人肝癌细胞G显带染色体的光镜和扫描电镜对照观察

在光镜下观察过的人肝癌(?)ep3B细胞G显带染色体标本,经过处理后制成扫描电镜标本,蓝在扫描电镜下找到光镜观察过的同一分裂像进行对照观察,不但能识别肝癌细胞染色体数目异常变化,而且可观察到结构畸变,如易位、缺失,染色单体间隙,双着丝粒染色体,内复制染色体等。对于易位染色体,在扫描电镜下有其形态学特征,两断端相接痕迹清楚可辨。可直接被识别。在扫描电镜下观察的染色体呈三维形态,每一中期染色体均由两条长柱状染色单体构成,由着丝点连接。两条染色单体臂的表面,沿其长轴有一些向内凹陷的环行沟,把染色体分成许多节段。两条染色单体上环行沟的排列互相对应,不同染色体环行沟的位置和数目不等。光镜下肝癌细胞G带染色体的带纹与扫     

人肝癌细胞G显带染色体的光镜和扫描电镜对照观察

将光镜下观察过的人肝癌Hep 3 B细胞G显带染色体标本在扫描电镜下进行观察。在形态学上发现,光镜下染色体G带带纹与扫描电镜下染色体表面形态结构之间有着对应关系。结构畸变染色体,如断裂、易位、双着丝粒染色体、内复制染色体等这些肿瘤细胞染色体的典型改变,都可清楚观察到。应用扫描电镜观察染色体是一项很有实用价值的研究手段。     

G显带人体染色体亚显微结构的扫描电镜观察

应用扫描电镜和光镜对比观察,从200～300A染色质纤维的结构水平描述G显带人体染色体各个部分的亚显微结构,对某些问题进行探讨,为弄清人体染色体精细结构和染色体病的准确诊断提供资料。通过临床取人体外周血培养,经光镜常规制样技术处理(胰酶消化时间稍长)后的正常染色体核型用Olympus光镜检查、摄影、标志。用乙酸乙酯洗去香柏油,自然干燥,在离子镀膜仪喷金后,用S-570扫描电镜观察拍照。扫描电镜样品处理是参考Harrison方法加以修改。     

电子束蒸发方法研究Mg2Si的薄膜及其光学带隙

Mg_2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料,其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上沉积Mg膜,在氩气环境下进行热处理以制备Mg_2Si半导体薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计对制备的Mg_2Si薄膜进行表征.在氩气环境、温度500℃、压强200 Pa下,研究热处理时间(时间3-7 h)对Mg_2Si薄膜形成的影响.XRD和SEM结果表明:通过电子束蒸发沉积方法在500℃、热处理时间为3~7 h能够得到Mg_2Si薄膜.热处理温度是500时,最佳热处理时间是4 h,得到致密度好的薄膜.通过对薄膜的红外透射谱测试,得到了Mg_2Si薄膜的光学带隙,其间接光学带隙值为0.9433 eV,直接光学带隙值为1.1580 eV.实验数据为Mg_2Si薄膜的研发在制备工艺和光学性质方面提供参考.     

Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及光学带隙研究

用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响,XRD结果表明随着Al掺杂量的增加, Mg2Si衍射峰先增强后减弱. SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,粗糙度先增加后降低.得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0.423～0.495 eV,直接跃迁带隙范围为0.72～0.748 eV,掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙分别为0.53 eV、0.833 eV.     

Al2O3系微波介质陶瓷的流延制备及低温烧结研究

为了获得低温烧结的微波介质陶瓷,该文采用固相法制备了Al₂O₃-SiO₂-(Li₂O-B₂O₃-SiO₂-CaO-Al₂O₃)系微波介质陶瓷粉体,并添加聚乙烯醇缩丁醛、丙三醇、鲱鱼油、乙醇、乙酸乙酯等配成料浆,利用流延成型技术获得微波介质膜带。对不同配比下制备的膜带表面形貌进行扫描电子显微镜(SEM)观察分析,结果表明,当质量比m(粉体)∶m(PVB)∶m(丙三醇)∶m(鲱鱼油)∶m(乙醇+乙酸乙酯)=25∶15∶2∶1∶7时,膜带样品的表面颗粒分布更均匀。测量不同温度下该膜带样品的烧结密度及烧结收缩率,得到在870℃时膜带样品的密度及收缩率达到最大。此外,对膜带样品与Ag电极共烧后的断面形貌进行了扫描电子显微镜(SEM)观察分析,结果表明,在870℃下,流延膜带与Ag电极共烧良好。     

