蒸发冷凝法制备纳米粉体反应容器中的温度场研究

采用自行研制的纳米粉体的试验装置,制备了表面包覆的金属(合金)纳米粉体。对真空反应容器中的温度场进行了数值模拟,并从温度场的角度对纳米粉体的制备工艺进行探讨。研究表明,加大电弧加热功率,可加快蒸发速率,但过高的功率将对纳米粉体的生成造成不利影响;采用本文的冷却结构,水冷已有较好的冷却效果,若换用更强的冷却介质如液氮,则需对装置的结构进行更新。     

蒸发冷凝法制备纳米粉体实验装置的研制

阐述了纳米粉体的制备和表面修饰的基本方法及蒸发冷凝法制备纳米粉体的基本原理。详细介绍了蒸发冷凝法制备纳米粉体实验装置的研制过程，包括真空的获得、加热方式的选择、真空容器的设计等。     

气敏传感器SnO_2纳米粉体的制备方法及研究进展

详细介绍了SnO2纳米粉体的制备方法,其中包括了溶胶-凝胶法、微乳液法、化学沉淀法、水热合成法等以及各种方法的优缺点,并进一步阐述了一些新的SnO2制备方法,同时展望了纳米SnO2粉体的发展前景,纳米SnO2粉体将向制备简单化、功能完善化、应用多样化的方向发展。     

制备工艺对掺铕ATO纳米粉体性能的影响

采用化学共沉淀法制备了掺杂稀土铕的ATO纳米粉体。运用X射线衍射（XRD）测试方法对ATO粉体的结构进行表征,研究了滴定终点pH值、反应温度和热处理温度对粉体晶型结构、粒径和导电性能的影响,发现pH值为9、反应温度为60℃、600-700℃热处理温度下得到粉体的性能最佳。此温度下制备的ATO粉体的晶型结构较完整,粉体的电阻率为280Ω.cm,颗粒尺寸为33-34 nm。     

纳米粉体制备方法的研究

纳米粉体具有独特的性能而被广泛应用.其制备方法的研究已经成为材料研究领域的重要内容.本文对纳米粉体的制备方法进行了研究,总结出各种方法的利弊.     

温度传感器测量制冷系统蒸发与冷凝压力的新方法

在制冷、空调系统自动控制中，通常以蒸发和冷凝压力作为被控对象，故压力传感器被广泛采用。为降低传感器成本，在小型房间空调器系统中采用冷凝器和蒸发器两相区的温度来反映系统的冷凝、蒸发压力；对于较大容量的多室内机直接影响胀式空调系统（VRV空调系统），如今一般采用两个压力传感器来分别检测压缩机的吸、排气压力。这里利用制冷循环特性提出了一种用2只温度传感器来代替两个压力传感器检测压缩机吸、排气压力的“压缩机吸、排气压力检测回路”，实验结果表明，该回路在压缩机吸气过热度为2－15℃范围内，其动、静态特性均能较好地检测压缩机吸、排气压力条件下的饱和温度，可代替两只压力传感器应用于较大容量的制冷系统。     

徐州地铁七里沟站蒸发冷凝系统应用分析

传统地铁的空调系统一般采用"水冷螺杆冷水机组+冷却塔"的组合形式,而冷却塔作为冷站的重要组成部分,存在耗水、耗电、占地面积大、协调难度大、噪声污染等诸多缺点。为较好地解决徐州地铁七里沟站冷却塔设置困难的问题,结合七里沟站的站型特点,采用蒸发冷凝空调系统,对蒸发冷凝系统的两种设置方案进行了分析,解决了冷却塔设置难度较大的问题。     

地铁站直膨式蒸发冷凝空调系统效率分析

主要介绍了地铁站直膨式蒸发冷凝空调系统的组成及运行原理,并运用(火用)效率的分析方法推导出该系统的(火用)效率计算方法。计算了传统集中式水冷中央空调系统和直膨式蒸发冷凝空调系统在地铁站中夏季制冷工况下的效率,得出了直膨式蒸发冷凝空调系统(火用)效率高的结论。     

SiC纳米粉体的高能球磨制备方法

以工业SiC粉末为原料，用高能球磨机制备了SiC纳米粉。用扫描电镜、X射线衍射仪对球磨后的粉末进行了形貌观察和相结构分析，统计了SiC粉体尺寸随球磨时间的变化规律。结果表明，随着时间的延长，粉末逐渐细化至纳米级，可以细化到30nm左右，但球磨时间超过25h后粉末颗粒继续细化的速度明显放慢。     

低蒸发温度压缩冷凝机组试验装置的研究

介绍了压缩冷凝机组试验装置的试验方法,分析了低蒸发温度试验装置的特殊性,提出了建立低蒸发温度的制冷压缩冷凝机组性能试验新装置的方法以及应用的实例.     

