多碱光电阴极层状模型的一个证据：铯处理多碱光电阴极的附加厚度

根据多碱光电阴极制备过程中的光谱响应在０．４￣０．５μｍ之间光电流减少这一事实，分析了Ｃｓ处理多碱光电阴极的厚度。结果表明：第一次Ｃｓ处理，０．４μｍ处的光电流由６ｍＡ／Ｗ下降到３．８ｍＡ／Ｗ．第二次处理进一步降至１．６ｍＡ／Ｗ。其主要原因是Ｃｓ处理形成的Ｋ２ＣｓＳｂ具有一定厚度，光电子在运输过程中由于厚度增加导致散射几率增加，逸出几率下降，从而导致光电发射下降。在Ｓｂ、Ｃｓ交替后，计算结果表明，     

GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能

本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元面积１６０×１６０μｍ、间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道．     

适应高温工作的大功率高效率1.3μmInAsP压应变MQW激光器

使用最佳结构的１．０５μｍＧａＡｓＰ势垒层的１．３μｍＩｎＡｓＰ压应变ＭＱＷ激光二极管，在９０℃时达到了３７ｍＷ的高输出功率和超过０．５５Ｗ／Ａ的高斜率效率。     

LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。     

Si基Ge0.85Si0.15异质光电二极管

采用低温生长缓冲层,高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层,以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ,峰值波长位于１．０６μｍ,暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ）,在１．０６μｍ和１．３μｍ处的响应度分别为１．８Ａ／Ｗ（－２Ｖ）和０．０６６Ａ／Ｗ（－Ｖ）。     

LP—MOCVD制作InCaAs／InP PIN发电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为Φ７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８－１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ。在没有增透膜时，对１．３μｍ注放光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０－１．７０μｍ。     

Nd∶TAG激光器从1．06μm向1．32μm的改装

证实了１．３２μｍ波长上运转的输出功率大于２．０Ｗ的单模稳定连续波Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器可通过对性能较好的进口激光器进行简单的改装而获得。同时讨论了Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器在１．３２μｍ波长上连续波调Ｑ及连续波锁模运转的可能性．     

带有AlGaAs包层CW稳定输出1．2W的红光（Al）GaInP二极管激光器阵列

本文介绍一种工作波长６９０ｎｍ连续波输出功率１．２Ｗ的ＡｌＧａＩｎＰ激光器阵列。阵列由３６个制作在带有８μｍ宽脊形波导的１６μｍ中心的激光器组成，结面朝下安装在金刚石热沉上。该激光器可靠性极高，输出为１．１Ｗ时寿命已超过２３００小时。     

高灵敏度穿通型异质结光电晶体管

报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ穿通型光电晶体管（发射极直径φ＝４μｍ）。在５Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，１．３ｎｗ和４３ｎｗ弱光的光电增益分别为１２６０和８１０８。折合到输入端暗电流为０．８３ｎＡ。     

大面积1.54μm波长测距用InGaAs雪崩光电二极管

设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的ＩｎＧａＡｓ雪崩光电二极管（ＡＰＤ）。器件直径为２００μｍ，工作在２１℃，１５４０ｎｍ波长时响应为０．６４Ａ／Ｗ，典型暗电流和噪声因子分别为３０ｎＡ和６．５。介绍了该器件的工作原理，设计和制作工艺。