第三代16Mb DRAM芯片尺寸为60～65mm~2

据报道，第三代16MbDRAM芯片尺寸非常小为60～65mm2，日立制作所已从1995年3月起开始销售样品。在1块芯片上可制作字结构X1，X4，X8位。从1995年第三季度开始，该公司在那河地区的新生产线也能批量生产。同样芯片面积的16MbDRAM韩国三星电子公司也在开发，预计年内可出售样品。第三代16Mb DRAM芯片尺寸为60～65mm~2@一凡     

64M DRAM的第二代版问世

据报道，日本东芝公司、美国IBM公司和德国西门子AG三公司共同开发256MDRAM，还共同开发64MDRAM的第二代版。并已研究了设计尺寸和芯片面积，可封装在400密尔管壳中（1密尔等于＝25．4μm），把共同开发256M的技术用于64MDRAM中，采用为道单元技术，扫描曝光拉术，化学机械研磨     

三菱电机公司开始销售16Mb SRAM的样品

日本三菱电机公司根据JEDEC标准已制成二种16MbSRAM的产品——“M5M4V16807A”，“M5M4V164O7丸’，并于1994年2月开始销售。产品结构：I“07A为ZM字节X8位，16407A为4M字节”4位。工艺采用0．SPinCMOS，二层铝布线。电源电压为单一3．3V，CPU的钟频为100MHz，由于把数据寄存器输出弓！线间的数据总线做成Th段流水线，已实现gns以下数据传输时间。另外，在芯片内部采用装载128位数据寄存器的寄存器方式，在IO6MHZ的频率下可稳定工作。耗散电流在脉冲工作时为150mA，在待机时为2．smA（豆obMHz，VC。为3．6V），在自恢复…     

利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM

利柯公司已研制成低压高速工作的4M屏蔽ROM“RS534340F”，并从1994年4月开始销售。现在开发的屏蔽ROM采用0．sqmCMOS工艺。由于开发在独特分段法和宽范围工作的读出放大器，电源电压为3．3V土0．3，已实现最大存取时间为150us，另外，工作电流为50mA，同时也实现待机时耗散电流为30if人总线宽度是x8／x16替换方式。最适宜的用途是电流驱动的信息通信机。封装为40条腿的PSOP，样品价格为10D0日元，开始生产规模，日产为IO万块。利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM@一凡…     

飞速发展中的64MbDRAM技术

据《国际半导体》（英）杂志1995年第8期报道，由ICE公司微电子实验室（ICE，苏格兰、亚利桑）的分析表明，早期主要的64MbDRAM是采用0．35μm工艺技术（见表1）然而ICE工程师相信这些半导体制造商在1998年每月的产量将超出500000片，并将采用0．25μm技术。例如，在最近的国际固体电路会议上发表的第二代日立一德克萨斯仪器公司64MbDR－AM，其芯片面积为143．87068mm2，存取时间为29ns。采用了0．25μm、叁阱、三层金属化布线，多晶硅化物栅，9nm栅氧化层的制作技术。在评述新出现的64MbDRAM技术时，ICE公司的技术专家们认为：…     

三菱公司销售达到MPEG2标准的译码LSI

据《半导体世界》杂志（日文）1994第14期报道，三菱电机公司已制成达到国际标准MPEGZ的实时译码LSI，并已开始销售样品。新产品不仅可附加外部的DRAM，而且还可在1块芯片上实现MPEGZ的译码器的功能。采用0．SPinCMOS工艺，最高工作频率为27MHz（输入钟频为54MHz），耗散功率在ZW以下（3．3V工作）。另外，根据具有1符号／1周处理能力的译码器电路的引入和三级延迟缓冲器，可作到最高18MbPS的压缩位流的实时译码。封装采用208条腿的塑料QFP，样品价格为5万日元／块。三菱公司销售达到MPEG2标准的译码LSI@一凡…     

瑞萨科技推出包含QzROM存储器的8位微控制器M37544G2A芯片

瑞萨科技公司近日宣布推出8位微控制器 M37544G2A,这是在7544系列中纳入了 QzROM存储器 (瑞萨科技公司的名称)的产品。 QzROM是一种新研制出来的可编程存储器。由于芯片中使用这种新研制出来的可编程存储器,交货时间可以比以前更短。将于2004年8月3日开始在日本提供样品。瑞萨科技计划扩大在芯片上包含QzROM存储器的“QzROM微控制器”产品线。 M37544G2A是第一个问世的这种产品。M37544M2、包含掩模ROM存储器的M37544G2及一次可编程(OTP)的产品是用于家用电器和移动设备的7544系列8位微控制器,而M37544G2A 是继这些产品之后的…     

