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相似文献
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1.
郭维廉 《微纳电子技术》2007,44(10):917-922,951
阐述了电路模拟在设计和研制大规模集成过程中的必要性和重要意义,器件模型在电路模拟中的重要性以及器件模拟与器件模型的关系;在器件模拟通用软件形成过程的基础上重点讨论了RTD的器件模型、器件模拟和电路模拟软件SPICE三个课题;介绍了基于物理参数I-V方程RTD模型和高斯函数、指数函数RTD直流模型;利用ATLAS器件模拟通用软件对RTD进行了器件模拟,得到了势垒和势阱宽度、E区掺杂浓度等对RTDI-V特性的影响;以包含RTD电路的SPICE电路模拟中的文字逻辑门为例,通过电路模拟验证了其逻辑功能,对设计该电路起到指导和参考作用。  相似文献   

2.
介绍了一套砷化镓专用电路CAD软件,它可完成砷化镓器件模拟、器件模型参数提取、电路模拟、版图编辑、PG带生成的全过程设计。  相似文献   

3.
范麟  严顺炳 《微电子学》1990,20(6):43-48
本文介绍了可广泛用于IC电路设计的线性IC电路模拟系统。主要叙述了电路模拟软件实用功能设计,新的器件模型的建立;叙述了把电路模拟与实际工艺结合起来的参数提取程序的设计。  相似文献   

4.
利用二维器件模拟器MEDICI提取出重掺杂外延型衬底的电阻宏简化模型,所需的6个参数均可通过器件模拟得到,能够精确表征混合信号集成电路中的衬底噪声特性。基于0.25μm CMOS工艺所建立的电阻宏模型,设计了简单的混合信号电路进行应用验证,证明了该模型能够有效表征混合信号集成电路的衬底噪声。  相似文献   

5.
MOSFET模型&参数提取   总被引:5,自引:0,他引:5  
器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。  相似文献   

6.
用线性电路模拟非正弦周期函数信号的波形   总被引:1,自引:0,他引:1  
简要说明了如何利用EWB模/数混合模拟软件为工作平台,设计出用线性电路模拟非正弦周期函数信号波形的电路。  相似文献   

7.
基于PSpice的光电探测电路仿真分析   总被引:2,自引:1,他引:1  
光电探测电路的设计对光电探测系统的性能有重要的影响。采用PSpice电子电路设计软件,对光电探测电路性能进行了仿真。分析了光电二极管的PSpice模型,光电探测电路的时域特性、频域特性及噪声特性。通过PSpice软件的参数扫描功能,对电路参数进行了优化设计。利用PSpice软件的噪声分析功能,计算了系统等效噪声功率,并对后级电路设计参数进行了计算。  相似文献   

8.
陈会  黄建 《微波学报》2005,21(2):52-55
通过对雪崩二极管非线性电路模型参数数学表达式的分析,利用HPEESOF软件进行电路模型的计算机模拟,计算出雪崩管在非线性状态下的器件阻抗,从而为雪崩管振荡器的设计提供了重要的理论依据。  相似文献   

9.
张旻  李肇基  杨之廉 《半导体学报》2000,21(10):1005-1009
提出了高压功率器件统一网络模型 ,并在 SPICE3和 PISCES2 B的基础上 ,利用两级牛顿迭代法 ,开发了高压功率集成电路的电路——器件混合模拟软件 .利用该软件对一个高压 LD-MOS开关电路进行了混合模拟 .通过该种模式的模拟 ,能直接分析器件参数对电路性能的影响 ,为高压功率集成电路的设计提供了方便 .  相似文献   

10.
提出了高压功率器件统一网络模型,并在SPICE3和PISCES2B的基础上,利用两级牛顿迭代法,开发了高压功率集成电路的电路——器件混合模拟软件.利用该软件对一个高压LDMOS开关电路进行了混合模拟.通过该种模式的模拟,能直接分析器件参数对电路性能的影响,为高压功率集成电路的设计提供了方便.  相似文献   

11.
本文介绍了一种硅 pin 线列光电探测器的设计、制造及其特性。  相似文献   

12.
介绍了短距离设备欧洲标准ETSI EN 302 536-1 V1.1.1的测试模型选取方法,测试条件,以及电源和环境要求。同时,分析了辐射测试场地和测试布置。最后,详尽解读了315~600 kHz频段短距离设备的载波输出电平、调制带宽、杂散发射和占空比等发射机参数,以及接收机杂散等接收机参数。  相似文献   

13.
光电器件近年来的发展趋向   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章从不电器件的单元技术、成像器件和垂直腔面发射半导体激光器三方面评述电器件的进展,说明它是一个充满活力的研究领域。  相似文献   

14.
电子元器件的质量可靠性直接影响到产品整机可靠性。主要总结了常见无源元件及有源器件的分类、结构特点及应用领域。对元器件的选择和使用给出了经验指导,而且对其组装工艺进行了简要阐述。  相似文献   

15.
电子元器件的质量可靠性直接影响到产品整机可靠性。主要总结了常见无源元件及有源器件的分类、结构特点及应用领域。对元器件的选择和使用给出了经验指导,而且对其组装工艺进行了简要阐述。  相似文献   

16.
量子效应器件正在崛起   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文介绍了量子效应器件的定义、分类、特点、工作原理、特性、制造方法和应用。还介绍了国内研制量子效应器件的动态和成果。  相似文献   

17.
电子元器件的质量可靠性直接影响到产品整机可靠性。主要总结了常见无源元件及有源器件的分类、结构特点及应用领域。对元器件的选择和使用给出了经验指导,而且对其组装工艺进行了简要阐述。  相似文献   

18.
SiGe半导体技术新进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
综述了 Si Ge材料的性质、主要研究方向以及最新的发展情况 ,并介绍了国外 Si Ge的研究情况。  相似文献   

19.
本文简要说明FF现场设备的设计要求,以及应用方法、文章最后介绍了 一个应用实例、供参考。  相似文献   

20.
谢晓锋  于奇 《微电子学》1998,28(3):180-184
通过求解经修正的二维泊松方程,并考虑了主要的短沟效应和高场效应,得到一个描述短沟道MOSFET器件I-V特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚阈区在内的不同工作区域,对0.8μm和1.4μm器件的漏极电流特性能较好地描述,可应用于亚微米、深亚微米级MOSFET的电路模拟。  相似文献   

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