粘片烘干工艺中管壳内引线沾污问题探析

对粘片烘干工艺过程中各种工艺条件及工艺材料进行分析,找出影响内引线沾污问题的原因,通过理论和实验研究,找到最佳的工艺条件,并指出材料因素会对粘片烘干工艺产生较大影响。     

MEMS粘片工艺应力抑制技术

粘片工艺过程中产生的热机械应力是微电子机械系统(MEMS)芯片的主要误差源之一.为了降低粘片工艺应力对MEMS芯片的影响,提高MEMS芯片的稳定性,开展了MEMS粘片工艺应力抑制技术的研究.分析了胶体粘片工艺过程,通过解析模型进行应力来源的分析与计算;建立了有限元仿真模型,分析了MEMS芯片粘片过程中热机械应力的主要形...     

粘片机布局及关键机构技术研究

讨论了新型粘片机的不同几何布局及其对生产效率的影响。并对其关键部件拾放片系统的不同结构形式及其优缺点进行了分析。     

集成电路粘片机视觉检测技术研究

集成电路粘片机是将半导体晶圆上微芯片贴装到引线基架的半导体制造后工序关键性生产设备。基于视觉检测的全自动集成电路粘片机,其视觉检测技术是关键及核心技术。利用图像处理、模式识别技术,采用固定阈值分割、图像投影、像素统计、区域生长、边界坐标点提取、模板匹配等方法,完成了待检测芯片的定位与墨点、缺角、崩边、角度偏移等芯片缺陷的检测。实现了贴装过程中芯片识别检测功能。     

LED粘片机芯片运动控制技术研究

1概述 LED全自动粘片机是一种用于LED（发光二极管）生产制成中进行管芯与引线框架粘接的自动化设备，是LED自动化生产线上必备的关键设备之一：适合各种高品质、高亮度LED（红色、绿色、黄色、蓝色、白色等）生产，还可用于部分半导体二极管、三极管、PCB及小型DIP、SOP等产品的生产。     

粘片机中芯片丢失的光敏检测方法及其分析

论述了粘片机中芯片丢失的检测方法,采用红外发光二极管和硅光敏晶体管,实现了芯片丢失的快速、准确的检测。     

粘片机夹持定位机构的设计与运动分析

夹持定位机构作为粘片机的一个重要机构。介绍了夹持定位机构的功能、结构原理及运动原理;然后通过COSMOS/Motion软件对该机构进行仿真,从而确定该机构达到设计要求。     

全自动粘片机粘片位置精度提高之方案

阐述了A型全自动粘片机粘片位置精度的制约因素以及改善方案。将MOUNTZ参数设定在250～260Pulse,真空破坏气压设定在0.03～0.04MPa,荷重弹簧调整在120g,能够较好的保证制品粘片位置精度。同时为了提高设备的适应能力,在理论分析的基础上对设备进行了改善,增加了防止引线框架带起装置并采用硬化吸头。     

应用四连杆机构的粘片机键合头设计

键合头为粘片机上的关键部件,需要精确、平稳地往返于拾片和粘片位置,实现芯片的拾取、传送和粘接等动作。分析了粘片机用键合头机构的作用及性能要求,介绍了曲柄摇杆机构在粘片机键合头设计上的应用。     

铝线键合的等离子清洗工艺研究

采用DOE(实验设计)方法,通过比较铝线拉力的数值、标准方差及PpK,得到最适合铝线键合工艺的等离子清洗功率、时间和气流速度参数的组合。同时分析了引线框架在料盒中的摆放位置对等离子清洗效果的影响,引线框架置于等离子气体浓度高的位置清洗效果较好,引线拉力值能获得更低的方差和更优的过程控制能力。     

减少硅片湿法清洗工艺铁离子沾污研究

为了研制出高性能电荷耦合器件（CCD）,减少硅片清洗工艺Fe离子沾污是关键。利用表面光电压（SPV）法,研究了硅片清洗过程的Fe离子沾污。研究表明,SPM（H2SO4/H2O2）→SC-1清洗,去除Fe离子污染的效果比较差;用SPM→SC-1→SC-2清洗,去除Fe离子杂质的效果较好,Fe离子污染减少了2个数量级。增加SC-1和SC-2清洗次数可以减少Fe离子沾污,但效果不明显。当化学试剂中金属杂质含量由1×10^-8 cm^-3减少到1×10^-9 cm^-3,清洗工艺Fe离子沾污减少到8.0×1010 cm^-3。     

