一种先“浸”后“灌”的环氧灌封工艺

环氧树脂真空灌封工艺技术,是电子器件和组件干式密封绝缘的重要工艺技术。但在实际使用中经灌封的磁芯线圈类电子器件,由于其结构的特殊性,灌封料不能完全浸透线圈匝间内,在环境试验时,磁芯线圈电感量指标变化大,不满足技术指标。本文通过生产过程中一起电感线圈合格率低问题,开展了工艺实验,结合环氧树脂灌封和浸渍相关理论,对电感线圈灌封工艺方法进行了改进,采取对磁芯线圈先浸绝缘漆再灌封的混合工艺方法,较好的解决此问题。     

高压模块的有机硅凝胶灌封工艺设计与改进

介绍了某高压模块产品灌封工艺技术。该高压模块主要由多级倍压整流电路组成,要求具有良好的绝缘、抗振及三防特性,因此采用一体化(即模具作为结构支撑件)的灌封结构设计,以实现小型化、模块化。针对高压模块的灌封要求,选用合适的灌封材料;并针对灌封中出现的问题,通过原因分析找相应问题的解决办法,然后对高压模块灌封工艺进行改进。根据几批次高压模块的试验结果,该灌封工艺技术满足模块的设计要求。     

某机载雷达发射机的高压绝缘设计

简单介绍了某机载雷达发射机设计的一种新方法和新工艺，即对发射机中的高压电源、调制器、行波管等高压部件采用硅凝胶真空灌封的方式绝缘，使其与空气彻底隔离，从而实现发射机的小型化设计并保证发射机在低气压、潮湿、高温、低温、冲击等恶劣的环境条件下能够正常工作。     

继电器类电子产品安装灌封工艺技术研究

继电器类电子产品由于振动造成的产品故障尤为突显。为提高继电气类电子产品在环境试验中的可靠性,尤其是抗振动能力,对继电器安装工艺进行了研究。通过对灌封材料性能参数及灌封工艺试验结果对比,从中选取3种灌封胶对产品进行灌封工艺方法研究。各种环境试验结果表明,灌封是提高产品可靠性的一种有效手段,三种灌封胶均可提高产品抗振动能力。最后,通过比较灌封后继电器在大量级振动下的响应,得出更有效的灌封材料。     

高性能绝缘灌封材料的研制

由于环氧树脂型灌封胶在固化时体积收缩率大和缺少韧性,经常使工件灌封体固化后即发生裂纹,或者在受到高低温度冲击时发生裂纹,造成较大经济损失.从采用的螺环原酸酯类膨胀性材料、环氧树脂和固化剂等方面分析对绝缘灌封材料整体性能的影响,通过试验数据得到如下结论:采用螺环原酸酯类膨胀性材料和特种复合固化剂,解决了环氧树脂型绝缘灌封材料固化收缩率大和高低温冲击性能差的质量问题.合成得到了固化收缩率低和高低温温度冲击性能好的高性能绝缘灌封材料.     

灌封工艺在电连接器尾部加固中的应用

电连接器的装配质量是系统综合布线中不可忽视的重要环节,其主要故障模式为在周期性应力作用下出现焊点疲劳和引线折断。针对此类故障模式开展了连接器尾部灌封试验研究,通过不同种灌封胶抗应力对比试验认为环氧胶灌封方式对连接器尾部灌封可靠性最高。对灌封工艺过程进行了总结,希望能为实际工程实施提供一定的工艺指导。     

灌封工艺方案与产品结构设计的匹配性研究

在高可靠微电路模块设计中,封装结构通常采用产品灌封的方式,以满足产品抗冲击振动、恶劣环境、导热、绝缘等要求。剖析了某灌封模块样品的应力失效典型案例。采用仿真与试验验证相结合的方式进行验证,提出了灌封工艺方案与产品结构设计匹配性与适宜性的研究方法。该方法为后续灌封方案与产品结构匹配性提供了理论指导和技术支持。     

绝缘导热有机硅灌封材料的研制与应用

阐述了传统灌封材料不足之处,说明了研制绝缘导热灌封材料的目的和意义,同时着重介绍了绝缘导热有机硅灌封材料的研制、施工工艺、性能及其在我所某雷达高压发射机组件上的应用.     

精密电子元器件用抗冲击灌封材料的施工工艺研究

为了保证电子元器件在高过载环境下保持有效性和可靠性,在研制性能优异的抗冲击环氧树脂灌封材料的基础上,可行有效的施工工艺是保证灌封产品质量的重要环节。采用自制带液晶基团的环氧树脂对环氧树脂E-51进行增韧改性,分析灌封材料施工工艺中灌封工艺和固化工艺的影响因素,确定了不同结构灌封体的灌封工艺,以及确定固化剂用量为30％,环境温度为25℃的固化工艺条件。按照施工工艺完成的电子产品灌封体,合格率〉95％。     

某高压电源组件灌封工艺技术分析与研究

主要通过灌封工艺技术在某高压电源组件"三防"的应用与研究,从灌封工艺路线的设计、灌封材料的优选、关键工序的控制等几个方面分别进行了详尽的分析;并结合多批次实际生产的检验与研究,证明此灌封工艺完全满足产品的设计要求.     

