808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究

用电子束反应蒸发法制备的ａＳｉ∶Ｈ膜和Ａｌ２Ｏ３膜组成的ａＳｉ∶Ｈ／Ａｌ２Ｏ３膜系,解决了ａＳｉ／Ａｌ２Ｏ３膜系在８０８ｎｍ波长有较强光吸收问题,吸收系数从２e３ｃｍ－１降低到可以忽略的程度．ａＳｉ∶Ｈ膜的光学带隙为１.７４ｅＶ左右．应用到８０８ｎｍ大功率量子阱激光器腔面镀膜上,其器件光电性能获得较大改善     

大功率CO_2激光器非平衡态合成WO_3／Fe_2O_3新型陶瓷催化剂──Ⅱ．WO_3／Fe_2O_3烯烃歧化反应催化剂的催化活性

用大功率ＣＯ２激光器熔制ＷＯ３／Ｆｅ２Ｏ３新型烯烃歧化反应催化剂。考查了催化剂组成、激光功率及熔炼时间与丙烯歧化反应催化活性之间的关系。     

掺铂TiO_(2-x)氧敏薄膜的制备和性能

以钛酸丁酯和无水乙醇分别为原料和溶剂,添加适量稳定剂制成稳定溶胶,用浸涂法在Ａｌ２Ｏ３基片上制备ＴｉＯ２薄膜,经１０００℃Ｈ２气氛下还原制得ＴｉＯ２－ｘ薄膜．最后在氯铂酸甲醛溶液中浸泡得到掺铂薄膜．实验结果表明掺铂薄膜在８００℃下具有良好的氧敏感性和重复性,薄膜在Ｎ２气氛下具有良好的电阻温度特性．本文分析了铂在薄膜中的作用原理．     

内腔式M_e~2＜1的CO_2激光器

本文报道一种等效光束质量因子Ｍ_ｅ~２＜１的ＣＯ_２激光器已研制成功，其束中心亮度比ＴＥＭ_００模的亮度高约３倍，发散角小２～３倍，输出功率与同尺寸多模激光器相比仅低５～１０％，得到了国际上首批超衍射极限输出的ＣＯ_２激光器。     

SnO_2∶Fe_2O_3混合薄膜的制备及其在丙酮蒸汽中的反射光谱

以ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ，ＦｅＣｌ３·６Ｈ２Ｏ及无水乙醇为主要原料，采用溶胶凝胶法制备了ＳｎＯ２∶Ｆｅ２Ｏ３混合薄膜，测量并研究了其在可见光区附近的丙酮气敏反射光谱。     

射频板条CO2激光器放电特性的数值研究

给出了射频板条ＣＯ２激光器α型放电集总参数等电电路模型。计算了谐振放电状态下集总参数的电路方程得到了沿激光器电极长度方向上的电压幅度和相位的分布,沿电极最小的相对电压幅度起伏约为１．２７％,由模型推导出用宏观测量参数表示的ＲＬＰ和Ｅ／Ｐｇａｓ的计算公式,不同于ＲａｌｆＭａｌｚ的结果,建立了射频板条ＣＯ２激光器的实验装置,获得了均匀射频放电和ＣＯ２激光。     

1500W高频激励CO_2激光器的研究

讨论了高频放电激励ＣＯ２激光器的基本机理，报道了最新研制成功的高频激励横流ＣＯ２激光器的基本结构、技术特点和实验结果，该激光器低阶模输出为１．５ｋＷ，光束发散角小于２ｍｒａｄ。     

1.3μm双涂层高功率超辐射发光二极管

在半导体激光器的输出端面上蒸镀ＳｉＯ／ＳｉＯ２双层减反射涂层，我们制造了１．３μｍ超辐射发光二极管，对其输出特性进行了研究，并估算了涂层的剩余反射率，得到了剩余反射率小于１０＾－３的减反射涂层。     

CO2激光器用的低吸收锗窗

根据半导体理论分析了ＣＯ２激光器锗窗的吸收。控制施主浓度和掺杂等电子杂质，可以获得低吸收锗窗。     

用VO2反射镜对激光振荡脉冲前沿整形

１　引言　　以二氧化钒（ＶＯ２）为基础的可变反射率反射镜对中红外区（λ＝３～１１μｍ）激光振荡的控制是有前途的。ＶＯ２反射镜反射率的变化是在温度变化时依靠ＶＯ２薄膜中的可逆半导体－金属相变产生的［１］。ＶＯ２化学计量薄膜的反射率在它的温度由５５°Ｃ变化到７０°Ｃ时由Ｒｍｉｎ≈１８增加到Ｒｍａｘ≈８０（λ＝１０．６μｍ）。通常为了有效地控制激光振荡要求反射率变化范围大,因此ＶＯ２反射镜和空间调制器制成多层干涉薄膜形式,其中ＶＯ２膜是控制元件［２］。多层ＶＯ２反射镜在３～１１μｍ光谱区的反射率可…     

