ST-401薄膜探测器γ灵敏度实验研究

伽玛灵敏度实验研究是ST-401闪烁薄膜探测器性能研究的一个重要组成部分.本文介绍了闪烁薄膜探测器的基本原理及其结构设计,并且在西北核技术研究所的钴-60标准辐射源上,对一系列薄膜厚度的闪烁薄膜探测器进行了伽玛实验标定,对实验数据的不确定度进行了分析.给出了伽玛射线灵敏度随闪烁薄膜的厚度以及随光电倍增管电压的变化曲线.     

ST401闪烁探测器γ能量响应的实验研究

对脉冲γ射线束测量中常用的一种由塑料闪烁体ST401组成的电流型闪烁探测器的γ能量响应进行了实验研究。利用反应堆、加速器等多种手段产生一系列准单能的γ射线,实验标定了包括¹³⁷Cs、⁶⁰Co在内的13个能量点,得到了ST401闪烁体相对灵敏度随入射γ射线能量的变化曲线。实验值与理论计算结果进行了比较,二者在不确定度范围内基本一致。     

裂变伽马射线探测器的时间响应特性研究

根据国内首次研制出的载铀材料裂变伽马射线探测器的工作原理及其输入-输出等效电路,利用M.C建模计算的方法研究获得了探测器的灵敏体在δ辐射脉冲作用下产生并输出的脉冲电流波形g0(t),同时通过实验方法研究获得了其灵敏单元在脉冲射线作用下产生的电信号在输出电路中的时间过程gRLC(t),并最终得到了探测器的时间响应特性:响应波形前沿时间为0.72 ns,后沿时间为3.9ns,半宽为2.08 ns,探测器响应时间很快;最后通过数值计算的方法考察了探测器时间响应对不同宽度源波形的影响。结果表明:源波形时间越慢,探测器对其测量的影响就越小,其中探测器的时间响应对于半宽为100 ns的高斯型源波形的峰值、半宽、前沿以及后沿时间的影响基本上都小于0.2%,所以探测器时间响应特性完全满足这样宽度下的脉冲中子源的测量要求,对测量结果不需要进行逆卷积处理。     

平面型HPGe探测器影响γ谱峰峰位的各种效应研究

用＾１９２Ｉｒ,＾８５Ｓｒ和＾１３７Ｃｓ等放射源ｅＶ水平上研究平面型ＨＰＧｅ探测器影响γ谱峰峰位的各种效应,包括收集电场效应,放射源位置效应,射线加合和堆积效应等,讨论了这些效应的修正问题。利用单γ峰和加合峰峰位差异推测了探测器本身的非线性偏离曲线。     

平面型CZT探测器对中低能γ射线的响应

在X、γ射线的探测和应用领域，为得到一种可在室温下工作、对X和γ射线探测效率高、能量分辨好、可作为成像应用时图像清晰的探测器，人们对许多材料进行了研究比较。CdZnTe探测器与Si、Ge半导体探测器相比，优点：1）禁带宽带宽，可在室温下工作；2）原子序数高，密度高，对X，γ射线有较高的阻止（吸收衰减）本领，探测效率高；3）电阻率高、漏电流小、噪声低。     

金硅面垒型γ照射量率探测器

本文介绍了金硅面垒γ照射量率探测器及其抗恶劣环境性能,讨论了它对γ射线的能量响应,给出了用铅-铜过滤器改善其能量响应的实验结果。     

YAP:Ce闪烁探测器的γ射线灵敏度研究

使用进口的新型YAP：Ce无机晶体和近年国内研制的CeF3,PbWO4配大线性电流光电倍增管组成闪烁探测器系统,用^60Co和^137Csγ源实验测量探测系统的γ射线灵敏度;并用MCNP／4B程序进行建模计算;最后对理论计算和实测数据进行了比较,分析研究。得出结论：新型YAP：Ce无机晶体对γ射线的灵敏度相对较高,对^60Co源和^137Cs源γ射线而言,是同体积的CeF2晶体的10倍多,利于γ射线测量。     

4H-SiC电流型探测器对~(60)Co源γ射线的响应研究

为研究4H-SiC电流型探测器对γ射线的探测性能,采用4H-SiC制成肖特基二极管,并利用60Co源形成的强γ辐射场研究其对γ射线的响应特性及其影响因素。实验结果表明,当外加反向电压为195 V时,4H-SiC探测器漏电流仅为11.4 pA/cm2,远低于Si基探测器漏电流。当4H-SiC探测器置于强γ辐射场时,由γ射线导致的信号电流为249 nA,比本底信号电流大5个量级。同时4H-SiC探测器在零偏压时也能对γ射线产生明显的信号,均值电流为85 nA。随工作电压增大,4H-SiC探测器的γ响应随之增大。结合4H-SiC探测器体积小、响应快、耐高温和耐辐照等特点,可将4H-SiC探测器用于强钴源点注量在线监测等方面。