为有机硅源,采用溶胶－凝胶技术,通过调节溶胶的ｐＨ和掺入有机添加剂,对ＳｉＯ２溶胶生长过程进行了结构裁剪,控制ＳｉＯ２纳米颗粒尺度,制备出低折射率（１．１５～１．１８）ＳｉＯ２光学增透薄膜,分别采用椭偏仪,分光光度计,扫描和透射榻镜等对所制备薄膜的结构,物性进行研究,研究结果表明,改变ＳｉＯ２溶胶ｐＨ可有效抑制颗粒生长,且保持原有微结构;掺入有机偶联添加剂能使颗粒迅速增大。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

热释光材料LiF：Mg,Ti,LiF：Mg,Cu,P和MgSO4的正电子湮没特性

测量了经＾６０Ｃｏγ辐照的热释光材料ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｔｉ，ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｃｕ，Ｐ和ＭｇＳＯ４的正电子湮没寿命谱，所有寿命谱都分成三个成分，两种不同掺杂的ＬｉＦ样品，其τ２成分寿命参数十分接近，表明正离子空位对寿命谱影响较小，并且观察到，在剂量范围为０．０５－１ｋＧｙ内，τ２成分寿命参数随剂量按相反趋势发生较小的变化，等时退火实验表明，ＭｇＳＯ４样品的τ２和τ３成分与硫酸基有关，其大小可参取决于Ｍｇ＾     

二步法制备超低密度SiO2气凝胶

以正硅酸乙酯为原料，利用二步法制备低密度ＳｉＯ２凝胶。研究不同溶液酸比对凝胶化过程的影响。分析Ｃ２Ｈ５ＯＨ、（ＣＨ３）２ＣＯ和ＣＨ３ＣＮ为稀释溶剂形成凝胶的特点，结合ＣＯ２超临界干燥处理，制备出密度小于１０ｋｇ／ｍ＾３的超低密度ＳｉＯ２气凝胶，并与传统一步法制备的ＳｉＯ２气凝胶进行了结构比较。     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_（y－x）F_x超导体的正电子寿命研究

室温下测量了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ－ｘＦｘ超导体的正电子寿命和掺Ｆ量的关系．结合临界温度Ｔｃ的测量．研究了Ｆ在样品中替换Ｏ的位置．以及由此引起的样品电子结构的变化．研究表明．当ｘ＝０．４时．Ｆ主要替换Ｓｒ－Ｏ面的Ｏ．并使Ｓｒ－Ｏ面的电子向Ｃｕ－Ｏ面和Ｂｉ－Ｏ层迁移。     

氧化物光学碱度与正电子寿命关系的研究

对快速激冷（冷速＞１８０Ｋ·ｓ－１）９９Ｎ８２Ｏ－Ｂ２Ｏ３熔盐、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｖ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＴｉＯ２熔盐的正电子湮没寿命谱作了测定。结果表明：非过渡金同氧化物的光学碱度Ａ与相应的正电子寿命谱第一组分τ１有很好的线性关系Ａ＝０．１７３τ－１＋０．０６０．据此求得过渡金属氧化物ＺｎＯ、ＴｉＯ２和Ｖ２Ｏ５的Ａ实验值分别为１．００、０．６３和０７５。     

Al2O3/ZrO2纳米复合陶瓷的微结构及缺陷的正电子寿命研究

纳米Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷具有优良的力学性能,良好的高温稳定性和化学稳定性,并具有良好的抗辐照效应,是目前极具潜力的一种纳米陶瓷材料。采用正电子寿命谱分析同时配合着X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)和透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)对纳米Al_2O_3、ZrO_2和Al_2O_3/ZrO_2复合陶瓷在不同退火温度下(室温-1 000℃)的微结构及缺陷进行了研究。XRD研究表明:Al_2O_3、ZrO_2和Al_2O_3/ZrO_2纳米复合陶瓷三种样品退火温度低于500℃时,晶粒尺寸保持不变;随着退火温度的增加,Al_2O_3晶粒尺寸变化不大,ZrO_2和Al_2O_3/ZrO_2有所增加,但由于Al_2O_3的抑制,Al_2O_3/ZrO_2的晶粒生长更缓慢。正电子寿命分析表明:样品内主要缺陷是空位、空位团和微孔洞,缺陷主要集中在晶界处。对比ZrO_2纳米陶瓷内缺陷,Al_2O_3和Al_2O_3/ZrO_2纳米复合陶瓷内空位团或微孔洞缺陷尺寸更大,而相对数量更少。退火温度低于500℃时,三种样品内平均缺陷密度基本不变,高于500℃时由于晶粒生长,缺陷开始恢复,ZrO_2变化更明显,而Al_2O_3/ZrO_2由于相互抑制对方的晶粒生长,稳定性更高,这与XRD结果一致。纳米Al_2O_3的TEM图显示出晶粒大小基本不随退火温度变化发生改变,而纳米Al_2O_3/ZrO_2只有在退火温度高于500℃时,晶粒开始慢慢长大,并且发生了团聚,非常直观地证实了XRD和正电子的实验结果。     