LEXAN力显树脂与LNP STAT-KON复合材料提高Entegris载带的生产效率

Entegris是一家业界领先的材料完整性管理公司，它利用GE高新材料集团高性能的LEXAN力显聚碳酸(PC)树脂和以LEXAN力显树脂为原料的LNP STAT-KON复合材料，开发了新型的8～12mm的载带生产线。这种新型载带正在Entegris的Stream^TM载带产品系列下推广和销售。通过其业界最尖端的研究工作，设计开发了这些技术先进的产品。     

精子表面凝集素受体细胞化学检测法研究——Ⅰ.胶体金标记扫描电镜术(G—SEM)

本文建立了精子表面凝集素受体的胶体金标记扫描电镜术(G—SEM)并从方法学上作了探讨。得出结论:1)18nm胶体金用SEM二次电子检测,对于精子这类表面较平滑的游离细胞是可行的;2)对精子而言,G—SEM技术中样品薄层镀金不仅可行而且是必要的;3)G—SEM技术可对精子表面受体、抗原进行定位、定性、定量三结合的研究;4)本文所建立的方法简易可行,可推广应用于对精子表面其它受体、抗原的检测。作者提出了精子G—SEM的二般程序。     

HVPE生长的高质量GaN纳米柱的光学性能

GaN纳米材料因具有优异的晶体质量和突出的光学性能及发射性能,日益受到关注.研究了一种利用氢化物气相外廷(HVPE)系统生长高质量的GaN纳米柱的方法.使用镍作为催化剂,在蓝宝石衬底上生长出了GaN纳米柱.在不同生长时间和不同HC1体积流量下制备了多组样品,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱对样品进行了分析表征.测试结果表明,在较低的HC1体积流量下,生长2 min的样品具有较高的晶体质量和较好的光学性质.讨论了不同生长阶段的GaN纳米结构发光特性的变化规律,认为纳米结构所产生的表面态密度大小差异会造成带边峰位的红移和展宽.     

系统性淀粉样变性的超微病理诊断

目的:应用光镜(LM)及透射电镜(TEM)观察不同部位淀粉样物质的沉积及超微结构特点,为系统性淀粉样变性提供可靠的病理诊断依据.方法:对21例临床拟诊为系统性淀粉样变性病例的肾脏,腹壁脂肪和直肠粘膜活检组织按常规进行LM及TEM标本制备及病理检查.结果:LM观察显示淀粉样物质在肾脏,腹壁脂肪和直肠粘膜沉积阳性率分别为7...     

基片温度对TiO2薄膜的微观结构和紫外光电特性的影响

为了制备具有紫外光电特性的TiO2薄膜,采用直流磁控溅射(DC)的方法在不同温度的玻璃基片上制备了TiO2薄膜。通过用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X-射线能谱仪(EDS)测试薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组成成分。结果表明:当基片温度在250℃及以上时,制备出具有锐钛矿结构的TiO2薄膜,并且有较好化学计量比。TiO2薄膜电阻在紫外光照射下的响应时间随基片温度的升高而减少。     

垂直沉积法制备高质量胶体光子晶体

利用乳液聚合方法制备了粒径约为262 nm的单分散聚苯乙烯(PS)微球。通过控制溶剂蒸发温度和液体表面下降的速度,用垂直沉积法较快速地制备出了在较大范围呈现很好有序性的密排结构聚苯乙烯胶体光子晶体,其在626 nm波长处存在光子带隙。在扫描电子显微镜(SEM)下,观察到该胶体光子晶体是面心立方(fcc)密排结构。实验结果表明,对于粒径为262 nm的聚苯乙烯微球,在温度为55℃,质量分数为0.3%的情况下,当液体表面下降的速度约为每天3 mm时,可以得到高质量的胶体光子晶体。这种高质量的胶体光子晶体可以为利用模板技术制备具有完全带隙的有序孔结构提供较理想的模板。     

竹叶状GaN纳米带的制备

为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1000℃下常压通氨气进行氨化。在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带。XRD分析结果表明GaN纳米带为六方纤锌矿结构,利用SEM观测GaN纳米带具有竹叶状形貌,PL谱测量发现了位于370nm处和460nm处的室温光致发光峰。     

煅烧温度和恒温时间对ZnO/AAO/Si组装体系的影响

以AAO/Si为模板,采用化学气相沉积(CVD)的方法在不同温度下,通过煅烧Zn粉和C粉的混合物制备ZnO/AAO/Si组装体系,并对其结构和性质进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明:随着煅烧温度的升高,AAO表面的孔洞逐渐被封堵,当温度达到900℃时,在AAO的表面出现了一层ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示,700℃时在XRD图谱上观看到六角纤锌矿的ZnO的衍射峰,并且随着温度的升高,ZnO的衍射峰逐渐增强,当温度升至800和900℃时出现了ZnAl2O4的衍射峰。因此,化学气相沉积制备组装体系时的最适温为700℃。在700℃时煅烧不同恒温时间制备的ZnO/AAO/Si组装体系SEM图显示,随着恒温时间的延长,孔的封闭效应逐渐明显。     

