引进硅片处理设备的故障自检系统

在大规模集成电路生产设备中,硅片处理系统包括涂胶/烘干、显影/烘干和擦片/烘干三种主要设备,是光刻工艺中除光刻机而外的关键设备。光刻胶涂层的好坏及光刻后的显影效束、擦洗的干净程度,直接影响集成电路的集成度和成品率。根据光刻工艺的特点,需进行多次掩膜版曝光,显影、清洗等循环过程,如果在此过程中,设备发生故障,特别是在接近最后一道光刻流程时发生故障,使作好管芯的硅片报废,将给生产厂带来巨大的经济损失。因此,对硅片处理设备的可靠性、故障的自动检测、排除、连锁、报警等方面的要求很高。     

硅片在线检测的发展趋势

在过去的几年里,用于晶片加工的工艺控制技术的改进已迅猛增加。 设备研制的投资,传统上主要是以晶片工艺设备的改进为目标,但现在越来越多地把投资集中在开发能够更好地管理和控制品片工艺生产的仪器上。 这种趋势的原因源于经济和技术的考虑。因为工艺控制提高了器件的成品率和性能,所以这是很经济的,同时这也使半导体生产厂家能生产出更为复杂的集成电路,反过来这也需要更好的工艺控制。     

第一块硅片的调试

自动设备的特性为设计者提供了更加容易、更加快捷的方法把一度不景气的ASIC设计引入市场     

硅片清洗研究进展

综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展;着重指出了,改进的RCAI对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理,讨论了它与清洗顺序的关系,极度稀释的RCA2能使金属沾污降至10∧10原子/cm∧2以下,且不易使颗粒重新沉淀;最后介绍了清洗工艺的最新进展。     

视觉系统在硅片检测上的应用

机器视觉是利用机器代替人眼来做各种测量和判断.介绍了全自动硅片装片机中利用视觉系统对硅片的边缘进行检测,在线将有缺陷的硅片剔除,将完好的硅片送入下一个环节.大大降低了人工强度和碎片率,减少了人工与硅片的接触,避免了人为因素对硅片的污染,有效地提高了成品率.     

硅片的磨割加工

<正> 硅片的切割质量对集成电路制造过程有很大影响。集成电路制造业的发展,又促进了硅片磨割加工的发展。目前,国内外普遍采用的是内圆磨割工艺与钢丝锯割。 内圆磨割的基本关系 内圆磨割采用特殊的内圆刀片作切割工     

硅片抛光雾的分析研究

通过试验分析了抛光雾产生的机理和影响因素。在试验的基础上，优化选择了抛光工艺技术，有效地控制了抛光雾，取得较好的结果。     

尼龙材料内部缺陷的红外热成象无损检测

介绍了利用脉冲式加热的红外热成象无损检测技术定量检测尼龙材料内部缺陷大小及深度的方法，并给出了实验结果及分析。     

半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨

半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用,为此,本文加强对硅片的退火技术检测,希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅,硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现,需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理,消除硅片中氧施主的影响,内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节,是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。     

GB／T15615—1995硅片抗弯强度测试方法研究

根据动能定量和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法－－圆片冲击法。通过当硅较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制 硅片抗弯强度测试方法的国家标准。     

适合于制作绝缘体上硅片粘合技术及其应用

本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统Ｖ形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统Ｖ形槽介质隔离方法的不足，给出了新的介质隔离方法的工艺路线，介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。     

集成电路硅片上缺陷空间分布的分形表征

本文主要研究集成电路硅片上缺陷的空间分布，在详细考察缺陷空间成团效应的基础上，提出了一个新的描述缺陷空间分布的量－分数维，并建立了一个结构化的模型。用分数和维对缺陷的成团效应及其空间分布进行详细地分析和计算机模拟，并验证了结果的正确性。本文为实现集成电路可制造性设计中的功能成品率精确表征奠定了基础。