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基于TSMC0.13μmCMOS工艺,对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究。在分析中引入了保角映射等数值方法,给出了有效介电常数εeff、特征阻抗Z、单位电容C等传输线指标随几何参数变化的计算公式。并设计了特征阻抗分别为50Ω和70Ω的共面波导传输线元件库。采用Short-Open-Load-Thru(SOLT)校准测试技术对片上传输线元件库进行测试。在0.1~40GHz范围内,测试结果与数值分析解吻合。这为在硅基上进行RFIC设计提供了一个合理选取传输线结构的方法。 相似文献
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随着通信技术的不断发展,无线电技术中的微波有源、无源部件的研究对于提高卫星通信系统以及雷达系统的性能具有非常重要的意义。本文主要围绕无线电收发信机中的微波有源、无源部件,结合微带传输线理论提出了抑制杂波的SIR电容藕合微带带通滤波器结构,详细分析了SIR谐振器结构通过调整谐振器的阻抗比实现杂波频率控制的机理,给出了SIR电容藕合带通滤波器的仿真结果。 相似文献
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对薄膜支撑空腔型微屏蔽传输线进行分析,提出微屏蔽传输线的物理结构。为了验证微屏蔽传输线在毫米波应用的优势,利用类比平行耦合微带线滤波器的方法设计了一种4阶切比雪夫三线对称结构微屏蔽线滤波器。通过对该微屏蔽腔体结构进行HFSS仿真,得到中心频率35 GHz的宽带滤波器,带宽15 GHz,带内插损小于0.5 dB,带外抑制>40 dB@53 GHz,器件尺寸8.24 mm×1.5 mm×0.65 mm。该设计为基于平面传输线的滤波器在毫米波频段的实现提供了一种可行的方法。 相似文献
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Kevin Gingerich 《电子产品世界》2006,(19)
介绍RS-485是一种分布参数电路,其电气特性及响应主要由物理介质的分布电感及电容*决定。此处的介质指的是互联线缆或导电路径、连接器、终接器以及连接到总线的Rs-485器件。连接到总线的电容数量及其间距可以根据以下分析结果定夺。开始近似计算,空载RS-485总线上任一断点的传输线特性阻抗可由下列等式推出,其中L为每单位长度的电感,C为每单位长度的电容。Z=(L/C)/2当电容以器件及其互连件形式连接到总线时,总线阻抗低至Z′,使得介质与总线负载都分之间的阻抗不匹配当输入信号渡到达该阻抗不匹配点时,信号将会衰减(或放大)。阻抗不匹… 相似文献
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把两付平行双导体对称平行放而成的四导体结构称为双线时,实际应用时仍把其中两根导体作为一付传输线,即双线对包含两付平行传输线,本文分析双线对中一付传输线的行性阻抗,即一付传输线在另一付传输线存在时的特性阻抗。本文首先利用矩量法求出导体表面电荷密度和单位长度电容,然后获得双线对中平行双导体的特征阻抗,本文中的双线对可分为两类,他们分别由四根尺寸相同的圆柱导体和矩形导体构成。当计算这两类导体表面电荷密度时分别选取三角函数和脉冲函数作为展开函数。本文最后给出两类双线对中平行双导体特性阻抗的计算值。 相似文献
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基于SMIC 0.18μm RF-CMOS工艺,设计了一种采用垂直地平面共面波导(VGPCPW)传输线的片上30 GHz带通滤波器。通过对传统CPW和VGP CPW两种不同结构传输线的理论研究,对比分析了两者的损耗、特征阻抗及隔离特性,建立了VGP CPW长度可扩展的传输线模型。使用特征阻抗为50Ω的低损耗VGP CPW传输线结构,结合VGP CPW长度可扩展模型与EM分析方法,设计了30 GHz带通滤波器。在片测试结果表明,该毫米波VGP CPW传输线滤波器模型仿真和电磁场仿真S参数曲线与测试结果比较吻合,可为毫米波集成电路滤波器设计提供借鉴。 相似文献
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利用电容加载传输线缩短理论,重新设计腔体滤波器的内部结构,利用T型梳状结构实现加载电容,减小腔体尺寸。仿真设计并实际加工出一个中心频率为2.4GHz的带通滤波器。在保持普通腔体滤波器高功率容量、小差损、高带外抑制等优点的基础上有效减小滤波器体积,从而有利于其小型化应用。 相似文献
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通过利用微带到共面波导的多层耦合结构,设计并制作了一种新型的左右手混合（CRLH）传输线。在该结构中,串联电容可以方便的通过上下两层金属导体之间的耦合加以实现,克服了传统的共面交指电容的电容值有限并且调谐复杂的缺点。同时也研究了判断左手通带的方法,并将该方法应用到所设计的结构中,结果表明该传输线结构具有相对较宽的左手带宽并且在左手通带内匹配良好。 相似文献
