倒装芯片中铝腐蚀的红外显微镜观测研究

倒装芯片（ｆｌｉｐｃｈｉｐ）是当前电子封装领域中的研究热点之一．本文利用新型的红外显微镜,在不破坏焊点的情况下,首次观测到一种倒装芯片封装器件经过稳态湿热试验后的铝腐蚀模式,并用一种有损失效分析的方法验证了红外显微镜的观测结果．实验发现,该倒装芯片在含有与不含有下部填充料的情况下具有完全不同的铝腐蚀模式和腐蚀机理     

高压倒装LED照明组件的热性能

高压(HX)倒装LED是一种新型的光源器件,在小尺寸、高功率密度发光光源领域有广泛的应用前景.设计了4种不同工作电压的高压倒装LED芯片,进行了流片验证,并对其进行了免封装芯片(PFC)结构的封装实验,在其基础上研制出一种基于高压倒装芯片的PFC-LED照明组件.建立了9V高压倒装LED芯片、PFC封装器件及照明组件的模型,利用流体力学分析软件进行了热学模拟和优化设计;利用T3Ster热阻测试分析仪进行了热阻测试,验证了设计的可行性.结果表明,基于9V高压倒装LED芯片的PFC封装器件的热阻约为0.342 K/W,远小于普通正装LED器件的热阻.实验结果为基于高压倒装LED芯片的封装及应用提供了热学设计依据.     

倒装芯片封装器件开封方法研究

对倒装芯片封装(Flip-Chip Package)器件开封技术进行了研究。总结了倒装芯片封装的类型、结构和封装材料；从理论上证明了倒装芯片封装器件开封的可能,并找出了限制开封的制约因素；提出了一种倒装芯片封装器件开封方法,通过X射线检查、镶嵌、磨抛和酸刻蚀的综合应用,突破了限制这类器件开封的因素,并证明了该方法的适用性；给出了建议的试验条件,并展示了开封效果。     

PCB检查的声学工具及其应用

随着电子封装技术不断朝着微型化的发展,在检查倒装芯片封装和芯片规模封装中,声学微成像技术得到了极大的应用.利用扫描探测器把超声波用脉冲输入倒装芯片或别的封装,超声波在封装中向下穿透,直至遇到两种不同材料之间的界面为止.     

倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景

本文主要论述了现代微电子封装技术中倒装片封装技术和芯片规模封装技术的结构类型,应用产品,倒装片与晶片级规模封装,并阐述了倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景。     

Ultra CSP晶片级封装

取得专利的低成本小型封装随着市场对更小、更快和不太昂贵器件需要的增长，工业上正在寻找一种使产品从导线焊接封装转到直接进行芯片连接（DCA）的解决方案。在近几年间，芯片大小的封装（CSP）已经显现出在球栅阵列（BGA）和倒装片的空隙之间架起的桥梁。由于许多设计预先考虑向DCA转移，所以已经把倒装片引入到他们的CSP或BGA封装里了。Kulicke＆Soffa工业股份有限公司的K＆S倒装片分部已经超出了传统的封装和CSP封装的范围，而转到向Ultra CSP技术发展。这种UltraCSP技术是一种晶片级（Wafer Level）CSP方案，是利用一…     

用时域反射仪对先进BGA封装中的封装故障隔离

集成电路封装技术变得越来越复杂,其制造的故障分析(FA)十分复杂。介绍了用时域反射仪对先进封装中的故障隔离技术,这种尝试是通过比较法进行研究的。通过在球栅阵列倒装-芯片(fcBGA)和低外形细节距球栅阵列堆叠芯片(stacked-dieLFBGA)封装中采用时域反射仪并在分析中卓越的实施证明了这种方法是可行的,其中包括信号质量改善以及范围选择。并使用软件模拟来观测在各种故障模式下的时域反射仪信号,以便以不同的故障模式研究时域反射仪性能。得到的观测结果有助于在封装中用时域反射仪进行故障分析隔离。     

半导体激光器不同封装下的封装应力

为研究正装和倒装封装下高功率半导体激光器有源区的应力问题,利用有限元软件ANSYS分析得到了两种封装方式下应力场分布图及有源区平行于x轴路径上的应力变化曲线。模拟结果表明,与正装封装相比,倒装封装下有源区应力变化剧烈,平均值高出正装一个数量级。并通过荧光光谱实验对比了封装前后激光器芯片的波长变化,根据半导体禁带宽度与应变关系算出两种封装下的应力大小,与模拟值相符。通过模拟和实验结果可见,芯片封装形式对芯片引入的应力有显著的差别,倒装封装下芯片有源区应力远高于正装封装。     

用时域反射仪对先进BGA封装中供封装故障隔离

集成电路封装技术变得越来越复杂，其制造的故障分析（FA）十分复杂。介绍了用时域反射仪对先进封装中的故障隔离技术，这种尝试是通过比较法进行研究的。通过在球栅阵列倒装一芯片（fcBGA）和低外形细节距球栅阵列堆叠芯片（stacked—die LFBGA）封装中采用时域反射仪并在分析中卓越的实施证明了这种方法是可行的，其中包括信号质量改善以及范围选择。并使用软件模拟来观测在各种故障模式下的时域反射仪信号，以便以不同的故障模式研究时域反射仪性能。得到的观测结果有助于在封装中用时域反射仪进行故障分析隔离．     

芯片—封装协同设计方法优化SoC设计

随着工艺节点和裸片尺寸不断缩小，采用倒装芯片封装IC器件的消费电子产品的数量日益增加。但是，倒装芯片封装制造规则还没有跟上工艺技术发展的步伐。本文介绍了用芯片一封装协同设计方法优化SoC的过程。     

