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用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为10nm的 a-Si_3N_4纳米粒子,对不同浓度的 a-Si_3N_4纳米粒子溶液进行了紫外吸收及荧光光谱测试,并首次在3.0~4.1 eV范围发现6个荧光峰.根据吸收及荧光光谱研究其能级结构,描述了a-Si_3N_4纳米粒子的物理结构图像,验证了硅悬挂键Si~O在a-Si_3N_4纳米粒子光谱性质中的主导作用. 相似文献
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本文介绍了用于测量a-Si:H隙态密度的空间电荷限制电流(SCLC)法,并报道了采用此方法对PECVD方法制备的a—Si:H材料隙态密度的测量结果。对n+a—Si:H/a—Si1H/n+a—Si:H结构的样品,测量得到费米能级上0.16eV间的欧态密度分布为1015~1018(cm-3eV-1)。 相似文献
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本文主要是以SiH4、N2O和Si3H4、NH3、N2作为气体源,在平行板电容耦合式淀积设备上,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2-Si3N4复合钝化膜。 相似文献
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测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,撮由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法,由此法测现的a-Si:H的电荷放大增益,在10^5V/cm电场下,高达4.3×10^3、本文从能态图讨论了a-Si:H中电荷放大效应的产生过程。由测量的增产佃值计算了电子迁移率与寿命之积。 相似文献
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一种简便有效的多孔硅后处理新方法 总被引:5,自引:0,他引:5
本文报道了一种简便有效的多孔硅(PS)后处理新方法,即在(NH4)2S/C2H5OH溶液中浸泡PS,并用紫外光辐照激发.后处理PS的光致发光(PL)强度约为未经处理的5倍;样品处理后的PL峰值90min内随激光连续激发时,在大气中呈现先指数衰减后线性增长,在真空(约1Pa)中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点.通过样品的傅里叶变换红外吸收(FTIR)谱的测试与分析,表明后处理在样品表面产生了SiH(O3)、Si-O-Si和Si3N4三种提高PS的PL强度和稳定性的优质钝化膜 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能。现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10 ̄(-4)Ω-cm ̄2的接触电阻。所以f_T和f_(max)的最高实际值仅分别为4.4GHz和3.2GHz。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到1×10 ̄(-6)Ω时,则6H/3CSiCHBT的f_T和f_(max)分别可达到31.1GHz和12.76Hz。 相似文献
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ECR—PECVD制备Si3N4薄膜的特性及其应用的研究 总被引:3,自引:1,他引:3
本文利用ECR-PECVD技术在不同沉积温度下制备了Si3N4薄膜,利用Si3N4薄膜的透射光学强度曲线计算了Si3N4薄膜的折射率和膜厚,计算结果与实测值符合较好。结果表明,随着帝积温度的提高,Si3N4薄膜的折射率增大,致密性提高,Si3N4薄膜厚度在60mm直径范围内不均匀度小于5%,测定了Si3N4薄膜的显微硬度,利用荧光分光光度计测定了Si3N4薄膜的光致发光效应,初步进行了Si3N4薄 相似文献
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本文报道了用快速加热化学气相淀积方法,乙烯(C2H4)作为C源在Si(100)衬底上生长Si1xyGexCy合金薄膜的实验结果.经喇曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外光谱(FTIR)测量表明:我们成功地制备了具有一定代位式C含量的Si1xyGexCy合金薄膜材料,较低的生长温度和较高的SiH4/C2H4流量比有助于提高代位式C含量和薄膜材料的晶体质量,并且初步分析了生长过程中的化学反应动力学 相似文献
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本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态He(2~3S)原子与N2H4分子碰撞传能,观察到了激发态产物NH(A3Π→X3∑+)、 NH(c1∏→a1△)、 NH2(A2A1→X2B1)的发射光谱,由相对光谱强度求得了形成各产物的通道比;分析 NH(A3∏,v′= 0)的转动分辨谱的结果表明,v′=0能级上的转动布居是“双模”分布, 激发态产物 NH(A)、 NH2(A)的形成机理可能是: He(2~3S+N2H4→N2H4→NH(A)+NH2(A)+H. 相似文献
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氮化硅晶须显微结构的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用透射电子显微镜对气固相法制备的α-Si_3N_4和β-Si_3N_4晶须的显微结构进行了研究。实验发现α-Si_3N_4晶须具有何(1010),(1011)和[0001]三个生长方向,并且α-Si_3N_4晶须中有大量的生长缺陷。而β-Si_3N_4晶须的生长方向只有(1010)一个,且几乎观察不到任何缺陷。 相似文献
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在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300℃和400℃热退火后,测得了来自发光中心Er3+内层4f电子跃迁的1.54μm光致发光。400℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。 相似文献
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实验研究了自对准结构的a-Si:H TFT的制备工艺,对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析,对制备工艺和结构参数进行了合理的优化,成功地制备出自对准结构的a-Si:H TFT。对影响自对准结构a-Si:H TFT特性的主要因素进行了详细的分析,提出了一种新颖的双有源层结构的a-Si:H TFT,可以有效地改善a-Si:H TFT的开态特性,其通断电流比ION/IOFF〉10^5。 相似文献