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一种用于毫米波的共面波导间的宽带互联结构 总被引：1，自引：0，他引：1
在多芯片组件中,微波传输线间一般使用金丝键合的方式进行连接。受金丝自身的等效电感和其与基板及壳体间存在的寄生电容的影响,键合金丝结构在毫米波频段下带来了较大的阻抗失配。为了解决该问题,文中从等效集总元件角度出发,对阻抗变换公式进行了推导,分析得出串联低阻抗传输线可以等效为并联集总电容的结论,可以与键合金丝的等效模型一起,构成等效低通滤波器,完成阻抗匹配。文中使用共面波导结构制作了键合金丝匹配结构测试件,测试结果显示,在30～40 GHz内S_(11)<-20 dB、S_(21)>-0.2 dB,具有优良的传输性能。该结构具有较强的实用性,可以用于毫米波频段下的微波组件设计。 相似文献
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《电子元件与材料》2017,(9):43-48
为降低电容制作成本,采用丝网印刷的方式在柔性PET基底上印制出可用于较高频段范围的叉指电容。首先利用电磁仿真软件设计出叉指电容的结构;然后通过实验研究了工艺参数对印刷薄膜电阻值的影响和油墨种类对印刷叉指电容阻抗特性的影响,确定合适的丝网印刷工艺参数和导电性能良好的油墨;最后,采用上述油墨和工艺参数印制了不同结构参数的叉指电容,测试了其阻抗特性,分析了不同结构参数对其阻抗特性的影响。实验结果表明:印刷叉指电容的阻抗特性与理论仿真结果一致;叉指电容所有结构参数中,指的长度和指的个数对其阻抗特性影响较大,印制的叉指电容在100~600 MHz范围内具有较好的阻抗特性。 相似文献
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采用集成电路工艺设计了两款Ruthroff型传输线变压器,其相应的阻抗比分别为1∶4和1∶9。基于TSMC 180nm CMOS工艺参数,传输线变压器采用ADS Momentum软件进行电磁仿真。结果表明:1∶4传输线变压器的1 d B带宽为6.3 GHz,插入损耗为0.56 d B;1∶9传输线变压器的1 d B带宽为7 GHz,插入损耗为0.55 d B,可以应用于宽带功率放大器的设计,实现负载阻抗的转换。 相似文献
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针对三维集成电路中的关键技术硅通孔的电特性,使用传输线理论提取了其单位长度RL-GC参数。将硅通孔等效为传输线,利用HFSS仿真结果并结合传输线理论给出了具体的参数提取方法。计算结果表明,硅通孔单位长度RLGC 参数呈现较强的频变特性,当频率从1 MHz增加到20 GHz时,单位长度的电阻和导纳分别从0.45 mΩ/μm和2.5μS/μm增加到2.5 mΩ/μm和17μS/μm,而单位长度电感和电容分别从8.7 pH/μm和8.8 fF/μm减小至7.5 pH/μm和0.2 fF/μm。与传统的阻抗矩阵和导纳矩阵提取方法相比,该方法具有结果绝对收敛和适用频率高等诸多优点,可进一步应用于三维集成电路的仿真设计。 相似文献
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汪业衡 《光纤与电缆及其应用技术》1983,(2)
利用导体表面电荷密度的截短富里埃展开式,计算了屏蔽双线传输线的电气特性。公式考虑了由于导体间距较小所引起的邻近效应。给出了传输线单位长度电容、电阻和衰减以及特性阻抗的参数曲线。讨论了平衡模传输和纵向模传输,求出了每种模最小衰减的传输线尺寸。模型传输线的电容测试值与理论值相当一致。 相似文献
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《微纳电子技术》2019,(8)
研究了一种新型的MEMS超宽带铜基微同轴传输系统。设计了特性阻抗为50Ω铜基微同轴传输线结构,其仿真电压驻波比(VSWR)在DC～110 GHz内低于1.15。且设计了可用于探针台测试和芯片金丝键合的地-信号-地(GSG)转接结构,仿真插入损耗低于0.1 dB。采用该微同轴结构和GSG转接结构设计了用于探针台测试的直通-反射-传输线(TRL)校准套件,利用薄膜工艺加工得到了铜基微同轴传输线及校准件实物,通过实验测试得到该微同轴传输线DC～40 GHz最大插入损耗为0.35 dB/cm,通过仿真拟合推算其110 GHz下的插入损耗约为0.65 dB/cm,该插入损耗性能显著优于平面印刷传输线,同时,该微同轴传输线的体积远小于波导传输结构,可以用于研制小型化、高性能、高集成密度微波/毫米波系统。 相似文献
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对常用的50Ω、75Ω标准阻抗进行了分析,从传输线的功率传输能力和信号通过传输线的衰减这两方面讨论了其作为标准阻抗的原因。建立了分析功率传输能力的模型,以传输线承受的电场强度和传输线阻抗推导出功率传输的方程,求出最佳值。同时,运用微分分析方法,建立了微分有损传输线模型,进行了信号通过传输线中损耗的分析。 相似文献
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