空气洁净技术的现状与发展动向

自1987年第一块256K超大规模集成电路问世以来到现在,已商品化生产1M、4M动态随机存取存储器蕊片,眼下日本、美国和西德等国又在生产16M以及64M的这种芯片。这样,各国为了确保产品的质量和可靠性,对环境空气中的尘埃粒径控制就提出了更高更精的要求,因而又促进了洁净技术的     

Winfast 3D S325

使用Riva TNT2 M64芯片组的3D显示卡,功能比Riva TNT2标准版低一些,但使用的内存数目一样,而且价格便宜很多。     

三洋公司开发出9种小型表面安装管壳

据《半导体世界》（日文）1994年第8期报道，三洋公司现已开发出9种可装载厚2．smm、SOW级的高输出器件小型表面安装“ZP”管壳，已开始出售样品。目前，开关电源的发展速度相当迅速，开关速度年年在提高，正向小型、轻量、高效化方向进展。以往，大部是使用TO－220系列的表面安装管壳SMP。然而，目前插件板所用的DC／DC变换器所要求的高度标准为8～gmm，其中，部件的最大高度必须在4mm以下，而SMP的厚度为4．smm，因而已不符合要求了。这一次该公司所开发的小型表面安装ZP，与SMP相比，安装面积约减少了20％，厚度减少了40％，因…     

三菱电机公司强化国外生产16Mb DRAM

日本三菱电机公司加强设在国外的半导体工业，计划在1996年上半年把16MbDRAM的产量提高到月产330万块。特别引人的地区是欧洲和亚洲。在欧洲，设立在德国的三菱半导体欧洲公司（MSE）新建生产16MbDRAM的203mm前道生产线。新生产线的生产能力：16MbDRAM月产为150万块。并从1997年第1季度开始批量生产。另外，1994年11月在台湾合资成立功率芯片半导体公司，从1996年第二季度起开始批量生产16MbDRAM。三菱16MbDRAM的产量到1994年底月产为200万块。现在，西杂工厂152／203mm生产线正生产，因仅能满足需要约50％（平林庄司常务语），…     

三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器

据《电子材料》杂志1996年第2期上报道，三菱电机公司和日立制作所共同开发了16M位DINOR型闪烁存储器，现在已开始出售样品。DINOR型存储单元是三菱电机公司单独开发的，它具有NOR型的高速性和NAND型的高集成性等两大特点，同时也是能够实现低功耗化的单元。使用这个单元．在原来采用单电源实现低功耗化较为困难的闪烁存储器中，在世界上首次同时实现了3．3V单电源化和高速随机存取80ns（最大）。另外，还考虑到易于使用等功能。三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器     

三洋电机公司开发长时间声音录音再生LSI

据《电子材料》杂志（日文）1994年第9期报道，日本三洋电机公司已制成长时间固态录音再生LSI的新产品LC850llE（低电压版）和LC85020E（高效率符号版），并开始销售。LC85011E首先在3．3V下工作，可应用标准低压的DRAM，研制适用于不用音源的高音质录音再生的MSBC－APB算法。用于小型便携设备的录音再生。LC85020E，加上不用音源的MSBC—APB算法，重点是人的声音录音再生，开发并装载比以前该公司高1．5～2倍压缩的MSBC—TDC算法。三洋电机公司开发长时间声音录音再生LSI@一凡…     

富士通出售16M位快速存储器,与AMD共同开发,芯片尺寸为87.12mm~2

据《SermiconductorWorld》Vol．13，No．12报道：富士通公司业已开发5V单电源的16M位快速存储器[MBM29F016]，现已出售样品。该公司看到了快速存储器的需要量逐渐增加的趋势，决定与AMD成立联合公司共开始开发这种产品，16M位快速存储器是其第一批拳头产品。新产品使用负栅擦除技术，实现了5V单电源的同时，采用设计规范为0．5m的CMOS技术，实现了芯片尺寸为87．12mm2（9．68mmx9.00mm）的愿望。另外，即使是在随机读出的场合下，读出时间最大为90ns，器件在进行擦除和写入期间，解放CPU是可能的。改写次数可保证在10万次左右，…     