电子束在MOS结构中的能量沉积与辐照效应

根据电子输运“双群理论”计算出电子在Ｓｉ－ＳｉＯ２材料中的能量沉积。用与硅等２效的外推电离室测定了１．０ＭｅＶ和１．５ＭｅＶ的电子束在ＭＯＳ电容芯片中的吸收剂量。用Ｘ光电子谱、俄歇谱、深能级瞬态谱和Ｃ－Ｖ方法测量分析了ＭＯＳ电容Ｓｉ－ＳｉＯ２材料化学结构，界面态密度和Ｃ－Ｖ曲线在辐射前后的变化，根据理论和实验结果，从辐射剂量学的角度分析讨论了电子能量沉积，电离缺陷和辐射效应间的关系，并提出一个关于     

氧化锡气体传感器的电子束辐照效应

There are many traditional ways to improve sensitivity and selectivity of semiconductor gas sensors, such as metal ions adulteration and surface modification. In this paper 1.75 MeV electron beam was used to modify surface structure of tin dioxide gas sensors, and the gas sensing characteristics were studied. Results showed that the sensitivity and selectivity of SnO2 sensors were improved after the electron beam irradiation.     

氧化锡纳米晶气凝胶制备及其表征

介绍一种低体密度、高表面积、具有纳米量级骨架和晶粒尺寸的块状多孔氧化锡(SnO2)气凝胶的制备方法。场发射扫描电子显微镜（FESEM）表明,气凝胶是由大量纳米粒子堆积而成的三维多孔材料。高分辨透射电子显微镜（HRTEM）表明,气凝胶的骨架粒子由平均粒径为2～3nm的纳米微晶构成。N2吸附表明,气凝胶具有较高的比表面积,约为355.65m2/g,通过该方法计算出的气凝胶的骨架颗粒粒径为2.4nm,与HRTEM结果吻合较好。     

抗辐射加固与非加固工艺制备Si/SiO_2电离辐照的XPS深度剖析

采用氩离子刻蚀XPS分析方法对抗辐射加固与非加固工艺制备的Si/SiO_2系统进行电离辐照深度剖析。实验结果表明:在辐照剂量及偏置电场相同条件下辐照,非加固样品的界面区比加固样品界面区宽;同一工艺生长的SiO_2,衬底杂质浓度低的样品其界面区窄于衬底杂质浓度高的样品;辐照样品的Si过渡态密度最高位滞后于未辐照样品的;同时,加固样品Si过渡态及剩余氧的密度最高位出现慢于非加固样品的;衬底杂质浓度高的样品其Si过渡态及剩余氧的密度最高位的出现快于衬底杂质浓度低的样品的;此外含剩余氧的过渡层要比含Si过渡态的过渡层薄。最后根据实验结果,对Si/SiO_2三层模型进行了修正。     

Sheet Resistance and Gas-Sensing Properties of Tin Oxide ThinFilms by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition＊

Tin oxide (SnO2) thin films are prepared at different temperatures by plasmaenhanced chemical vapor deposition (PECVD). The structural characterizations of the films are investigated by various analysis techniques. X-ray diffraction patterns (XRD) show that the phase of SnO2 films are different at different deposition temperatures. The sheet resistance of the films decreases with increase of deposition temperature. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) shows that the SnO2 thin film is non-stoichiometric. The sheet resistance increases with increase in oxygen flow. Sb-doped SnO2 thin films are more sensitive to alcohol than carbon monoxide, and its maximum sensitivity is about 220％.     

