ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性

本文报道了新型较高亮度的ZnS:Li2O蓝色薄膜电致发光,烧结了新型的蓝色发光材料ZnS:Li2O,用电子束蒸发制备出SiO2夹层结构的ZnS,Li2O蓝色电致发光器件,通过吸收光谱,电致发光光谱,激光光电压与发光强度的关系等研究了ZnS:Li2O薄膜发光特性,认为ZnS:Li2O薄膜电致发光可能是由Zn填隙和氧替硫引起的。氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强。     

有空穴传输层的双层有机薄膜电致发光器件

制备了由有机空穴传输层和有机发光层组成的双层有机薄膜电致发光器件,器件的发光亮度相对于单层器件有了很大的提高。并用不同深度区域的掺杂方法,对其电致发光机理作了探讨。对单、双层器件的不同的亮度电流关系、不同的发光区域进行了分析和讨论.     

新型交流薄膜电致发光器件的研究

本文介绍了根据加速电子,激发中心在空间上分开,利用低场预热和高场加速的设想,设计并研制的一种新型交流薄膜电致发光器件。     

一种新型氧化物薄膜电致发光器件

本文合成了Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ材料;用电子束蒸发制备成交流的薄膜电致发光器件,采取Ｘ光衍射的方法分析了材料的结晶度及成份;器件得到了较好的蓝紫色发光,发光峰位于３９７ｎｍ和肩峰４６７ｎｍ;通过对掺和不掺发光中心材料的吸收光谱和光致发光的研究,得出３９７ｎｍ和４６７ｎｍ分别来自于氧空位和Ａｇ＾＋的发光。     

硫化锌交流电致发光薄膜结构与特性研究

用电子束研制不同介质膜作绝缘层的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜器件,用Ｘ射线衍射技术测量薄膜表面结构,发现薄膜多晶的沉积有择优取向的趋势。观察不同绝缘层交流电致发光器件的初始稳定过程,讨论绝缘层质量对交流电致发光器件的影响。     

蓝色薄膜电致发光的新材料ZnO（S）：Ce^3＋的发光特性

介绍了新制备的TFEL发光材料ZnO(S)：Ce^3 ，测量了它的PL和EL特性，结果显示：这种材抖的TFEL为Ce^3 的发光，有较好的颜色组成(446nm，493nm)，可望用于监色TFEL.     

LPPP异质结构薄膜发光器性能增强的研究

研究了以空穴型梯型聚次苯基（LPPP）和电子型八羟基喹啉铝（Alq3）组成的光发射器发射效率提高的方法，发光器的结构为Au／LPPP／Alq3／Al，测试结果表明这种发光器微腔调谐效应显著，净发射效率得到提高。     

ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性

本文报道了新型较高亮度的 Zn S:L i2 O蓝色薄膜电致发光 ;烧结了新型的蓝色发光材料 Zn S:L i2 O,用电子束蒸发制备出 Si O2 夹层结构的 Zn S:L i2 O蓝色电致发光器件 ;通过吸收光谱、电致发光光谱、激发电压与发光强度的关系等研究了 Zn S:L i2 O薄膜发光特性。认为 Zn S:L i2 O薄膜电致发光可能是由 Zn填隙和氧替硫引起的 ,氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强     

红色OLED器件发光特性的研究

采用DCJTB作为红色染料，以绿色发光材料Alq，Gaq，Inq作主体材料。分别制备了结构为ITO／TPD／Mq(M=Al^3 ，Ga^3 ，In^3 )：DCJTB／Alq／LiF的一系列红色OLED器件，目的在于研究主体与客体发光分子间的能级匹配情况对载流子的注入、限制、激子的复合及发光色纯度方面的影响。同时研究了DCJTB的掺杂浓度，发光层中发光基质与掺杂染料之间的能带匹配，以及器件的各有机层之间的能带匹配对器件发光性能的影响。分析表明．在ITO／TPD／Alq(Gaq，Inq)：DCJTB／Alq／LiF／Al器件中．发光层中存在着从Mq向DCJTB的能量传递，Alq，Gaq，Inq与DCJTB之间的能带匹配显著地影响着这些器件的发光性能，如最大发光亮度、发光效率、色度-电压的关系等。     

Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光浓度和退火温度特性的研究

本文研究了Ａｇ＾＋的浓度对Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２薄膜光致发光和电致发光的影响。当Ａｇ＾＋沈度达到０．２ａｔ＾,薄膜的光发生很强的淬灭,但是电致发光的淬灭肖度却达１ａｔＴ％,通过对不同浓度的薄膜样品的吸收光谱的测量,发现随着Ａｇ＾＋的浓度的升高,吸收边生红移。由于Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜电致发光有一部分是属于逞间激发,所以电致发光的淬灭浓度要比光致发光高。Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜的退火有助于提高     

ZnSe为发光层的蓝绿光薄膜电致发光器件的发光性能

采用具有电子加速能力的Si02代替传统夹层结构中的绝缘层,利用电子束蒸发的方法制备了结构为ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al的电致发光器件,观察到了传统夹层结构所没有的ZnSe层电致发光.测量了器件的电致发光光谱及总发光强度随着驱动电压及驱动频率的变化关系.讨论了器件的发光机理,认为是初电子经过SiO2层加速,获得较高能量,然后碰撞ZnSe分子,将其价带的电子激发到导带,再跃迁回价带或缺陷能级与空穴复合发光.由于这种发光方式类似于阴极射线发光,只不过电子在固体中而不是真空中加速,所以称之为固态阴极射线发光.这种机理为实现蓝色电致发光提供了新的途径.     

