场控晶闸管的测试研究

场控晶闸管较之普通晶闸管、门极可关断晶闸管具有正向导通压降低、开关速度高以及正向电压阻断增益高的优点,因此受到很大的关注。本文对场控晶闸管测试时由于测试电阻而造成门极“减偏压”效应进行了较为详细的分析。     

水平沟道场控晶闸管正向特性研究

水平沟道场控晶闸管是由结型场效应晶体管和双极型晶体管复合构成的一种晶闸管。它具有输入阻抗高、电压控制和用低压控制大功率输出的特点。文中对已研制成的一种水平沟道场控晶闸管正向特性进行了较为详细的分析。     

高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管

水平沟道场控晶闸管(简称LFCT)是由垂直沟道场控晶闸管发展而来的,它具有开关速度快、与集成电路工艺兼容等特点。我们采用刻蚀V型槽来代替栅扩散,已制成最大正向阻断电压为200V,可关断电流为2A的LFCT,其正向电压阻断增益达40～200。     

一种新型的晶闸管结构—MOS栅控横向晶闸管

本文提出了一种新型的晶闸管器件结构,它是由MOS型和双极型复合构成的MOS栅控横向晶闸管,其输入阻抗高,电压控制,用低压就能控制大功率输出.     

槽栅MOS控制的晶闸管

报道了一种新结构的功率栅控晶闸管,称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT）.在该器件结构中,采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭.结构中不存在任何的寄生器件,因此,消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题,所以TMCT会有优良的电特性.实验结果表明,多元胞TMCT（600V,有源区面积0.2mm2）的开态压降在300A/cm2时为1.25V,最大可控电流在栅压为-20V和电感负载下达到了296A/cm2.     

电子元器件实用知识讲座(9)

<正> 第九讲 晶体闸流管 晶体闸流管简称晶闸管,亦叫可控硅(SCR)器件或半导体闸流管。晶闸管是一种“以小控大”的功率(电流)型器件,它的门极象闸门一样,能够控制大电流的流通,闸流管由此得名。晶闸管具有体积小、重量轻、功耗低、效率高、寿命长及使用方便等优点,因而应用领域十分广泛,在普通家用电器、电子测量仪器和工业自动化设备中都能见到它们。现在许多初级电子制作实验电路中也采用了晶闸管,如交流无触点开关、调光、调速、调压、控温、控湿及稳压等电路,所以初学者接触晶闸管的机会不少,本文对这类器件作重点讲解。     

槽栅MOS控制的晶闸管

报道了一种新结构的功率栅控晶闸管 ,称其为槽栅 MOS控制的晶闸管 (TMCT) .在该器件结构中 ,采用 U-MOS控制晶闸管的开启和关闭 .结构中不存在任何的寄生器件 ,因此 ,消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题 ,所以 TMCT会有优良的电特性 .实验结果表明 ,多元胞 TMCT (6 0 0 V,有源区面积0 .2 m m2 )的开态压降在 30 0 A / cm2 时为 1.2 5 V,最大可控电流在栅压为 - 2 0 V和电感负载下达到了 2 96 A/ cm2 .     

SiC光触发晶闸管的发展与挑战

SiC光触发晶闸管不仅具备传统SiC晶闸管超高耐压、超大通流能力的特点,还在简化驱动电路、提高系统抗电磁干扰能力方面具备独有优势.概述了 SiC光触发晶闸管的发展历程,介绍了 SiC LTT紫外发光二极管(UV LED)触发、SiC LTT放大门极以及全光控SiC LTT等重要技术,讨论了 SiC LTT仍面临的低触发...     

赛米控高薪广纳贤才

赛米控公司成立于1951年,总部位于德国,是一家在全球有2500名员工的家族式企业。赛米控遍布全球的35家子公司网络能够为客户提供快速高效的现场服务。赛米控拥有两万一千多种不同的功率半导体器件,产品涵盖了芯片、分离二极管／晶闸管、功率模块（IGBT／MOSFET／二极管／晶闸管）、驱动电路、保护元件以及集成子系统。“SEMIKRON inside”已经是电气传动、电源、可再生能源、电动汽车、有轨电车、焊机、电梯、电源、     

