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平面零收缩LTCC基板制作工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大,使烧成基板的平面尺寸难以精确控制,成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍,需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上,通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板,提出评价指标,根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究,重点突破了层压与共烧工艺,将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的士0.3%-±0.4%减小到小于士0.04%,可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。 相似文献
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LTCC工艺技术的重点发展与应用 总被引:3,自引:0,他引:3
本文主要介绍LTCC工艺制造技术在目前和将来一段时间内的重点发展与应用情况,包括平面零收缩LTCC基板、空腔制作、精密细线条加工、带敏感结构LTCC基板,以及LTCC集成组件与模块、MCM用标准化封装外壳、LTCC用于微系统和传感器等。 相似文献
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LTCC互连基板金属化孔工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。 相似文献
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微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术.为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100 μm以内.基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术.通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度. 相似文献
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生瓷带打孔机是LTCC多层基板制造必不可少的关键工艺装备.分析了生瓷带打孔机的功能,通过详细计算,提出了硬件控制系统的实施方案,采用了双电机同步控制结构、PID参数调试方法,绘制了控制框图和软件流程图. 相似文献
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叠片机烙铁焊接机构的设计 总被引:2,自引:1,他引:1
LTCC基板依赖其在组装密度、信号传输速度、电性能及可靠性方面独特的优势,必将在未来的电子装备中得到更广泛的发展。叠片机做为LTCC制程中的关键设备,主要功能是把经过填充和印刷了图形的生瓷片进行脱膜、定位和叠层焊接固定,叠好的多层生瓷片进入下道工序进行层压。阐述了叠片机烙铁焊接机的结构设计。 相似文献
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在LTCC基板加工中,生瓷预烘干、图形印刷后烘干可能会产生形变。为满足产品平整度及加工位置精度要求,本文介绍了LTCC基板制造过程中烘干的工艺方法,并通过工艺试验对当前所用两种烘干设备的各工艺参数进行比较,有效改进了烘干后生瓷表面质量。同时,我们结合不同产品要求和生产规格,对PH-101型烘箱和MSH公司烘干机加工特点进行了分析,阐述了两种烘干方法加工特点和工艺优化过程。 相似文献
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低温共烧陶瓷(LTCC)技术可以实现真正意义上的三维微波互连基板,已经成为实现机载、星载、舰载相控阵雷达收/发组件小型化、轻量化、高性能、高可靠和低成本的理想方法之一。文中对基于国产钙硼硅系LTCC生瓷带微波基板制造技术进行了深入研究,剖析了影响基板外形尺寸和腔体翘曲度的工艺因素,提出了相应的解决方法。 相似文献
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LTCC基板广泛应用于先进的LED封装技术。阐述了LED的陶瓷封装基板的特点,介绍了制造LTCC封装基板的生瓷片性能和制造工艺,通过对LTCC基板热电分离结构的优点分析,指出金属散热通孔是提高LTCC基板散热效果的关键原因,并展望了LTCC封装基板发展方向。 相似文献
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低温共烧陶瓷(LTCC)实现微波多芯片组件(MMCM)的一种理想组装技术.论述了制造微波多芯片组件的LTCC基板工艺,分析了LTCC基板生瓷材料在热切过程刀体运动流程以及其控制特点,研究了刀体在高速热切过程中的速度控制特点,提出了在确定结构下实现LTCC热切刀体的高精度和高速度控制方法,实验证明,在切割精度不受影响的情况下该方法提高了切割效率,减小了在高加减速情况下对机械系统造成的冲击。 相似文献
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