氨处理抑制SiO2/ZrO2薄膜膜间渗透

以正硅酸乙酯和丙醇锆为原料,用溶胶-凝胶法在K9基片上提拉镀制SiO2/ZrO2双层膜,样品1镀完SiO2后直接镀ZrO2,样品2镀完SiO2经氨处理后再镀ZrO2。研究表明,ψ和Δ两个椭偏参数的模拟值曲线与椭偏仪的测量值曲线十分吻合,进而发现氨处理可有效抑制SiO2/ZrO2双层膜之间的渗透,氨处理后渗透层减少近45nm。利用激光束对两种样品进行了损伤阈值的测试,用光学显微镜观察损伤形貌,结果发现两者损伤阈值分别为14.8和15.03J/cm2,损伤形貌均为熔融型。     

Time-Resolved Optical Emission Spectroscopy Diagnosis of CO2 Laser-Produced SnO2 Plasma

The spectral emission and plasma parameters of SnO_2 plasmas have been investigated.A planar ceramic SnO_2 target was irradiated by a CO2 laser with a full width at half maximum of 80 ns.The temporal behavior of the specific emission lines from the SnO_2 plasma was characterized.The intensities of Sn I and Sn II lines first increased,and then decreased with the delay time.The results also showed a faster decay of Sn I atoms than that of Sn II ionic species.The temporal evolutions of the SnO_2 plasma parameters(electron temperature and density) were deduced.The measured temperature and density of SnO_2 plasma are 4.38 eV to0.5 eV and 11.38×10~(17) cm~(-3) to 1.1×10~(17) cm~(-3),for delay times between 0.1 μs and 2.2 μs.We also investigated the effect of the laser pulse energy on SnO_2 plasma.     

电离辐射下双界面Si3N4/SiO2/Si的等离激元

用X光激发电子能谱(XPS)分析技术对Si3N4/SiO2/Si双界面系统经60Co电离辐照前后处于纯Si态的一级等离激元(定位于B.E. 116.95 eV)、处于SiO2态的一级等离激元(定位于B.E. 122.0 eV)和处于Si3N4态的一级等离激元(定位于B.E. 127.0 eV)进行了研究.实验结果显示:存在一个由Si3N4态等离激元和SiO2态等离激元构成的界面及由SiO2态等离激元和Si态等离激元构成的界面,在电离辐射的作用下,SiO2态-Si3N4态等离激元界面区中心向Si3N4态表面方向推移,同时SiO2态/Si3N4态等离激元界面区亦被展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2态-Si态界面至Si衬底之间SiO2态的一级等离激元的浓度:同时偏置电场对SiO2/Si界面等离激元有显著作用.文中就实验现象以光电子能损进行了机制分析.     

贮氢金属多层膜制备技术及吸氢性能研究

研究了用电子束蒸发方法在Mo底衬上制备Ti-Ni复合膜和在SiO2底衬上制备Mo-Ti-Ni复合膜的方法,用离子束分析方法测量了各膜层的厚度,并对样品的吸氢性能进行了分析。研究发现,Ti膜表面镀Ni后,其吸氢温度降低,吸氢总量增加,表明其吸氢活性增强;Mo-Ti-Ni复合膜在Ti氢化后与SiO2底衬结合良好,并具有较高的强度,但这种膜对底衬的清洁度要求更高;50nm的Ti膜难以吸氢,原因可能是膜制备过程中温度过高,导致Mo-Ti-Ni之间扩散加深,形成相对过厚的过渡层,这还需进一步研究。     

Radiation-induced plasmons in Si-SiO2

The first level plasmons of Si in the pure Si state (corresponding to bonding energy (BE) of 116.95 eV) and in the SiO2 state (corresponding to BE of 122.0 eV) of Si-SiO2 prepared by irradiation hard and soft processing were studied with XPS before and after 60Co radiation.The experimental results indicate thatthere was an interface consisting of the two plasmons,this interface was extended by 60Co radiation, the fractions of the plasmon for Si in the Si-SiO2 werechanged with the variation of radiation dosage,the difference of the change in fraction of plasmonsfor the two kinds of samples was that the soft variedfaster than hard, the change of concentrations inplasmons for both hard and soft Si-SiO2 irradiatedin positive bias field were greater than that in bias-free field.The experimental results are explained from the view point of energy absorbed in form of quantization.     

Pb离子辐照注碳a-SiO2薄膜的光致发光性能

用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,进行120 keV C离子注入和950 MeV Pb离子辐照,用荧光光谱分析样品发光特性的改变.结果发现,C离子注入和高能Pb离子辐照均能显著影响样品的发光特性,且荧光光谱的改变强烈依赖于注入和辐照剂量,预示不同注入和辐照剂量将导致不同的发光结构形成.对注入和辐照造成薄膜...