纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究

采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS,调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明,当外加磁场B=0时,工作电压VDS恒定时,随栅极偏置电压VGS绝对值增加,纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势VHO逐渐接近零位输出;采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高,在工作电压VDS为-1.0 V时磁灵敏度约提高18%。     

新型非晶态FeB薄膜平面Hall元件

平面霍尔效应,也称平面磁电效应,与通常霍尔效应的不同之处在于:平面霍尔效应(下记为PHE)是根据样品中产生的电场位于电流和磁场所决定的平面内而定义的。即当外磁场躺倒在膜面内时,在和流过样品的电流相垂直的方向会出现一个横向的电场。     

半导体气敏元件内电势对测量的影响

本文报道了半导体气敏元件的内电势是引起测试中反常现象的原因。然后分析了内电势对元件测量的影响,并提出了消除内电势造成的测量误差的有效方法。     

用交变梯度磁强计研究Mn+离子注入GaAs的铁磁特性

介绍了磁测量仪器交变梯度磁强计的基本原理特点以及用它研究Mn+离子注入(001)GaAs后经快速退火形成的亚微米铁磁晶粒的铁磁特性.实验结果显示,交变梯度磁强计具有高灵敏度且使用方便.     

中国科学院上海冶金研究所研制成功GaAs霍耳磁敏元件并通过鉴定

<正> 中科院上海冶金研宄所研制成功离子注入高线性GaAs霍耳磁敏元件,并于1985年9月通过鉴定。 GaAs霍耳磁敏元件是根据半导体在磁场中产生的霍耳效应而制成的一种磁敏     

基于等位线的自动布局系统

本文所讨论的是一种模拟电路的自动布局系统，由于模拟器件具有不同的尺寸与形状。为此本文把元器件的外接矩形作为它的布局边界以进行单元划分，并且，提出了等位线的概念，使得不同形状器件的布局问题转化为具有相同形状单元的布局问题。     

用不可靠元件构造可靠系统及其神经网络实现

本文提出了可靠系统概念及用不可靠元件构造可靠系统的冗余原则,证明了可靠系统的重要性质.其中特别重要的是,当元件可靠度大于系统可靠度转折点,且元件数趋于∞时,系统可靠度趋于1.本文还给出了一个用BP模型实现可靠系统的例子.     

基于LabVIEW的等位线反投影算法研究

本文分析了一种基于等位线反投影算法的电阻抗成像方法,并用虚拟仪器LabVIEW软件构建一个虚拟平台,实现了电阻抗成像的图像重建。结果表明在各种电导率分布下,该等位线反投影算法可以准确的对目标进行定位。     

为手中元件选择合适的元件封装格式

《电子制作》杂志面向电子技术初学者多次刊载用Protel 99 SE进行印刷电路板设计的文章,很多读者初步掌握了半自动、全自动和手工绘制单、双面电路板的技术。但有些实践经验不足的初学者,对手中具体元件到底应选用何种元件封装心中没数。本文介绍如何为手中元件选择合适的元件封装。1.打开(或新建)-PCB文件,在设计管理面板中选中"Browse PCB"选项卡,在"Libraries"下拉列表框中选取已加载的PCB元件库,在"Components"元装列表区会显示出相应PCB元件库中的元件封装。必要时使     

补偿元件对载体催化元件输出特性的影响

阐述了矿井瓦斯传感器－载体催化元件在应用中，补偿元件发挥的作用和工作原理，着重分析了补偿元件对载体催化元件输出特性的影响，探讨了提高线性补偿效果的方法。     

磁膜变感元件构成的逻辑元件

高频磁膜变感元件已经构成并加以观测,在单一偏置条件下它可有两状态或三状态操作。作为两状态元件时,磁膜变感元件可用作多数决定元件,与铁氧体磁心变感元件极为相近。另一种有用的逻辑元件是“阈”元件,在这种元件中输入激励必须达到某一最小电平才能持续振荡。在加上适当的时钟作用后,磁膜电感可当作在系统中有单向信息流的门用。由偏置磁场所控制的门的作用可由另一变感元件所整流了的输出而产生。文中描述了双元件二进加法器、二进移位计数器及移位寄存器。三状态工作的可能性也就七个元件构成的三进位加法器加以探索。     

