基于80C31单片机的核脉冲幅度采集简化系统

简单介绍了一种由微分过零比较峰值检测电路,集成采样保持器,模数转换器和８０Ｃ３１单片机组成的简易多道核脉冲幅度信号采集系统。     

EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应

建立商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统,利用60Co源在20rad（Si）/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值,得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出随总剂量的变化规律,从工艺和电路结构分析了敏感参数变化的物理机理,对抗辐射加固设计有重要意义。     

剂量率对MOS器件总剂量辐射性能的影响

对3种MOS器件在不同模拟源的两种辐照剂量率下进行辐照实验,研究了MOSFET阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化关系。对实验结果进行了分析讨论。试验表明：在相同辐射剂量下,低剂量率辐照损伤比高剂量率大。     

大规模集成电路单粒子闭锁辐射效应测试系统

根据CMOS器件单粒子闭锁机理,以CMOS存储器和80C86微处理器为对象,研制了单粒子闭锁辐射效应测试系统,并进行了初步的实验验证。实验结果表明,应用程序界面友好,使用方便,可用于多种辐射源下半导体器件单粒子闭锁效应的测试。     

基于C8051F020的γ剂量率仪的设计

介绍了一款基于C8051F020单片机的γ剂量率监测仅的设计,描述了电路的软、硬件实现方法,还介绍了USB单元电路.该设计能够实现γ剂量率的快速测量和大量测量数据的掉电保护存储,并具有低功耗、体积小、抗干扰性强及测量精确的特点.     

80C196KC单片机电磁脉冲效应模拟实验研究

用电流注入模拟电磁脉冲耦合电流的方法对Intel 80C196KC单片机的电磁脉冲效应进行了研究,介绍了试验系统和方法,给出了单片机输入端口、输出端口、电源端口等端口的工作状态电磁脉冲(EMP)干扰效应、工作状态损伤效应和不加电状态损伤效应的试验数据和初步结论.     

剂量和剂量率对辐射随机性效应的影响—剂量和剂量率效能因子

本文主要依据联合国原子辐射效应科学委员会１９９３年报告附件Ｆ，对剂量往日旧率效能因子的定义、取值、影响因素及应用时的剂量范围进行了讨论。     

剂量率对聚四氟乙烯辐射裂解的影响

本文研究了在以电子加速器的电子射线为辐射源时,剂量率对PTFE辐射裂解的影响。在剂量相同的条件下,剂量率从1.44×10~4 rad/s增至5.75×10~4 rad/s,裂解效率提高3.3倍。剂量率和各断裂参数(单位剂量裂解度a_0,G(s)值等)均成线性关系。当裂解度一定时,剂量率与剂量成反变关系。     

大剂量辐射水平对适应性反应的影响

对离体培养的人血淋巴细胞和昆明种小白鼠预先给予小剂量Ｘ射线照射（５０ｍＧｙ），然后给予不同剂量及不同剂量率的大剂量照射（０．７５－３．７５Ｇｙ），观察适应性反应的程度。结果表明，在０．７５－３．０Ｇｙ剂量范围内，可出现适应性反应；剂量大于３．０Ｇｙ时适应性反应消失；当剂量一定（１．５Ｇｙ）时，适应性反应的程度和剂量率呈负相关。     

γ总剂量辐射对CMOS器件性能的影响

本文比较了相同结构不同工艺的CMOS电路γ电离辐射效应结果。它表明:未经加固的市售器件,对γ总剂量辐射相当灵敏。特别是硅栅器件,正偏置下,大约经15Gy的γ剂量辐射后即告失效;在70Gy下,静态功耗电流增加4.5个量级。从实验结果出发,讨论了CMOS电路γ总剂量电离辐射效应的失效标准和加固方法。     

PIN半导体剂量率探测器的研究

利用大面积PIN硅光电二极管作为探测器,对北京正负电子对撞机BEPCI在同步辐射运行、束流注入、束流切断等情况下对撞区的辐射水平进行测量,并分析辐射本底的强度、来源及特点;研究PIN半导体探测器在BEPCI对撞区的工作状况,为第三代北京谱仪BESⅢ的剂量率在线检测奠定基础。     

空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究

本文给出了一种预估CMOS器件辐照感生漏电流的总剂量辐射响应模型,并利用模型计算了非加固C4007B和加固CC4007RH NMOS器件受不同γ射线剂量率辐射下的总剂量效应.研究结果表明,在实验室选用任意一特定剂量率进行辐射实验和室温退火,利用给定的模型可以预估其它剂量率辐射下的总剂量效应,并给出了CC4007RH和C4007B器件空间低剂量率(1×10-4-1×10-2 rad/s)环境下的漏电流的预估结果.     