磁激励RF-PECVD法低温制备类金刚石薄膜及其特性

采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积(M-RF-PECVD)方法,室温下分别在玻璃和Si(100)衬底上制备类金刚石(DLC)薄膜,通过扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30 Pa、入射功率为50 W、CH4/Ar=5/90、衬底温度为40℃的实验条件下,制备的含氢DLC薄膜表面平整、结构致密,膜基结合度良好,薄膜中以sp3键为主。     

小鼠同源染色体配对行为的电镜观察

同源染色体联会形成联会复合体 ( Synaptonemal Complex,SC)是减数分裂前期 的重要特征 ,是遗传学三大规律的细胞学基础。早期研究 SC受技术方法的限制 ,在光镜和电镜下很难观察到同源染色体的配对行为。后来发展起来的微铺展 -硝酸银染色技术 ,可在电镜下清楚地观察SC的形成及消失过程。本文以小鼠精母细胞为材料制备 SC标本 ,电镜下详细观察并拍摄了同源染色体的配对行为。材料和方法　性成熟的雄性昆明种小鼠 1 0只 ,处死后取出睾丸 ,去除白膜 ,参照 Moses微铺展法 [1]制备 SC标本 ,硝酸银染色。光镜镜检后转移到 5 0目铜网上 ,电…     

衬底温度对ZnO:N薄膜结构和光学性能的影响

利用超声喷雾热解方法,以不同的沉积温度(450～510℃)在石英衬底上制备出具备较高光学质量的氮掺氧化锌(ZnO:N)薄膜。通过X射线衍射(XRD)谱研究了薄膜的结构,用扫描电子显微镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌,用紫外可见(UV)分光光度计、光致发光(PL)谱对薄膜的光学特性进行了测试分析。结果表明,所制备薄膜在可见波段具有较高透过率,并且沉积温度对ZnO:N薄膜的透过性能有很大影响。在衬底温度为500℃时得到的ZnO:N薄膜为六角纤锌矿结构,结晶质量最好、光透过率最高。PL谱的测试结果显示,在该条件制备的ZnO:N薄膜只在389.4nm处有一个较强的近带边紫外发光峰。     

超薄切片玻璃刀制作技术及使用方法的探讨

我们在长期的超薄切片实践中发现,在刀根小于1mm的条件下,玻璃6刀口的最佳切割位置与传统概念不相符合,甚至相反,即右侧刀口(通常认为不能用来切片)不但不是切片“禁区”,而且比左侧刀口(传统认为是最佳刀口)锋利、耐用。为此,我们利用光学显微镜(LM)、扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)对刀口的不同部位及其切片进行了观察研究,为如何正确使用和改进玻璃刀口提供了有价值的资料。     

纳米银线/还原石墨烯复合材料的制备与表征

用改进的Hummer法制备了氧化石墨烯(GD),并制备 了表面用聚乙烯吡咯烷酮修饰的纳米银线(AgNWs), 通过原位还原法将二者复合成一种新型的水溶性AgNWs/还原石墨烯(RGD)材料,克服了石 墨烯材料不易分散 的缺点。用X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光(UV-vis)光度计、扫描电子显 微镜(SEM)和傅里 叶变换红外(FT-IR)光谱分析仪对样品结构和形貌进行了表征。结果表明,制备的AgNWs/RG D材料具有与前驱 体不同的物理参数,有望在非线性光学、光电传感器和生物抑菌等方面有良 好的表现。     

pH值对制备CZTS颗粒的影响

采用溶剂热法,以CuCl2·2H2O、Zn(Ac)2·2H2O及SnCl4·5H2O作金属源,硫脲(TA)作硫源,PVP作表面活性剂,乙二醇作溶剂,在不同pH值条件下制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)颗粒。利用XRD、SEM、EDS和UV-Vis探讨了体系pH值对产物相结构、形貌、粒子数比以及光学性能的影响。结果表明:pH值对CZTS颗粒的相结构、形貌、粒子数比和光学性能均有影响。体系最佳pH值为4,该条件下合成颗粒的结构为锌黄锡矿结构,结晶性较好,颗粒形貌为微米级薄片,粒子数比为1.7:1.1:1.0:4.0,光学带隙为1.51 eV,与太阳能电池所需的最佳带隙接近。