a-Si_3N_4纳米粒子的能级结构研究

用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为１０ｎｍ的 ａ－Ｓｉ_３Ｎ_４纳米粒子,对不同浓度的 ａ－Ｓｉ_３Ｎ_４纳米粒子溶液进行了紫外吸收及荧光光谱测试,并首次在３．０～４．１ ｅＶ范围发现６个荧光峰．根据吸收及荧光光谱研究其能级结构,描述了ａ－Ｓｉ_３Ｎ_４纳米粒子的物理结构图像,验证了硅悬挂键Ｓｉ~Ｏ在ａ－Ｓｉ_３Ｎ_４纳米粒子光谱性质中的主导作用．     

a—Si3N4纳米粒子的能级结构研究

用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为10nm的a-Si     

非晶纳米Si3N4对POM的增强与增韧研究

本文报导了非晶纳米Ｓｉ３Ｎ４对聚甲醛的改性，使聚甲醛手冲击哟闰伸强度分别提高了１６０％和２５％，给出了强度与填充量的对应关系并分析了增强与增韧的机理。     

Si_3N_4膜pH-ISFET输出特性研究

通过对 pH-ISFET的长时间测量,发现器件的输出偏离 Nernst方程.提出了器件输出由快响应、慢响应和时漂三部分组成,以及器件响应与时漂数据的提取方法.证明了快慢响应的共同作用符合Nernst方程,慢响应的响应幅度小,长达数小时之久.在响应初期观察到的器件漂移,主要是慢响应造成的.     

激光法制备纳米氮化硅及其光谱特性研究

介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理,通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7～15 nm的无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体.采用透射电子显微镜观察粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象.采用双光束激励的光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.     

用双光束激发改进纳米Si3N4激光合成工艺

氮化硅(Si3N4)是优良的陶瓷材料，应用十分广泛．本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si3N4的工作原理，提出了减少游离硅的措施，采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米Si3N4粉体。     

高温多次N^＋注入硅形成晶态α—Si3N4研究

在1000℃高温下,经多次N+注入硅形成了晶态α-si_3N_4省去了常规SOI技术中的高温长时间热退火工艺。这对于简化工艺步骤、降低工艺温度和缩短工艺时间有实际意义。     

复合磁性纳米粒子Fe3O4@SiO2-Ag的制备以及在表面增强拉曼光谱中的应用

磁性Fe₃O₄纳米粒子具有很多独特的性质,如超顺磁性、小尺寸效应及宏观量子隧道效应等。这些性质使其在磁记录材料、磁流体材料、染料、催化剂和电子材料等方面显示出特殊功能。Ag纳米粒子由于粒径处于纳米尺寸,具有高的表面活性和表面能,显示出优良的催化、光学及抗菌性能。将磁性纳米粒子和Ag纳米粒子两者结合,形成Ag掺杂的Fe₃O₄磁性纳米粒子,使其既保留了Ag纳米粒子的优良特性,又拥有磁性纳米粒子的独特性质,呈现出巨大的应用潜力。在本文中,利用非电极沉积的方法将Ag纳米粒子沉积在Fe₃O₄@SiO₂磁性纳米微球的表面。通过多种方法表征了Fe₃O₄@SiO₂-Ag磁性复合纳米粒子。同时,制备了Fe₃O₄@SiO₂-Ag磁性复合纳米粒子的SERS衬底,并研究了该衬底对罗丹明6G和结晶紫的SERS活性。实验表明Fe     

络合剂DTPA对纳米磁性Fe_3O_4粒子的表面改性研究

采用表面化学修饰法由络合剂DTPA对纳米磁性Fe3O4粒子进行表面化学修饰改性,制备出具有表面螯合性能的纳米磁性Fe3O4/DTPA复合粒子。用多种分析手段对复合粒子进行了性能表征。结果表明,螯合剂DTPA对纳米磁性Fe3O4粒子进行了有效的表面修饰,通过化学键合牢固地结合在粒子表面,不仅提高了粒子的抗氧化性和耐候性,而且使该复合粒子对多种金属粒子具有螯合性能。     

微乳液法制备BaYF_5:Eu~(2+)纳米粒子及光谱特性研究

采用微乳液法制备了BaYF5:Eu2+纳米微粒,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光光谱等手段进行了表征。XRD数据与标准卡片PDF#46-39很好吻合,利用谢乐公式计算所制备产物平均粒径在20 nm左右。SEM图谱显示所制备的纳米粒子为球形,且形貌规则,粒径分布比较均匀。BaYF5:Eu2+的发射光谱中存在一个300~410 nm的发射带,发射光谱最强峰为330 nm,对应于Eu2+的4f65d→4f7发射,与传统高温固相法所制多晶材料最强发射峰378 nm相比蓝移了48 nm;其激发光谱最强峰位于263 nm,与传统高温固相法所制多晶材料最强激发峰322 nm相比蓝移了59 nm。     

ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si3N4钝化膜的应用研究

利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术将Ｓｉ３Ｎ４薄膜成功地应用于ＵＨＦ大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象，提高了成品率，分析了Ｓｉ３Ｎ４膜的钝化机理。     

