SRAM辐射效应测试装置的研制与应用

SRAM辐射效应测试装置由主机和下位计算机测试板构成,可在多种辐射源下进行SRAM单粒子翻转、单粒子锁定等实验.介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术.利用该装置在激光辐射效应实验装置及HI-13串列加速器上成功地进行了SRAM的辐射效应实验.通过对SRAM芯片电流的检测,断电保护解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题.     

基于252Cf源的反应堆结构屏蔽材料屏蔽性能测试装置设计

基于252Cf中子源,构建了反应堆结构屏蔽材料屏蔽性能测试装置设计模型。采用MCNP程序建立了测试模型,并逐次模拟计算屏蔽性能测试装置慢化层、中子防护层、γ光子防护层厚度。对于关键的慢化层,采用Geant4程序进一步验证MCNP程序的计算结果。通过分析模拟计算获得了最优屏蔽材料及厚度分别为：慢化层材料为石蜡,厚度为8 cm;中子防护层材料为聚乙烯,厚度为38 cm;γ防护层材料为铁,厚度为11 cm。模拟实验结果表明,所设计屏蔽性能测试装置能够满足中子慢化以及中子、光子防护的需要。     

重离子辐射玉米种子M1代诱变效应研究

离子注入被认为是一种新的作物育种方法。与γ射线、电子束以及激光相比,利用离子注入技术进行作物品种改良具有损伤轻、突变率高、突变谱广、处理安全和无污染等优点,是人工诱变方法的一个新发展。玉米是全球性作物,在我国玉米生产占有重要地位。利用杂种优势是玉米育种和增产     

静态随机存取存储器辐射效应测试系统的研制

由于空间辐射效应会导致SRAM器件单粒子翻转、单粒子锁定等现象的产生。文中介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。通过对SRAM芯片电流的检测、断电保护,解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题,利用该装置在不同的辐射实验源上对SRAM进行辐射效应实验研究,获得了预期的实验数据。为星载计算机系统存储器的运行寿命评估及加固设计提供重要参考依据。     

MOSFET模拟特性的电离辐射响应

通过研究６０Ｃｏγ射线对ＭＯＳＦＥＴ的线性特性和输出特性的影响，定性地描述了氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态增加分别与Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ的迁移率μ退化、跨导ｇｍ下降以及输出特性曲线漂移等的依赖关系。试验结果表明，对于Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ，电离辐照感生氧化物电荷积累和界面态密度增加都将导致器件模拟特性的退化；对于Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ，这种退化主要由辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加所支配。     

利用HI—13串列加速器进行空间辐射效应实验研究

讨论了空间辐射效应实验模拟研究中一些重要物理量的物理含义及实验的选取方法,详细描述了在HI－13串列加速器上逐步发展完善起来的一些研究方法。     

烟羽辐射模拟装置的研制及测试

环境γ监测设备对小剂量率变化的灵敏度是评价其辐射特性的一项重要指标。本文介绍了一种自行研制的烟羽辐射模拟装置,该装置由137Cs放射源及其传动系统、铅屏蔽体、不同厚度的铅衰减环、控制单元等组成。利用蒙特卡罗模拟和G(E)函数法对距离装置放射源3 m、离地面1 m高度处的空气比释动能率进行了计算,由上述两种方法得到的结果相对偏差在5%以内。结果表明,此烟羽辐射模拟装置在装载MBq量级的137Cs源时,预计可提供10 nGy/h~50 nGy/h的辐射场,可用于环境γ监测设备对小剂量率变化的灵敏度测试。     

HI—13串列加速器上卫星器件空间辐射效应模拟研究简况

简要叙述了卫星器件及样机的空间辐射效应的实验模拟研究的起源,以及在HI－13串列加速器上已进行的有关研究工作和方法。分析了现有设备的局限性,简述了串列加速器国家实验室升级工程要点。     

基于虚拟仪器技术的SRAM单粒子效应测试技术新进展

随着我国航天事业的迅猛发展,对加速器束流的需求将会急剧增加,但受HI-13串列加速器可提供束流时间的限制,束流供求矛盾将会愈来愈突出。为了满足国防抗辐射加固研究单位的迫切需要,为我国星用大规模、超大规模集成电路抗辐射加固机理研究、性能评估考核以及加固技术的验证等地面模拟试验提供方便、快捷、高品质的试验平台和必要的技术支撑,需要加强HI-13串列加速器上单粒子效应地面模拟实验技术研究,提高加速器束流使用效率。     

功率MOSFET器件单粒子烧毁252Cf源模拟试验研究

本工作涉及利用²⁵²Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术,对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明：在空间辐射环境下,功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内;在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施。     

静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究

应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52 Cf源替代重离子加速器测量静态随机存取存储器的单粒子翻转饱和截面     

重离子单粒子效应实验研究

在HI-13 串列加速器上建立了对微电子器件进行单粒子效应模拟实验的辐照和检测技术。利用该Q3D磁谱仪获得种类和能量单一、强度分布均匀且足够弱的重离子辐照源,利用散射室内的半导体探测器和焦面上的位置灵敏半导体探测器监测辐照离子。用该装置和技术测量了在8个传能线密度（LET） 值的重离子辐照下引起的几个存储器器件的单粒子翻转（SEU）截面s（L）。从测得的s（L）—LET曲线,结合空间重离子和质子辐照环境模型以及离子与微电子器件相互作用模型计算,预言了器件在空间的单粒子翻转率。     

2×2MV串列静电加速器在加速碳时的辐射场测量与评价

介绍了2×2MV串列静电加速器在加速碳时的辐射场测量结果,并进行了初步评价。     

HI－13串列加速器输电梯的研制

输电梯是ＨＩ－１３串列加速器的关键设备之一，其主要部件尼龙绝缘子无油轴承等经反复试制，性能已优于国外同类产品。研制过程中创立的输电梯组装工艺大大简化了调梯过程，降低了横向摆度。３５００多小时的正式运行表明输电梯运行平稳，高压性能良好。ＨＩ－１３串列加速器达到了非常良好的运行状态。     

~(252)Cf快裂变室研制

采用甲烷、氩气或其混合气体 ,在 2 52 Cf平行板裂变室极间距 1.0 0至 5.0 0 mm、电压 50至70 0 V的条件下 ,测量了 142 B电荷灵敏前置放大器输出脉冲波形和脉冲幅度谱。 2 52 Cf裂变室中子强度为 2 .0 7× 10 4 s-1,上升时间为 7.69( 1± 9.1% ) ns,裂变碎片探测效率为 98.4 % ,能够清晰分辨裂变碎片和 α粒子信号。     

Radiation dose effects on the morphological development of Mi generation pea(Pisum sativum)

We irradiated pea seeds with neutrons from a 252Cf source and studied the radiation dose effects on various morphological development parameters during the growth of M1 generation peas.We found that in the dose range of 0.51-9.27 Gy,with the increase in neutron-ab-sorbed dose,the morphological development parameters of M1 generation peas at the initial seedling stage showed an obvious trend with three fluctuations.With the develop-ment of pea,this trend gradually weakened.Further anal-ysis and verification showed that the main trend in the M1 generation of pea seeds was an inhibitory effect induced by neutron irradiation and there was a good linear correlation between the inhibitory effect and neutron absorption dose.We successfully demonstrated the background removal of mutant plants and defined morphological development parameters for peas that match the overall development of plants.Our results will positively impact neutron mutation breeding and automatic agriculture.     

HI—13串列加速器运行10年概况

概括介绍10年来加速器的运行、开钢筒检修、输电梯运转状况及主要加速器改进工作.