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仔细选择声表面波谐振器,可得到输出很纯的300MHz压控振荡器(VCO)。用于锁相环(PLL)的压控振荡器必须经常在调频范围和相位噪声之间折衷考虑,以确保所有条件下的锁定。怎样得到好的折衷以满足低噪声指标将取决于选择的谐振器带宽,插入损耗和稳定度。声表面波谐振器提供了这种通用性并可在300MHz压控振荡器内得到非常低的噪声。 相似文献
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高性能声表面波调频振荡器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了声表面波谐振器的性能 ,论述了声表面波振荡器的工作原理及设计方法 ,最终完成中心频率为797.3 MHz的振荡电路 ,调频带宽 2 MHz(2 5 0 0 PPM)。文中对影响调频带宽、相位噪声的因素进行了分析讨论。本项目研究成果已获得实际应用 相似文献
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本文叙述一种新颖的双晶体控制甚高频晶体振荡器电路的设计与性能,这种振荡器电路的输出信号单边相位噪声谱远低于常规单晶体振荡器得到的噪声谱。采用多(双)晶体谐振器可使离载波偏 f≤1 kHz 的边带相位噪声电平减小5dB。这种振荡器是对称式的,包含两个低选择性调谐回路(防止振荡在晶体 B 模谐振频率上),因此每个谐振器以相同的方式工作。两个 SC 切晶体谐振器都在高激励电平(5到8毫瓦)上工作,振荡器的两个单独输出信号是通过各自与同型式共基极缓冲放大器相串联的谐振器提取的。当调制频率超过谐振器有载带宽时,由于谐振器的窄带传输响应,使振荡器信号相位噪声被进一步抑制。此外,还因为两个负载电路(缓冲放大器)的附加噪声谱不相关,故在高调制频率(f≥10kHz)上,信号频率在负载电路输出端相加,可使输出信号的边带相位噪声电平减小3dB。用80兆赫样机振荡器进行了验证,测得它的边带相位噪声电平:f=100赫时为-134dB/Hz,f=1kHz 时为-164dB/Hz 和 f≥10kHz时为-181dB/Hz。后来单独对振荡器用谐振器的短期稳定度进行测量,结果表明,在 f=1kHz 以下的振荡器输出信号的边带相位噪声电平是由谐振器不稳定性引起的,而不是维持级晶体管的相位噪声所致。另外,有一种方法,就是采用工作状态相同的两个谐振器,由于所用两个谐振器的机械应力显示出大小相等而方向相反的加速度—频率灵敏度,可使谐振器件的输出信号频率不稳定度减小。 相似文献
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基于高次谐波体声波谐振器(HBAR)的高品质因数(Q)值和多模谐振特性,设计了Colpitts和Pierce两种形式的微波振荡器。采用HBAR与LC元件组成谐振回路的方法,与放大电路构成反馈环路直接基频输出微波频段信号。Colpitts振荡器输出信号频率为980 MHz,信号输出功率为-4.92dBm,信号相位噪声达-119.64dBc/Hz@10kHz;Pierce振荡电路输出信号频率达到2.962GHz,信号输出功率为-9.77dBm,信号相位噪声达-112.30dBc/Hz@10kHz。 相似文献
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介绍声表面波振荡器的特点和应用,讨论了它的工作原理和优化设计方法,并分析了其关键技术及解决办法。设计采用的电路形式简单且性能良好,给出了研制结果:输出振荡频率1.81 GHz,输出功率7.23 dBm,长期频率稳定度为5×10-6/日,相位噪声优于-122 dBc/Hz/10 kHz。 相似文献
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由声表面波延迟线、移相器及放大器可以构成高频FM振荡器.本文用三换能器声表面波延迟线和双平衡差动放大器构成振荡回路的移相器,从其动作解析可得到高灵敏度的FM振荡器,理论上可以实现线性调制.在噪声特性方面从振荡回路内放大器的白噪声求得相位噪声频谱密度,推导了CN比,SN比的变换式.上述结果表明采用本结构作为FM振荡器,只须由少量参数即可决定重要的线性及噪声特性.为了正确评价这些理论结果,与试样的实测量进行了比较,两者很一致.所以在设计FM振荡器时完全可以预估其性能.还在移相电路中设置了相位负反馈环,探讨了在不降低声表面波延迟线Q值的同时改善线性的方法,也获得了良好的结果. 相似文献
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基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点.振荡器中的谐振电路采用多级串联谐振,电感采用微带线的形式,提高了谐振器的品质因数,进而降低了振荡器的相位噪声,且在谐振电路通过微带耦合方式实现了基频输出.基于GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺对振荡器进行了设计和流片,芯片尺寸为1.8 mm×1.4 mm.在5V工作电压和0~13 V调谐电压条件下,振荡器的输出频率为42.1~46.2 GHz,电流为120 mA,输出功率为1 dBm,1/2次谐波抑制大于15 dB,相位噪声为-60 dBc/Hz@10 kHz、-85 dBc/Hz@100 kHz和-105 dBc/Hz@1 MHz. 相似文献