Si3N4陶瓷与钢的真空钎焊研究

本文研究了Cu—Sn—Ti,Cu—In—Ti,Cu—Cr,Cu—Ge—Ti铜基活性钎料钎焊Si_3N_4陶瓷与钢。结果表明,四种铜基无银钎料均可实现Si_3N_4陶瓷与钢的连接,Cu—Sn—Ti,Cu—In—Ti的钎焊接头的剪切强度较高,它们合适的钎焊工艺参数分别为1373K×600s,1323K×600s。钎焊接头的X射线衍射分析,波谱分析表明活性钎料连接陶瓷与金属的机制是钎料中活性元素(Ti、Cu)向陶瓷界面扩散并与之发生化学反应而实现接合。     

激光烧蚀法制备NiSO4/Ni(Ac)2纳米粒子

硫酸镍与乙酸镍的混合晶体经研磨成 2 μm的颗粒后 ,压制成直径为 10mm的薄片作为靶材 ,以TEACO2 激光辐照 ,得到粒度为 10至 2 0nm的NiSO4/Ni(Ac) 2 纳米粒子 ,其中含少量Ni2 O3 。气体产物为水和乙酸。激光功率密度为 10 8W .cm-2 量级。讨论了激光作用的机理。本文提供了一种用激光烧蚀法制备其化学成分与靶材尽可能相似的纳米粒子的方法     

ZnS纳米粒子的水热法和溶剂热法制备

选用醋酸锌和硫代硫酸钠为原料,在“活性”水或甲苯中进行氧化－还原反应,制备了质量良好的ZnS纳米粒子。主要探讨在高温和高压的条件下以水或甲苯作为反应介质对ZnS粒子结构和形貌的影响。通过XRD、TEM、DSC等测试手段对ZnS粒子进行了分析。结果表明,所制备的ZnS纳米粒子粒径很小（约20nm),晶粒单一,属于立方晶系,分散性较好,结晶度、纯度较高,活性大,具有良好的应用前景;密闭高压体系有助于纳米粒子的分散和结晶度,产率的提高;与以去离子水作为反应介质相比,甲苯作为反应介质合成的ZnS纳米粒子纯度更高,分散性更好,但成本相应提高,此外,它在乙醇中的稳定性比在去离子水中的稳定性要好,粒子极性相对较低。     

激光蒸凝法制备氧化锰纳米粒子

以 15 0WCWCO2 激光器为光源 ,Mn(Ac) 2 ·4H2 O为靶材 ,采用激光蒸凝法制备出了氧化锰纳米粒子。初步研究了反应参数对纳米粒子性能的影响 ,并用X射线衍射、电子衍射、透射电镜等技术对纳米粒子的性能进行了表证 ,同时对纳米粒子的形成机理进行了初步探讨。实验结果表明 ,激光功率密度、反应压力、载气种类及流量等工艺参数对产品的粒度、晶型等性能均有影响。在惰性气氛下 ,产物主要是Mn3 O4 5 6F ,粒径分布范围较宽 (5～ 10nm和 30～ 10 0nm)且不均一 ;在氧气气氛下 ,产物主要是立方晶系的Mn3 O4 和少量的立方晶系的MnO ,粒径分布范围变窄了 (5～ 10nm和 15～ 6 0nm) ,也不均一。     

以激光烧蚀法制备金属氧化物纳米粒子

1 前言粒径为几纳米的金属和半导体微粒子与其块状材料相比具有非常独特的物理、化学性能,在从块状体到原子、分子的所谓介观领域,随着尺寸不同其特性发生很大变化。例如,在可见光领域不发射荧光的块状间接迁移型半导体硅,经过纳米粒度化后发现随着粒度不同而发射不同波长的荧光;Cds和CdSe等化合物半导体纳米粒     

以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟

为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能.对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输出电流的输出特性和温度分布用TCAD仿真软件进行了模拟.模拟结果表明,新结构SOSN的MOSFET器件沟道温度和NDR效益都得到很大的降低,表明SOSN能够有效地克服自加热效应和提高MOSFET漏电流.     

Si3N4膜对MOS电容器存储时间影响的研究

Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下，栅介质SiO2膜厚度100nm，MOS电容器存储时间420s。在50Pa真空压力下，通过淀积70nm厚Si2N4薄膜后，MOS电容器无存储时间。经900℃O2气氛退火40min，MOS电容器的存储时间也不到2s。采用声7孔径降低气体流速，从而降低淀积速率，在840℃下，栅介质SiO2膜厚度100nm，MOS电容器存储时间420s；在60．71Pa真空压力下，淀积70nm厚Si3N4薄膜后，MOS电容器存储时间曲线不正常，经900℃O2气氛退火40min，曲线恢复正常，MOS电容器存储时间达到400s以上。     

β—Si3N4晶体红外吸收系数的计算

引进偶极矩的格林函数建立了计算晶体辐射吸收系数的理论模型,并用Recursion方法求解晶体偶极矩的格林函数,对β-Si_3N_4晶体的红外吸收系数作了理论计算,结果表明β-Si_3N_4晶体在红外波段7～30μm之间有选择吸收,与已有报道一致。