倒装焊陶瓷封装失效模式分析及失效机理研究

随着封装技术的发展,倒装焊技术得到广泛的应用,倒装焊的研究也越来越广泛深入。文章阐述了倒装焊封装的失效模式,主要有焊点疲劳失效、填充胶分层开裂失效、电迁移失效、腐蚀失效、机械应力失效等。并分析了陶瓷基板倒装焊温度循环试验后的失效模式,陶瓷倒装焊封装失效的机理主要是倒装芯片焊点与UBM界面金属间化合物应力开裂失效。根据失效机理分析,进行陶瓷倒装焊工艺优化改进,试验达到了JESD22-A104C标准规定的温度循环:-65℃～+150℃、500次循环、3只样品无失效的要求。     

RFID芯片超声倒装封装技术研究

超声倒装是近年来芯片封装领域中快速发展的一种倒装技术,具有连接强度高、接触电阻低、可靠性高、低温下短时完成和成本低的优势,特别适合较少凸点的RFID芯片封装。在镀Ni/Au铜基板上进行了RFID芯片超声倒装焊接实验,金凸点与镀Ni/Au铜基板之间实现了冶金结合,获得了良好的力学与电气性能,满足射频要求。     

倒装焊接在压力敏感芯片封装工艺中的研究

胶粘引丝无法实现硅压力敏感芯片的小型化封装,无引线封装可以解决该问题。倒装焊接具有高密度、无引线和可靠的优点,通过对传统倒装焊接工艺进行适当的更改,倒装焊接可应用于压力敏感芯片的小型化封装。采用静电封接工艺在普通硅压力敏感芯片上制作保护支撑硅基片,在硅压力敏感芯片的焊盘上制作金凸点,调整倒装焊接的工艺顺序和工艺参数,实现了绝压型硅压力敏感芯片的无引线封装,为压力传感器小型化开辟了一条新路。试验结果表明该封装方式可靠性高,寿命长,具有耐恶劣环境的特点。     

文献与摘要（73）

倒装芯片安装中课题Challenges in Flip Chip Assembly倒装芯片封装技术向更薄更小更高一体化的发展方向,一些旧的方式是不符合要求的。本文介绍Amkor、STATS、TDK等一些公司新的封装技术与对载板要求。     

芯片封装互连新工艺热超声倒装焊的发展现状

介绍了一种芯片封装互连新工艺热超声倒装芯片连接工艺.在比较当前多种芯片封装方式的基础上,总结了这一工艺的特点及优越性,并详细论述了当前这一工艺的技术进展与理论研究状况,指出该工艺是芯片封装领域中具有发展潜力的新工艺.     

适合于印刷工艺的IndiumTacflux676助焊剂在倒装芯片装配过程中的应用

倒装芯片是一种无弓1脚结构的芯片互联技术,它起源于60年代,由IBM率先研发,具体原理是在I／O板上沉积焊料凸点,然后将芯片翻转加热利用熔融的焊料凸点与基板相结合,此技术代替了常规的打线接合,在封装技术的应用范围日益广泛,己逐步成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式,特别是它可以采用类似SMT技术（印刷）的手段来加工生产效率将有大幅的提升,因此倒装芯片封装技术将是高密度芯片封装的最终方向。     

微波芯片倒装金凸点热疲劳可靠性分析及优化

为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题.使用球栅阵列(BGA)封装分布为周边型排列的GaAs微波芯片建立了三维有限元封装模型,研究了微波芯片倒装封装结构在-55～125℃热循环加载下金凸点上的等效总应变分布规律,同时研究了封装尺寸因素对于金凸点可靠性的影响.通过正交试验设计,研究了凸点高度、凸点直径以及焊料片厚度对凸点可靠性的影响程度.结果表明:金凸点离芯片中心越近,其可靠性越差.上述各结构尺寸因素对凸点可靠性影响程度的主次顺序为:焊料片厚度＞金凸点直径＞金凸点高度.因此,在进行微波芯片倒装封装结构设计时,应尽可能选择较薄的共晶焊料片来保证金凸点的热疲劳可靠性.     

倒装芯片的底部填充材料和涂布

倒装芯片是当今半导体封装领域的一大热点,它既是一种芯片互连技术,更是一种理想的芯片粘接技术。以往后级封装技术都是将芯片的有源区面朝上,背对基板粘贴后键合(如引线键合和载带自动键合TAB)。而倒装芯片则是将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点来实现芯片与衬底的互连。显然,这种芯片互连的方式能够提供更高的I/O密度。     

第四十届国际微电子学术会议论文摘要选编（续一）

电子封装的预先可靠性评估和建立失效率模型;高端倒装芯片系统级封装（SiP）的第二级和第三级焊点可靠性;3-DVLSI芯片堆叠所用的组装技术;半导体封装中水汽所致失效的数值分析;高温和元素合金影响Al芯片金属化层上Au球焊互连中的Kirkendall空隙生成;高密度电场中功率晶体管管芯表面上的铝迁移.     

圆片级封装

<正> 1 引言圆片级封装(WLP)是一种先进的封装技术,它的芯片互连与测试都是在圆片上完成的,之后再切片,进行倒装芯片组装。多年来,引线键合技术一直是在电路板或衬底上粘接集成电路的一种特殊手段。WLP 是采用引线链合的最新一代生产技术。WLP 正在取代某些高密度引线键合手段,近年内有望成为一种低成本标准技术。此外,由于倒装芯片互连具有极佳的电性能,因此它将是高密度系统的