一种新型交流稳压电源的设计

介绍了一种新型交流稳压电源的设计,根据晶闸管的相位控制式(thyristor phase controlled)交流稳压电源的输入电压—输出电压关系,以及将单片机技术和双向晶闸管技术应用到交流稳压电源的设计中,来提高交流稳压电源的稳压性能和智能控制特性。     

高压光开关器件的设计

详细叙述了一种高压光电晶闸管的结构及参数设计 ,用最优化方法确定出长基区宽度 ,选取了最佳的工艺途径及材料参数。简单介绍了实验研究及结果 ,并进行了简要的讨论。     

大容量门极可关断晶闸管的研究

本文分析了GTO的关断原理,研究了GTO的参数设计和制作工艺。测试了GTO的掺杂分布和工作特性。采用国产材料和设备试制成500A逆阻型大容量GTO。其工艺可用于GTO的批量化生产。     

A Novel Depletion-Mode MOS Gated Emitter Shorted Thyristor

More attention has been given to the MOS-gated thyristor and several device struc-tures of MOS-gated thyristor have been reported,such as MOS-controlled thyristor(MCT) [1 ] ,depletion-mode thyristor (DMT) [2 ] ,field assisted turn-off...     

新型发射极开关类晶闸管

本文提出了两种新型发射极开关晶闸管：辅助关断发射极开关晶闸管ＡＯＥＳＴ和双注入发射极开关晶闸管ＤＩＥＳＴ。研究了发射极开关类晶闸管ＥＳＴ、ＡＯＥＳＴ、ＤＩＥＳＴ正向工作特性及关态工作特性，比较了它们各自的优缺点，同时为该类功率器件发展提出了设想。     

A Novel Depletion-Mode MOS Gated Emitter Shorted Thyristor

A Novel MOS-gated thyristor, depletion-mode MOS gated emitter shorted thyristor (DMST),and its two structures are proposed. In DMST,the channel of depletion-mode MOS makes the thyristor emitter-based junction inherently short. The operation of the device is controlled by the interruption and recovery of the depletion-mode MOS P channel. The perfect properties have been demonstrated by 2-D numerical simulations and the tests on the fabricated chips.     

一种新的GCT门-阴极图形的设计方法

在分析门极可关断晶闸管(GTO)和门极换流晶闸管(GCT)门-阴极结构的基础上,依据GCT关断时的换流机理,提出了一种新的GCT门-阴极图形的设计方法.与现有的GCT门-阴极图形相比,用该方法设计的门-阴极图形,在保证开关过程中电流均匀分布的前提下,可增加GCT的有效阴极面积,减小热阻,并提高电流容量.     

一种新的GCT门-阴极图形的设计方法

在分析门极可关断晶闸管(GTO)和门极换流晶闸管(GCT)门-阴极结构的基础上,依据GCT关断时的换流机理,提出了一种新的GCT门-阴极图形的设计方法.与现有的GCT门-阴极图形相比,用该方法设计的门-阴极图形,在保证开关过程中电流均匀分布的前提下,可增加GCT的有效阴极面积,减小热阻,并提高电流容量.     

晶闸管并联静动态均流原理的教学

晶闸管的并联均流是"电力电子技术"课程的一个内容,大多数教科书对该部分的介绍都以定性分析为主,使学生难以建立完整的概念.本文根据目前电力电子技术的发展,从影响晶闸管并联均流的因素,如通态压降、开关时间、器件温度和母线配置等,到实现均流的技术和方法,系统阐述了晶闸管并联的静动态均流特性,从而弥补了现有教科书中的不足.     

发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计与制造

介绍了发射激光脉冲用的高速ｐｎｐｎ闸流管的设计,制造方法及参数测试结果。该器件可用于激光通信,引信,测距,小型雷达,模拟射击,游戏枪,车辆防碰撞等方面,也可用于各种脉冲电源及脉冲开关。     

A novel method for measuring carrier lifetime and capture cross-section by using the negative resistance Ⅰ-Ⅴ characteristics of a barrier-type thyristor

A brand new and feasible method for measuring the carder lifetime and capture cross-section of a barrier by using the negative resistance segment of the Ⅰ-Ⅴ characteristics of a barrier-type thyristor (BTH) is put forward.The measuring principle and calculation method are given.The BTH samples are experimentally measured and the results are analyzed in detail.