L82C87集成电路的总剂量辐射效应研究

对ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构Ｌ８２Ｃ８７电路的电离辐射效应，退火特性及损伤机理进行了研究，探讨了用ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构对大规模集成电路进行抗辐射加固的可行性。     

Application of InGaP space solar cells for a radiation dosimetry at high dose rates environment of Fukushima Daiichi nuclear power plant

ABSTRACT

Decommissioning the Fukushima Daiichi nuclear power plant (1F) after the accident caused by a tsunami in 2011 requires characterization of the fuel debris by dose distribution measurement. This paper describes the experimental and theoretical behavior of a radiation detector applied with InGaP solar cells is investigated and allow the localization and characterization of the fuel debris. In the irradiation test, it was observed that the radiation-induced current output of the InGaP solar cells increases linearly with increasing dose rates of ⁶⁰Co γ-rays. For measurements at low dose rates, it becomes clear that the minimum detectable dose rate and resolution can be determined by analyzing the noise characterization. The maximum detectable level of radiation dosimetry for the InGaP solar cell was found to be higher than the highest γ-ray dose rate observable at the reactor core for 1F plants. Additionally, as an analysis of the radiation-induced current, it is attempted to express a relational expression between the absorbed dose rate and the creation of radiation-induced current pairs in the solar cells. The experimental and simulation results suggest that solar cells can be powerful tools for radiation dosimetry in high dose rate environments near the debris of the 1F plant.     

中国核动力院核基地外围空气CO 2中14C分布特征及所致公众年有效剂量评价

基于2014—2017年中国核动力院核基地外围环境空气中¹⁴C的监督性监测数据,对关键居民组各种途径的待积有效剂量进行了粗略的估算。结果表明:综合楼与南坝工会空气中¹⁴C活度浓度差异有统计学意义,综合楼与木城水厂空气中¹⁴C活度浓度差异有统计学意义,南坝工会与木城空气中¹⁴C活度浓度差异无统计学意义,表明排放出来的¹⁴CO₂在空气中扩散混合很快。综合楼附近居民组中成人、青少年、儿童、幼儿经各途径的¹⁴C年平均摄入量分别为40.55、40.52、29.10、19.80 kBq/a;年待积有效剂量分别为23.31、22.91、23.08、19.44 μSv/a。其中成人组成员所受¹⁴C致待积有效剂量最大为23.31 μSv/a,但此待积有效剂量也仅占评价剂量目标值(0.25 mSv)的9.3%以下。由此可以得出,核基地核施设正常运行工况下,¹⁴C对核基地外围环境的影响很小。     

炭/炭复合材料对活化片辐照的影响

根据钍基熔盐堆高温环境辐射测量需求,采用具有高温抗氧化Si C涂层的炭/炭复合材料作为待测活化片的载体材料,介绍了采用炭/炭复合材料作为辐照载体的优越性,对其进行了成分和热分析测试,并详细描述了带有炭/炭复合材料的一组活化片和不带有炭/炭复合材料的另一组活化片同时在铀氢锆脉冲堆的径向实验孔道中进行中子辐照的实验过程。通过比较两组活化片的单核反应率,详细分析了炭/炭复合材料对活化片辐照结果的影响。结果表明,载体采用涂层为Si C的炭/炭复合材料,并且壁厚为几个毫米时,对多种活化片的中子辐照结果影响很小,可以作为高温环境下辐照材料的载体。     

JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究.结果表明,采用循环辐照一退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况.文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析.     

星用典型CMOS器件54HC0460Co源辐射效应研究

给出了加固和非加固 5 4HC0 4电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果 ,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系。