溶胶-凝胶法制备铁电薄膜的研究进展

溶胶-凝胶法是制备铁电薄膜的一种重要方法。综述了溶胶-凝胶法制备铁电薄膜的原理、工艺过程、特点,以及采用此方法制备出的某些材料的铁电性能。最后指出,溶胶-凝胶法制备铁电薄膜工艺仍需优化和改进,薄膜的质量亟待提高,以适应器件的要求。     

草酸盐共沉淀法制备NiCuZn铁氧体纳米粉体研究

采用草酸盐共沉淀法制备NiCuZn铁氧体粉末。用化学共沉淀法制备了纳米复合物前驱体,分别在500、600、700、800、850℃下进行热处理,得到NiCuZn铁氧体粉末。采用TG-DSC、X射线衍射(XRD)和TEM对所制备的样品进行表征及分析。结果表明,热处理后样品形成了很好的尖晶石铁氧体纳米晶.平均晶粒尺寸约为50～60 nm;同时也发现热处理温度对晶粒尺寸有显著影响。     

采用MOCVD方法的GaN薄膜制备试验研究

介绍了使用本实验室自制的MOCVD设备,以蓝宝石材料作为衬底,按照MOCVD方法设计的GaN薄膜制备试验.衬底入炉后先在1150℃的H2气氛下烘烤20min,然后降温至540℃、550℃、560℃、570℃和580℃生长20nm厚的GaN缓冲层,再升温至1100℃生长GaN外延,外延的厚度约为3μm.缓冲层生长温度为570℃时,样品外延的生长质量最好.     

铜基复合材料制备工艺的研究进展

高新科技的快速发展对高性能铜材料的开发提出了更高的要求,铜基复合材料因具有较高的强度和良好的导电导热性、耐磨耐腐蚀性、高温稳定性等而得到广泛的应用,其制备工艺在不断发展,且近年来取得了很大进展.综述了铜基复合材料主要制备工艺,包括粉末冶金法、铸造法、机械合金化法、内氧化法、原位合成法、熔体浸渗法和搅拌摩擦法等的特点及其研究进展,并对铜基复合材料制备工艺今后的发展方向进行了展望.     

数值分析应用于材料摩擦学的研究

综述了数值分析方法应用于材料摩擦学的研究进展,探讨了数值分析在材料摩擦、磨损过程中的应用,以及在摩擦过程中温升及能量消耗研究中的应用.     

超疏水表面制备技术的研究进展

具有非润湿和自清洁特性的超疏水表面由于其广阔的应用前景而引起人们的极大关注.介绍超疏水状态下Wenzel和Cassie-Baxter 2种接触模型及其相互关系,讨论2种模型下表面微细结构对接触角的影响.从构造表面微细结构和低表面能物质修饰2个方面总结近年来超疏水表面制备技术的研究进展,并对超疏水表面的研究进行展望.     

激光作用下纳米SiC陶瓷材料制备研究进展

综述了基于激光能源的纳米SiC陶瓷材料制备研究现状,包括零维纳米SiC离子、一维纳米SiC晶须、二维纳米SiC薄膜和涂层以及三维纳米SiC块体等的制备;介绍了相关的各种激光制备方法如激光诱导气相沉积法、激光熔覆法、激光消融法、激光退火法和激光重熔法等,并对其发展前景作出展望。     

纳米改性金属陶瓷刀具材料最佳纳米粉添加量的研究

提出了将纳米TiN粉体添加到常规的金属陶瓷中来制备纳米TiN改性金属陶瓷刀具材料的新方法,着重对最佳的纳米TiN的添加量进行了研究。对含不同纳米TiN添加量试样的力学性能测试表明,不同的纳米TiN添加量对所研制的金属陶瓷刀具材料的力学性能的影响是不同的,当纳米TiN添加量在6%~8%时,可获得较好的综合力学性能。分析了不同的纳米TiN添加量对材料微观组织的影响。