提高基板键合可靠性的等离子清洗工艺研究

通过等离子轰击可以有效提高金丝键合的可靠性。氩气等离子清洗后,基板容易金丝键合,破坏性拉力测试后键合点留压点,键合力有明显提高。5880基板最优的清洗参数是功率200 W,清洗时间600 s,气体流量150 ml/min,并且等离子处理之后2 h内完成键合,效果最佳。     

统计过程控制技术在键合工序中的应用

键合工序是半导体器件生产中的关键工序,采用统计过程控制(SPC)技术对关键工序进行监控是保持生产线稳定、减少质量波动的有力工具,可以提高产品的成品率和可靠性。在现有工序状态下采集键合拉力数据,计算和分析键合工序的工序能力指数,进行工艺调整和改进,直到工序能力指数Cpk≥1.33。选择计量控制图,对键合拉力数值进行监控,发现工序失控时,分析原因并及时采取纠正预防措施,保证工艺的一致性和稳定性,提高工艺成品率。     

基于共晶的MEMS芯片键合技术及其应用

叙述了MEMS封装中共晶键合的基本原理和方法,分析了Au-Si、Au-Sn、In-Sn等共晶键合技术的具体工艺和发展,并对其应用作了介绍.     

倒装焊后清洗工艺及其对底部填充的影响

倒装焊封装是通过将整个芯片有源面进行管脚阵列排布并预制焊料凸点,通过倒装焊工艺进行互连,与传统引线键合技术相比具有更高的组装密度及信号传输速率,是实现电子产品小型化、轻量化、多功能化的关键技术之一.对于小尺寸微节距的倒装焊芯片来说,焊后清洗的难度相对更大,因此清洗技术也是影响倒装焊工艺的重要因素.针对不同清洗方式及参数...     

滴胶过程中的Z轴误差补偿

在滴胶过程中能够得到一致性较好的滴胶效果,是芯片粘接的基本要求.影响胶滴一致性的因素有很多,其中滴胶高度是否一致是最主要的影响因素之一.通过对Z轴的误差进行补偿使得滴胶高度保持一致,以消除其对滴胶一致性的影响.实验证明,通过这种方法补偿可以得到满足实验一致性要求的滴胶效果.     

改进晶片键合质量可靠性的综合分析方法

对提高半导体工业键合工艺可靠性进行实例研究.首先进行键合工艺技术分析,采用了一种定性方法来辨识故障.实验证实,改进的键合工艺可以降低关键事件对晶片偏转的影响.综合了控制与可靠性工程方面的知识,提出了一种混合的分析方法.     

免清洗技术返修工艺研究

序言 近几年来电子装联工艺引入了许多替代ODS的新型清洗工艺,其中广泛使用的主要有三种:(1)使用免清洗或低残渣焊剂,在这一工艺中印制版路组件不需要清洗;(2)水清洗,在这一工艺中印制电路组件用水和一些附加物进行清洗;(3)替代CFC的清洗材料,在这一印制电路组件工艺中使用无CFC成分的化学溶剂来清洗。然而。取代CFC的最终途径还是实现免清洗。随着免清洗工艺的采用与不断发展,与其     

夹层式叠层芯片引线键合技术及其可靠性

随着电子封装技术的快速发展,叠层封装成为一种广泛应用的三维封装技术,该技术能够满足电子产品高性能、轻重量、低功耗、小尺寸等日益增长的需求。针对陶瓷封装腔体中的夹层式叠层芯片结构,键合点与键合引线处于陶瓷外壳空腔中,未有塑封料填充固定,区别于塑封叠层芯片封装器件,优化其引线键合技术,并做了相应可靠性评估试验。键合引线偏移长度最大为0.119 mm,未出现键合引线间隙小于设计值、碰丝短路等情况,为高可靠叠层芯片封装研究提供了参考。