^60Coγ射线在界面附近金中的剂量分布

设计了一种多层平行板金电离室，应用测量法测量了＾６０Ｃｏγ射线在金与低原子序数材料交界时界面及金中的剂量分布。     

^60Coγ射线在Au／Al界面剂量分布测量及其蒙特卡罗模拟

研究了高原子序数材料金与铝交界时^60Coγ射线入射产生的剂量深度分布。用电离室测量了Au/Al界面剂量梯度分布，并且用蒙特卡罗方法对界面附近的剂量梯度分布进行了计算，得到了与实验符合较好的结果。采用的实验覆试及理论模拟方法为研究γ射线剂量增强提供了手段。     

剂量增强效应的半经验理论计算

采用一种半经验电子输运模型，改进了部分参数计算方法，编制了能够快速计算光子剂量增强效应的计算程序，计算了＾６０Ｃｏγ射线辐照Ａｕ／Ａｌ界面时Ａｌ中的剂量分布，与实验结果进行了比较，并分析了各种组分的次级电子对剂量增强因子贡献。     

X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算

当X射线射入不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用MCNP Monte-Carlo程序计算了钨－硅、钽－硅界面的剂量增强系数。     

X射线不同方向入射界面产生剂量增强的模拟研究

为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同的方向入射界面时在规定的区域内产生的能量沉积,进而得到剂量增强系数.     

60Co γ射线在Au/Al界面剂量分布测量及其蒙特卡罗模拟

研究了高原子序数材料金与铝交界时60Coγ射线入射产生的剂量深度分布。用电离室测量了Au/Al界面剂量梯度分布,并且用蒙特卡罗方法对界面附近的剂量梯度分布进行了计算,得到了与实验符合较好的结果。采用的实验测试及理论模拟方法为研究γ射线剂量增强提供了手段。     

基于EGSnrc MP模拟计算X射线在重金属和硅界面的剂量增强因子

当X射线入射到不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。本文介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特卡罗程序EGSnrcMP模拟计算了钨和硅、钽和硅界面的剂量增强因子。计算结果表明,在X射线能量为30~200 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。     

^60Coγ射线石墨吸收剂量往水吸收剂量过渡的研究

本文主要介绍用“电离法测量６０Ｃｏγ射线石墨吸收剂量基准装置”和Ｌｏｅｖｉｎｇｅｒ提出的“比例定度原理”测量水中吸收剂量的方法和结果。所得水中吸收剂量的合成不确定度为０．６９％，长期稳定性好于０．５％。该方法与其它３种方法比对测量水中相同点的吸收剂量值在±０．５８％以内吻合。该方法也可用于其它物质（如有机玻璃、聚苯乙烯等）吸收剂量的测定     

60Co γ射线辐照营养霜临界剂量研究

对辐照营养霜的氧化还原电位、超微弱发光、色泽三刺激值以及理化指标进行了分析，认为辐照营养霜的临界剂量为8kGy。     

电离法测量^60Coγ射线水吸收剂量

本文介绍用电离法测量６０Ｃｏγ射线水吸收剂量的方法和结果。所得６０Ｃｏ水吸收剂量的合成不确定度为０．６４％，长期稳定性为±０．３５％，该方法与其它方法比对测量水中相同点吸收剂量值在±０．５８％以内吻合。     

红小豆γ射线辐照诱变效应的研究

用60Coγ射线对三个红小豆品种干种子(晋红1号、冀红9218、京农6号)进行100、200、300、400、500和600 Gy辐照处理,分析不同剂量对红小豆品种幼苗的辐射效应,结果表明,100、200 Gy处理红小豆干种子的发芽及幼苗性状产生的影响不明显,高剂量能明显抑制幼苗的生长,与对照相比差异均达显著或极显著水平;估算的红小豆平均半致死剂量(LD50)为473.3 Gy,估算的适宜诱变剂量为400–600 Gy。将辐照至350、500、650 Gy的三品种红小豆种子种植于大田,辐照组的豆苗期性状受到抑制,与对照相比差异达显著或极显著水平。出苗率和苗高与剂量呈显著负相关,成熟植株株高减低、主茎节数减少、荚长变短、单株荚数和单荚粒数减少,高剂量处理与对照相比差异显著,剂量越高,抑制作用越明显,影响最大的性状是荚长。三个品种辐射敏感性的由大到小依次为晋红1号、冀红9218、京农6号。     