半导体激光器端面抽运Nd:Ti:LiNbO3波导激光器理论与分析

用光束传播法（Ｂｅａｍ Ｐｒｏｐａｇａｔｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄ）计算并分析了用半导体激光器端面抽运的１．０８４ μｍ ＮｄｖＴｉｖＬｉＮｂＯ３ 波导激光器输出功率的理论模型。用Ｎｄ３＋ 的原子复极化率来描述受激辐射光的增益与抽运光的吸收,且考虑到前进与后退光波的相互作用,给出激活媒质的粒子数空间反转分布,并修改了抽运吸收和受激辐射截面的取值,使之适用于半导体激光器从波导激光器端面抽运,计算值与实验值符合得很好。     

无团聚,纳米ZrO2增韧Al2O3基陶瓷材料

本文通过微波加热ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ的醇水深液．用ＨＰＣ作分散剂．制备出无团聚、单分散的纳米水合二氧化锆。然后采用胶体工艺制备出Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２先躯体均混合的粉体。用ＸＲＤ分析ＺＴＡ的相结构。用ＳＥＭ观察断口形貌。结果发现，ＺｒＯ２均匀地分布在ＺＴＡ陶瓷中。粒径小于５００ｎｍ，并且主要以ｔ－ＺｒＯ２形式稳定存在。最后探讨了ＺＴＡ的增韧机制。     

MgF2.SrF2掺杂PZN—BT陶瓷

适量掺入ＭｇＦ２．ＳｒＦ２有效地降低了０．８５ＰＺＮ（Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３）－０．１５ＢＴ（ＢａＴｉＯ３）材料的烧结温度并得到了介电常数－温度特性接近于Ｘ７Ｒ特性标准的瓷料，在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发，用超顺电态的概念来描述。     

内腔式M^2e〈1的CO2激光器

本文报道一种等效光束质量因子Ｍ＾２ｅ〈１的ＣＯ２激光器已研制成功，其束中心亮度比ＴＥＭ００模的亮度高约３倍，发散小２～３倍，输出功率与同尺寸多模激光器相比仅低５～１０％，得到了国际上首批超衍射极限输出的ＣＯ２激光器。     

小型TEACO2激光器的锁定技术研究

对小型ＴＥＡＣＯ２激光器的注入锁定技术和混事式锁技术进行了理论分析，指出了这两处锁定 缺点，提出了一种新型的用复合腔注入锁定方法来锁定小型ＴＥＡＣＯ２激光器，给出了复合腔注入锁定的实验结果。     

用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性

本文报道利用直流反应磁控溅射技术在Ａｌ２Ｏ３上生长一层ＺｎＯ,再用ＬＰＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长ＧａＮ．实验发现低温生长ＣａＮ过渡层有利于晶体质量的提高;ＰＬ谱主峰红移到蓝光区;二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）测量发现有Ｚｎ扩散到ＧａＮ外延层,Ｚｎ的扩散引起光致发光谱主峰移动．估算出在１０５０℃Ｚｎ在ＧａＮ中扩散系数是８６×１０－１４ｃｍ２／ｓ．     

染料掺杂的SiO2基蓝光波段固体激光材料的研究

采用溶胶凝胶技术合成了掺杂蓝光波段激光染料的ＳｉＯ２基固体材料。用波长为３０８ｎｍ的ＸｅＣｌ激光器作泵浦源,横向泵浦,获得了峰值波长为４４０ｎｍ的蓝光波段激光输出。在泵浦光强度为７ｍＪ时激光输出达到０．３８ｍＪ。     

2kW横流连续CO_2激光器的工作气体以Ar代He的研究

对管板式低气压放电结构、横流连续２ｋＷＣＯ２激光器以Ａｒ气取代部分Ｈｅ气进行了研究。Ｈｅ气的取代量（掺Ａｒ量）从２０％增加到６０％，工作气压在２．９３～４．２６ｋＰａ，放电电流在３～１１Ａ的范围，激光器放电稳定，运转正常，可获得良好的输出特性，如输出功率为１．７ｋＷ，电光转换效率为１６％。     

经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性

在一定偏压下用ＡｌＣｌ３＋Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋Ｈ２Ｏ混合液对多孔硅进行了后处理．经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比,其发光强且稳定．通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析,指出在后处理样品表面形成的Ａｌ２Ｏ３与ＳｉＯｘ结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因．     

长期运行大功率CO_2激光器中工作气体研究

给出２ｋＷＣＯ２横流式激光器长期运行时激光器输出功率的衰减规律。研究了工作气体对激光器输出功率的影响；对提高大功率ＣＯ２激光器的使用寿命，作了有益的试验研究，提供了较为完整的数据。