Near Infrared Electoluminescence of Er—doped ZnS Thin Film Devices

Near infrared electroluminescence characteristics of the Er-doped ZnS thin film devices,fabricated by thermal evaporation with two doats,are reported.The study of the film microstructure has been carried out using X-ray diffraction.The effects of the E-rdoped film microstructure on luminescence are pointed out.     

ZnSe为发光层的蓝绿光薄膜电致发光器件的发光性能

采用具有电子加速能力的Si02代替传统夹层结构中的绝缘层,利用电子束蒸发的方法制备了结构为ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al的电致发光器件,观察到了传统夹层结构所没有的ZnSe层电致发光.测量了器件的电致发光光谱及总发光强度随着驱动电压及驱动频率的变化关系.讨论了器件的发光机理,认为是初电子经过SiO2层加速,获得较高能量,然后碰撞ZnSe分子,将其价带的电子激发到导带,再跃迁回价带或缺陷能级与空穴复合发光.由于这种发光方式类似于阴极射线发光,只不过电子在固体中而不是真空中加速,所以称之为固态阴极射线发光.这种机理为实现蓝色电致发光提供了新的途径.     

ZnSe薄膜的激子光谱

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .     

ZnSe/SiO2薄膜光学常数的椭偏光谱测量

采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜。X-射线衍射(XRD)分析表明,ZnSe/SiO2复合薄膜中ZnSe晶体为闪锌矿(立方ZnS)。利用椭偏光谱仪测量了不同ZnSe含量的ZnSe/SiO2复合薄膜的椭偏参数Δ与波长λ的色散关系,采用Maxwell-Garnett(MG)有效介质理论对薄膜的光学常数、厚度、气孔率、ZnSe的浓度进行了计算。结果表明,单层ZnSe/SiO2薄膜厚度在300 nm以上时,随着溶胶体系Zn2 、SeO42-浓度的增加而增大,气孔率在30%左右,ZnSe含量约为溶胶体系中Zn2 、SeO42-浓度的1/2;通过MG有效介质理论的计算表明,可以通过调整旋涂次数及Zn2 、SeO42-浓度来调整薄膜的厚度和ZnSe/SiO2的摩尔比率,可在工艺上控制ZnSe/SiO2复合薄膜光学参数。     

有机薄膜电致发光的研究及现状

有机薄膜电致发光（OTFEL）由于具有许多独特的优点而成为当今发光领域研究的热点，具有十分诱人的应用前景。本文从其发展过程、发光原理、发光材料、器件结构等几个方面作了概括和论述。     

脉冲激光烧蚀沉积ZnSe薄膜的研究

用 2 48nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片 ,衬底采用抛光GaAs(10 0 )。衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理。原子力显微镜 (AFM )观察显示在GaAs(10 0 )沉积的ZnSe薄膜的平均粗糙度为 3～ 4nm。X射线衍射 (XRD)结果表明ZnSe薄膜 (4 0 0 )峰的半高宽 (FWHM)为 0 4°～ 0 5°。对激光烧蚀团束的四极质谱分析表明烧蚀团束主要由Zn ,Se和 2Se组成 ,并由此推断ZnSe薄膜的二维生长模式。     

Reconstruction of excitonic spectrum during annealing of ZnSe:N grown by metalorganic vapor phase epitaxy

The reconstruction of the bound excitonic spectra of MOVPE-grown ZnSe:N samples caused by thermal annealing was observed. The results of the low temperature photoluminescence, reflection and SIMS measurements show that this reconstruction is caused neither by the strain effect nor by the removal of hydrogen from the samples. The calculation of the defect structure and energy by the SCF MO LCAO method was carried out, and a new stable configuration of the N_se center has been found. A model of reconstruction of the nitrogen centers is proposed, assuming that the transition of N_Se centers from a less stable state with distorted T_d configuration into the energetically more favorable distorted C_3v configuration occurs due to thermal annealing, resulting in the corresponding changes in the luminescence spectra.     

多层场致发光薄膜的初始载流子源

热电子的碰撞引起发光中心的激发，碰撞离化截面与热电子的能量紧密相关，因此，了解初始电子的来源非常重要。本文提出了分层优化多层场致发光薄膜的等效电路，并比较了多层和三层薄膜的电荷－电压特性。     

Synthesis and characterization of blue emitting ZnSe quantum dots

In this work we show a new experimental methodology to obtain ZnSe nanocrystals in aqueous solution aiming their application as biophotonic probes. The nanocrystals were obtained using a simple procedure based on the arrested precipitation of ZnSe in aqueous solution in the presence of a thiol-alkyl stabilizing agent, in air and at room temperature. Using post-preparative experimental procedures on the colloidal particles, blue and green emissions were observed. The structural characterization (powder X-ray diffraction and electronic transmission microscopy) shows that the particles were obtained in the quantum confinement regime (d=2-4 nm) and possess a zinc-blend crystalline structure. The optical properties of the suspensions were determined by electronic absorption, excitation and emission spectroscopies and are discussed in terms of their size and chemical compositions.