离子注入工艺制作半导体应变片的初探

半导体应变片是利用半导体压阻效应的原理,采用集成电路工艺技术,在N型硅片上,掺杂P型杂质而形成的压敏电阻器。 通常,是将半导体应变电阻组成电桥,通过某种结构形式,制成半导体应变     

SUPREM-III进行集成电路离子注入的工艺模拟

随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断的改善,但不足之处也不断暴露出来,工艺模拟过程中没有考虑仪器本身影响。所以在工艺模拟中有必要建立一个模型,本文以离子注入工艺为例,研究沟道效应对离子注入工艺的影响,并在计算机上采用SUPREM-III完成离子注入工艺初始条件的编辑以及离子注入工艺模拟,并对模拟结果曲线进行比较。     

带反电势負載的磁放大器的动态分析

本文针对带反电势负载的磁放大器的动态过程进行了分析,并讨论了对应于负载回路中各种不同电感值的五种工作情况。系统的动特性由非线性微分方程所描述,提出了用相平面法分析过渡过程,并进行了实验验证。     

带反电势负载的磁放大器的动态分析

本文针对带反电势负载的磁放大器的动态过程进行了分析,并讨论了对应于负载回路中各种不同电感值的五种工作情况。系统的动特性由非线性微分方程所描述,提出了用相平面法分析过渡过程,并进行了实验验证。     

离子注入工艺各个参数的调整

本文以美国EATON公司的中束流注入机为例，阐述了IC芯片生产过程中离子注入工艺如何实现高质量注入；标准注入参数的调整，以及实现高速注入所应采取的各种手段，尽量发挥离子注入机的潜能，使中束流注入机也可以注入大束流，在生产上实现高速机动，加快了工艺流程。     

Flash中图形元件与影片剪辑元件的区别

在制作flash的过程中,绘制的一些静态的对象会经常多次使用,这些对象便可以制作为元件;元件是可以多次使用的对象,既包括静态的对象,也包括动态的对象,经常使用的元件有图形元件和影片剪辑元件;什么时候用图形元件,什么时候用影片剪辑元件必须区分清楚,才能用简单的方式制作复杂的动画,制作静态图形基本上没有区别,关键是制作动画片段时,图形元件与影片剪辑元件的区别;本文主讲的便是图形元件制作动画片段与影片剪辑元件制作动画片段的区别。     

铁氧体元件的精加工

一、序言 铁氧体元件一般都在烧结后的状态下使用的,但是,由于希望各种电子元件小形化,可靠性高,则还要进行第二次加工,因而就必须建立精加工技术, 在以铁氧体为原材料的元件中,我们特别可以举出磁头就是要进行超精加工的一种元件。作为高密度记录磁头,因为要求好的高频电磁变换特性,和机械耐磨强度好,所以它用铁氧体来做。     

用于电势连续分析的缓冲溶液体系的研究

利用离子选择电极及基于氧化还原的其他类型电极的电势连续分析,是一种简便易行的自动分析技术。由于测量仪器简单,响应迅速,测量范围宽,提供的电势信号可以直接处理等优点,它在临床分析、环境监测、工业流程控制等各个领域中均得蓟了具体的应用。然而,对于大部分重要的高价阴、阴离子,至今仍缺乏可以选用的电极,这就使采用直接电势法进行样品中有关成分的测定受到了限制。为此,人们提出了各种通过化学反应进行间接测定的方法,缓冲溶液法就是其中一项较有前途的技术。缓冲溶液法是利用缓冲体系的平衡移动,以不同检测手段来间接测定样品中某种特定     

XRD研究组合离子注入Si的辐射损伤

本文用 DCD法测量了注入能量为 1 80 Kev,不同剂量 ,不同退火温度的 N+ 2 /As+组合注入 Si样片。用 XRD动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线 ,得到组合注入层的辐射损伤度 ,并讨论了损伤层在不同退火温度下的恢复情况。结果表明 :剂量为 5× 1 0 15ion/cm2时 ,注入层的衍射曲线出现双峰 ,次峰在主峰左侧 ,说明晶格膨胀且有非晶层形成。退火温度达 90 0℃时 ,衍射线为单峰 ,说明这个退火温度使层结构恢复为连续结构 ,且组合注入的辐射损伤在相同剂量下是单束注入的三倍多。