一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较

通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。     

一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较

通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。     

一维情况下平面PN结连续性方程的一般形式解

对一维情况下平面PN结的连续性方程进行了求解,给出了不同边界条件下光生载流子浓度的一般形式解,并对结果进行了分析讨论.     

反向偏置下碲镉汞环孔PN结耗尽区电容的计算

采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞（HgCdTe）环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与有关理论分析的结论是吻合的。     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I-V、RD-V特性的研究（下）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD—V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆（反型沟道）漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生一复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

半导体介质波导中光生载流子的浓度分布

本文采用数值方法求解半导体矩形介质波导中光生载流子的非线性连续方程，获得了光生载流子在波导中的三维空间稳态分布，为严格分析光控矩形介质波导毫米波传播特性打下了基础。     

半导体介质波导中光生载流子的浓度分布

本文采用数值方法求解半导体矩形介质波导中光生载流子的非线性连续方程,获得了光生载流子在波导中的三维空间稳态分布,为严格分析光控矩形介质波导毫米波传播特性打下了基础。     

迭加原理的错误及纠正—评PN结光生伏特效应

本文纠正了“迭加原理”的错误,建立了新的光伏理论。     

HgCdTe晶体的本征载流子浓度的应用

HgCdTe晶体的本征激发决定于组份和温度。本征载流子浓度与组份、温度的关系早已得到广泛、深入的研究。由于自由载流子来源于杂质激发与本征激发,如果把杂质的影响考虑进去,就可以由本征载流子浓度推算出在高于77K的任何温度下的载流子浓度。反过来,如果知道处于本征激发占主导地位的某一温度时(如室温)的载流子浓度,就可以     

碲镉汞环孔p-n结反常特性分析

在HgCdTe 环孔p-n结器件的研制过程中,经常会出现一些反常现象,如负的开路电压和负的光电压等.现对上述现象进行理论分析,并通过大量实验对上述反常现象进行了验证.     

P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析

从微观理论对P型HgCdTe离子刻蚀成结的过程、机理进行了分析,提出HgCdTe环孔P-N结的汞原子扩散-补偿模型、P-N结的汞原子扩散-补偿-剩余施主杂质模型,提出并讨论了离子刻蚀技术形成环孔型P-N结和平面型P-N结的汞原子扩散激活能、扩散汞原子总量、扩散范围、扩散系数、有效汞原子系数等关键物理参数与工艺参数.     

PN结电容微分量频谱

本文用单一能级深陷阱模型研究了含深陷阱中心的PN结电容(C)及其微分量((dC)/(dω))与频率(ω)的关系,得到了相应的解析式.理论分析结果表明:电容微分量是一个具有峰值的函数,其峰值、峰位与深陷阱密度及载流子发射时间常数相关.由此提供了一种利用PN结的 C-ω特性确定深陷阱参数的新方法.用此方法,在室温(300K)条件下,测定了 P~+N结中的金受主能级的俘获截面σ_?=(5.6±0.8)×10~(-16)cm~2.     

HgCdTe光伏器件反常I－V特性分析

对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。     

微波照射金属结时再辐射的特性及其与PN结的区别

本文从势垒的角度,分析了金属结的非线性伏安特性,并将其作幂级数展开,讨论了金属结在单频和多频微波场激励下,由于再辐射特性产生的二次和三次谐波电流的表达式以及它们与入射激励场大小的关系.论文详细地讨论了数值分析过程,并给出样例的数值结果.此种方法具有很大的通用性,可以用于各类金属结点的分析.计算结果表明:当入射激励场较小时,再辐射产生的三次谐波幅度将大于二次谐波幅度,这与PN结的再次辐射特性(二次谐波幅度大于三次谐波幅度)正好相反.但当入射激励场的场强过大时,则二次谐波幅度将会大于三次谐波幅度,这与PN结的区别将会减小.较低功率照射下金属结与PN结再辐射特性的区别正是许多实用探测仪器工作的理论依据,但本文提醒使用它们时注意在功率上的限制.     

PN结温度传感器原理及应用

介绍了采用PN结温度传感器进行温度测量的原理,在此基础上给出了PN结的信号调理电路,分析了各部分电路的特性,给出了由STC89系列单片机组成的测温电路系统及其程序流程,并指出了减小测量误差的方法。     

飞秒激光脉冲数对P型HgCdTe激光打孔成结效果的影响

飞秒激光对p型Hg Cd Te打孔形成PN结.该实验基于1 k Hz低重复频率飞秒激光采用不同脉冲数在p型Hg Cd Te上打孔形成尺寸不同的微孔结构.实验发现脉冲数是影响成结效果的重要参数.激光诱导电流(LBIC)检测表明,随着脉冲数由单个增至10个,微孔侧壁反型层宽度由13.5μm减小到10.5μm.当脉冲数增大至100个时,微孔LBIC信号曲线已严重偏离PN结所对应的正负峰对称线形,意味着结特性趋于失效.对LBIC曲线拟合表明,单脉冲打孔形成的PN结给出最大的载流子扩散长度,约为17μm,而10个脉冲对应的环孔PN结扩散长度则减小为12μm.