HP-Siγ射线计数器

HP-Siγ射线计数器是目前室温条件下γ射线强度测量较为理想的探测器,它具有工作偏压低、体积小、线性好、性能稳定等特点。     

特大剂量γ射线照射的染色体畸变剂量效应曲线

为准确估算大剂量事故受照者的生物剂量,拟合6—22Gy照射后染色体畸变剂量效应曲线。采用60Coγ射线照射离体人血,浓集有核细胞,一步法培养52h、68h和72h收获制片。计数双(多)着丝点 环数目,比较不同培养时间畸变差异,拟合剂量效应曲线及数学方程。用大剂量事故受照者的剂量结果对曲线进行验证。实验表明,大剂量照射后需适当延长细胞培养时间,52—72h获得的染色体双 环畸变率无明显差异。新拟合的剂量效应曲线符合线性平方模型Y=-2.269 0.776D-7.868×10-3D2。经事故剂量验证结果可靠。本研究首次建立了6—22Gy照射后染色体双 环剂量效应曲线及数学方程,为特大剂量照射后的准确剂量估算提供了可依据的方法。     

用LiF热释光探测器测定γ刀装置的剂量分布

本文介绍用ＬｉＦ（Ｍｇ，Ｔｉ）热释光探测器测定种中国旋转式γ刀头模内焦点剂量场分布ＲＤ及方模中的百分深度剂量ＰＤＤ。同时也测量了在４种准直器（φ４，φ８，φ１４，φ１８ｍｍ）条件下的焦点处的吸收剂量率并与电离室测量结果进行了比较，其效果在２％以内符合。     

γ射线外照射条件下体模红骨髓剂量及剂量深度分布的蒙特卡罗计算

用蒙特卡罗方法,对0.025、0.05、0.11、0.30、0.661、1.25、3.0和6.OMeV等八种能量的平行宽束γ射线沿垂直于体模中心轴线方向的旋转照射,位于体模躯干下端离体模中心轴线的距离分别为50、100和200cm的1.25MeVγ点源对体模正面照射,1.25MeV平行宽束γ射线对体模正面、背面和侧面方向的垂直照射,以及当体模处于年龄为22.5小时的落下灰γ辐射场中时,计算了体模的红骨髓平均剂量D_m、干细胞活存率计权等效剂量D_(sw)和组织吸收剂量的深度分布。计算结果,除低能(<0.05MeV)γ射线和近距离(距体模中心2m以内)点源照射条件之外,D_m和D_(sw)在2％以内相符。对于在落下灰γ辐射场中测量人体红骨髓平均剂量的仪器,可用1.25MeVγ射线平行宽束旋转照射条件进行刻度。     

^60Coγ射线辐照皮鞋防霉研究

采用~(60)Coγ射线辐照聚乙烯塑料膜密封包装的皮鞋,观察其防霉效果。试验结果表明,1.致使皮鞋发霉的霉菌有下列11种:卵形孢霉(Oospra sp)、米根霉(Rhizopus Oryzae Went and Geerlings)、黄曲霉(Aspergillus flavus Link)、土曲霉(Aspergillus terreus Thom)、念珠霉(Monilia sp)、葡萄孢霉(Botrytis sp)、黑曲霉(Aspergillus niger V.Tiegh)、暗蓝青霉(Penicillum Lividum Westling)、顶青霉(Penicillum Corylophilum Dierckx)、深蓝青霉(Penicillum Cyaneum(B.and S.)Biourge)和疣孢青霉(Penicillum Ver uourlosum Peyrone)。2.处理的牛羊猪皮鞋经~(60)Co γ射线12kGy剂量辐照三种皮鞋,能有效地防止发霉。3.经γ射线30 kGy以下剂量辐照的皮鞋,其主要物理性能无明显变化。4.辐照处理皮鞋要配合密封包装,否则会出现霉菌再感染而达不到防毒保质目的。     

60Coγ辐射剂量场分布理论计算的计算机程序开发

钴源辐照装置的剂量场分布对提高射线利用率和产品辐照质量至关重要，利用Visual Basic编制了辐射剂量场分布计算程序。程序将计算、排源及参数调整独立分开，操作简便，主要适用于3层排列板源结构。程序经过用于本中心板源，辐射剂量场分布的计算结果基本反映了辐射剂量场的实际分布。     

~(60)Co-γ射线诱发人体离体血淋巴细胞染色体畸变与剂量关系的研究

目前国内外学者提出可以染色体畸变作为“生物剂量仪”,且一致认为外周血淋巴细胞染色体畸变分析是一个较理想的生物学指标,并认为在25～500拉德剂量范围内用染色体畸变进行剂量估算是正确可行的。在某些事故照射中用生物学方法较物理学方法更能反映机体损伤的真实情况。为此,我们从遭受较低剂量照射出发,自0～200拉德之间探索染色体畸变量与辐照剂量的效应关系,拟建立本实验室的剂量-效应刻度曲线,以染色体畸变