Pb/Sn/Ag焊料-Pd/Ag导体微观形貌随温度的演变

研究了不同高温存储过程对Pb/Sn/Ag焊料-Pd/Ag导体微观界面的影响.通过光学显微镜观察焊料-导体系统的微观形貌随高温过程的演变,借助扫描电子显微镜进行微观界面元素分析,获得Pb/Sn/Ag焊料-Pd/Ag导体间的元素扩散状态.同时探讨了不同温度条件下存储时间与扩散层厚度的关系.研究表明:在高温作用下,焊料和导体...     

金属-半导体欧姆接触的接触电阻率

<正> 金属-半导体的欧姆接触无论在半导体的器件制造还是半导体物理和材料的性能研究方面都是极其重要的.接触性能的好坏直接影响着器件的质量和材料、物理的研究.接触电阻率ρ_c是标志金属-半导体欧姆接触优劣的一个重要参量.线形传输线模型是测量ρ_c的常用方法之一,对于绝缘衬底上的薄半导体层(例如高阻层上外延、扩散、离子注入     

用正偏电容测量研究SBD的界面态

本文描述使用以阻抗测量仪为中心的正偏电容测量系统提取金属-半导体接触界面态参数的方法.该方法用来分析了分子束外延 CoSi_2层与N型Si接触和TiW 合金层与N型GaAs接触的界面态.     

肖特基二极管(SBD)结构解剖与分析

本文对四个不同电流容量的进口SBD管芯进行纵向结构的解剖与分析。阐述了金属-半导体表面势垒、多层金属（或合金）的元素、厚度及合金的成份比等。为研制SBD管器件提供了参考。     

具有Pt扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性

针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统。扫描电子显微镜(SEM)和微束分析(EDS)测试显示,添加Pt扩散阻挡层的合金系统比没有Pt扩散阻挡层的合金系统的表面更加光滑,粗糙度降低。矩形传输模型(RTLM)测试显示,添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为85%,最低比接触电阻率为4.25×10-6Ω·cm2;而未添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为12%,最低比接触电阻率为3.86×10-6Ω·cm2,表明Pt扩散阻挡层的添加能够增加n-GaAs欧姆接触的重复性和均匀性,提高器件在使用过程中的热稳定性和可靠性。     

具有Pt扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性北大核心CSCD

针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统。扫描电子显微镜(SEM)和微束分析(EDS)测试显示,添加Pt扩散阻挡层的合金系统比没有Pt扩散阻挡层的合金系统的表面更加光滑,粗糙度降低。矩形传输模型(RTLM)测试显示,添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为85%,最低比接触电阻率为4.25×10-6Ω·cm2;而未添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为12%,最低比接触电阻率为3.86×10-6Ω·cm2,表明Pt扩散阻挡层的添加能够增加n-GaAs欧姆接触的重复性和均匀性,提高器件在使用过程中的热稳定性和可靠性。     

碲镉汞光伏器件的电极界面参数

利用热场发射理论和数值计算方法 ,分析了碲镉汞光伏器件的电流 -电压特性 ,提取了金属 -半导体 (MS)界面参数 ,并对这些参数进行了讨论 .结果表明 ,Sn/Au金属膜 -碲镉汞薄膜 PN器件的电极界面的势垒高度锁定在“Bardeen”限 ,界面密度比介质膜 -碲镉汞的大一个量级     

碲镉汞光伏器件的电极界面参数

利用热场发射理论和数值计算方法,分析了碲镉汞光伏器件的电流-电压特性,提取了金属-半导体(MS)界面参数,并对这些参数进行了讨论.结果表明,Sn/Au金属膜-碲镉汞薄膜PN器件的电极界面的势垒高度镇定在"Bardeen"限,界面密度比介质膜-碲镉汞的大一个量级.     

Ge／Pt／Au,Ge／Au／Ni／Au—n型GaAs欧姆接触的对比研究

对用快速热合金方法（RTP）形成Ge/Pt/Au,Ge/Au/Ni/Au-n型GaAs欧姆接触进行了对比研究。实验结果表明，在合金形貌和欧姆接触特性兼顾的情况下，Ge/Pt/Au和Ge/Au/Ni/Au有不同的“温度－时间”窗口的接触电阻率。合金后，Auger能谱分析表明，Ge/Au/Ni/Au金属系统扩散进GaAs体内的净施主Ge浓度较高，因而接触电阻率较低。两种欧姆接触金属系统经高温存贮一定时间后，发现其接触电阻率都有所降低。     

源漏区域孔阵列挖槽对氮化镓n型欧姆接触的影响

采用源漏区域孔阵列挖槽的方法降低氮化镓n型欧姆接触的合金温度,并改善合金后金属形貌。相对于非源漏区域孔阵列挖槽的氮化镓n型欧姆接触合金,合金温度可降低40℃,合金后源漏金属形貌尤其是金属侧边形貌显著改善,这对于提高相关器件及电路性能、成品率及可靠性很有好处。