星用微波组件低气压放电与真空微放电效应研究

低气压放电效应与真空微放电效应(亦被称为电子二次倍增效应)是装载在航空器或航天器上的星用微波组件在上天过程中与正常定轨后工作所要经历的两个阶段,经历发射至定轨工作的全过程(亦被称为入轨)的星用微波组件要经历低气压放电的考验,而对定轨后运行的星用微波组件则要经受真空微放电的考验。其放电机理和环境条件各异,两种环境试验不具有互换性,对此进行了研究;并对低气压放电与真空微放电提出了相应的防护措施。     

LDS-6局部放电测试仪校准方法

设备绝缘内部存在弱点或生产过程中造成的缺陷,容易发生重复击穿和熄灭现象-局部放电,局部放电测试仪评价局部放电量等参数;根据GB7354-87及IEC-270”局部放电测量”标准的要求,对局部放电测试仪进行校准,确保局部放电量等参数可靠。     

Determination of electron drift velocity in a gaseous discharge from Doppler shifts of plasma waves

Measurements of Doppler shifts of plamsa waves in a low-pressure mercury-vapour discharge have been made, in order to determine the electron drift velocity in the positive column. It is concluded that, within the accuracy of the expenments, there is no radial variaton of the electron drift velocity in the discharge.     

GIS局部放电故障诊断研究

为了满足人们对用电的高可靠性要求,输配电领域广泛地应用了GIS设备。但是由于GIS设备的内部绝缘距离较短,使得GIS内部存在较强的电场,在这种情况下,GIS有可能在长时间运行后产生故障。因此,需要对GIS的绝缘状态做出精确判断。局部放电检测是检测GIS绝缘状态的重要手段。现阶段,超高频检测法是一个较为理想的检测方法。本文阐述了GIS的应用以及GIS局部放电现象,介绍了主要的局部放电检测方法,重点分析了超高频谱检测法的应用。     

High density, high aspect ratio through-wafer electrical interconnect vias for MEMS packaging

A novel micro-electromechanical system (MEMS) package has been developed based on modular, reconfigurable components such as substrate, cap, bond region and through-wafer electrical interconnect (TWEI). The paper presents the details of the process for the fabrication of high density, high aspect ratio TWEIs that includes deep dry etching holes through the substrate, depositing an insulation layer and depositing a conductive layer. Two different processes to make the TWEI have been developed: Post-Process where the TWEI is fabricated after the fabrication of MEMS devices and Pre-Process where the TWEI is fabricated before the fabrication of MEMS device. For both processes, the interconnect holes are created by an anisotropic etching process-inductively coupled plasma (ICP) etching. For the post-process, a silicon dioxide layer was deposited in a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) chamber to insulate the interconnect holes. For the pre-process, the PECVD process was replaced with a thermal oxide growth step to ensure a more conformal oxide coating. Three different ways to deposit a conductive layer after deposition of an insulation layer have been practiced: sputtering Cu, electroplating Cu and low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) of phosphorus doped polysilicon. The electrical performance of the TWEIs achieved in each way was measured, analyzed and discussed.     

Room-temperature lasing of CdS crystals in a glow discharge

A very compact device has been made for excitation of lasing in CdS at room temperature. A low-pressure glow discharge is produced by high-voltage pulses to pump the CdS crystal. The simple design required to confine the discharge and produce the necessary high density of electrons is described.     

特高频法气体绝缘全封闭组合电器的局部放电在线监测技术的发展应用探讨

为了对于气体绝缘全封闭组合电器设备的运行情况进行全方位的掌握,对于其绝缘状态进行在线监测是非常有必要的。本文就通过分析变电站典型局部放电类型,介绍基于特高频法气体绝缘全封闭组合电器局部放电的发展技术、系统的构成及应用探讨,分析中的隐患,并及时发现,以确保设备可以安全的运行。     

混合式CO_2激光器

众所周知,TEACO_2激光器可以在高气压下产生大体积均匀辉光放电,从而获得很大的脉冲输出能量和很高的峰值功率.但是,正是由于TEACO_2激光器工作在高气压下,因此不可避免地使激光介质的增益线型被气压大大地展宽,其增益线宽可达4千兆赫/大气压.如果这样的增益介质放在一个2米长的光学谐振腔(其纵模间隔为75兆赫)中,计算表明有20多个不同频率的纵模的增益系数之差小于5%,这样就可以有很多不同频率的纵模同时振荡,它们还会产生拍频,使TEACO_2激光器的脉冲输出呈现很强的调制.这在诸如脉冲激光雷达、光泵远红外激光器的光泵源、激光同位素分离、非线性光学等很多重要的领域都是不希望的.     

变压器局部放电检测系统

局部放电的原因是因为在外施电压作用下,静电荷会在电场中绝缘较弱的位置发生静电游离。这种脉冲型放电可引起绝缘劣化,进而导致变压器发生故障。文中提出了一种基于FPGA＋DSP的GIS局部放电在线检测系统。该系统由FPGA控制数据的采集和存储,然后利用DSP进行嵌入式TCP／IP设计,从而使采集到的信号通过以太网传输到远程PC进行显示,经现场运行测试,该系统实现了设计目标。     

用于局部放电探测的超声光纤传感方法

局部放电是一种有效的高压部件绝缘性能检测方法,可通过声、光及电等信号的探测来有效预报绝缘劣化程度。该文建立了基于局部放电超声信号检测的光纤传感器测试系统,使用Mach-zehnder光干涉法来检测声信号导致的光程差,测算测量回路的微小机械形变。实际测试结果表明,该系统具有高的测试灵敏度,可精确测量纳米级的机械形变,准确反映局部放电过程引起的超声信号。采用该光纤传感系统可对多层陶瓷器件的局部放电进行跟踪测量。