双或非(DINOR)16M快闪存储器和1G DRAM电路技术

据《国际半导体》杂志（英文）1995年第8期报道，三菱公司和日立公司已联合开发了一个3．3V单电源的DINOR（双或非）快速存储器。三菱公司还开发了一种适用于1GDRAM芯片的低功耗、高速DRAM电路技术。常规的NOR（或非）快速存储器使用CHE单元写入，这种结构用单电源供电是困难的。与非芯片的迭式存储单元减少了连接点，从而降低了随机存取性能。而双或非结构因结合了两种方法的优点，从而达到了消除瓶颈的目的。用3．3V单电源的双或非16M快速存储器，最主要的革新部分在于晶体管被做成单元，提供32个门单元，每64k字节为一组。芯片…     

面对3G,专家们如是说——第二届中国IMT-2000与3G移动通信国际论坛专家观点荟萃

中国在第三代移动通信标准的研究上已取得重大成果中国通信学会会长林金泉在开幕式讲话中说，第三代移动通信系统是当今通信领域的热点，而欧洲诸国掀起拍卖3G运营执照的热潮，进一步引起了人们对第三代移动通信的热切希望。然而，从今年年初开始，情况似乎出现了微妙的变化，特别是一向被看好的日本NTT DoCoMo公司宣布推迟第三代移动通信商用服务，给全球翘首以待的热情泼了一瓢凉水，更增加了人们的疑虑。好在在风云变换的通信市场中，各运营商对3G的态度并不一样，最近在法国尼斯和中国香港都相继召开了3G国际研讨会，对第三代移动通信的市场、业务、应用以及其他相关问题进行了深入的研讨。我们有理由相信，第三代移动通信目前面临的困难可以克服，障碍能够跨越，我们对3G时代的到来仍然充满信心。林金泉在讲话中说，中国是移动通信最大的市场。2000年我国新增移动电话用户4200万户，占世界新增用户的1／4左右，到2001年6月底我国移动用户总数达到了1．16亿户。我们计划通过第十个五年计划，到2005年使移动电话数达到2．55亿户。与此同时，我国在第三代移动通信标准的研究上取得了重要的成果，TD－SCDMA获得国际认可，成为国际标准之一，LAS－...     

最近的半导体工艺技术的发展

批量生产的第一代超LSI 以半导体存储器为中心的动态(D)RAM,目前已从16K位发展到64K位,静态(S)随机存取存储器从4K位发展到16K位,完成了对第一代超大规模集成电路器件的开发,经用户试用和确认结果合格,最终进入了实用化阶段。 目前,一部分公司业已发展了256K位动态随机存取存储器,64K位静态随机存取存储器等所谓第2代正式超大规模集成电路器件,由今年春季开始已部分地投入市场。至今为止,仅在2年之中,集成度扩大了四倍,然而,由16K位过渡到64K位器件则需要3.5～4年左右。理由是     

M5K416S型自备刷新功能的64DKRAM器件

1980年,各公司都制作出了64K动态RAM(64K DRAM)样品,1981年将进入批量生产的竞争时代。 三菱电机公司于1979年11月开始提供5V单电流工作的高性能64KDRAM样品,其后又对其规格、特性和质量作了改进,1980年9月制作成功质量与16KDRAM一样的高性能64K DRAM(产品型号:M5K 4164S),并已达到批量生产水平。     

顶坚经济型显卡 TNT2 M64显卡

顶坚的TNT2 M64显卡使用NVIDIA Riva TNT2 Model64(M64)显示芯片,支持AGP4x/2x接口,内建300MHzRAMDAC以及128位TNT双贴图架构。配备32MB SDRAM,分辨率在60Hz画面更新频率下,最高可达2048×1536×16bit,若指定使用75Hz的画面更新频率,则最高为1900×1200×32bit。 TNT2 M64显卡提供超频功能,通过所附的“顶坚双引擎超频程序”,使用者可轻松地超频显卡。所有的3D性能测试,为了公平起见,一律使用     

尔必达宣布开始销售采用TSV技术制作的DDR3 DRAM样品芯片

日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用硅通孔互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相当1GB容量),该三维芯片中还集成了接口功能芯片。