爱立信手机故障维修见招拆招

在维修中技术人员常常会发现,造成手机某种故障现象的原因往往有多种,这需要仔细检测,及时找出故障的所在。下面从几例常见故障一一过关斩将,找出原因排除故障。机型:爱立信388 故障现象:手机能正常开机,但是开机后显示屏全黑,看不到显示屏所显示的内容。分析检修:造成这种故障的原因大多数是E~2PROM电可擦写储存器D630、显示屏电路、电源供电电路损坏。拆开机壳仔细检测,显示屏和主板相连的导电胶、显示屏电路、电可擦写储存器D630、微处器CPU相关引脚均无接触不良、断线、裂焊等现象。用万用表测量显示屏的正电压供电脚H622第③脚电     

64kB电可擦除只读存储器研究与设计

文章通过对电可擦除可编程只读存储器工作原理的研究,掌握了该存储器的设计技术和工艺加工技术,特别是关键模块（如软硬件数据保护、页写、全片擦除等）的设计技术,在此基础上研制了一种存储容量为64kB的EEPROM。64kB EEPROM的特殊结构保证了电可擦除可编程存储器的高性能和可制造性;器件利用内部错误诊断来增强数据的耐久性,同时改进了数据的保存特性;同时可选择的软件数据保护机制用于预防误写入。有关方面研究工作将对后续同类产品的研制起到积极的作用。     

世界EEPROM市场增长惊人

据世界半导体市场统计组织(WSTS)的预测,电可擦可编程只读存储器(EEPROM)有关产品(包括EEPROM和闪速EEPROM等)的市场规模将迅速扩大,1992～1996年间的平均年增长率可达47.5%,1996年将接近SRAM的市场规模,其中闪速EEPROM增长率尤其迅速.     

一种应用于EEPROM读出放大器的设计

读出放大器是电可擦除非易失性存储器(EEPROM)中的关键模块,其读取速度决定了EEPROM的操作频率。基于国内先进的0.18μm工艺,对EEPROM放大器的基准电流源和比较器进行了分别设计,测试结果显示读出放大器的响应时间小于70 ns,可满足10 MHz的EEPROM存取速度的要求。     

安森美半导体扩充串行EEPROM产品阵容

安森美半导体（0N Semiconductor）推出新的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）器件，用于汽车，医疗及消费市场。     

256抽头（tap）单通道数字电位计

这器件含片上8位非易失性电可擦除可编程只读存储器,使设计人员能一次就校准,并在上电时保持存储器的电阻触点（wiper）设置范围。其带有400kHz、12C协定兼容接口,用于LCD屏幕调节;自动校准;对比度、亮度及音量控制;匹配应用的增益调节及线路阻抗。CAT5140的EEPROM耐用性达200万次数据写存储,数据能保留100年。     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

业界要闻

华虹NEC推出业界领先的0.13微米嵌入式EEPROM解决方案上海华虹NEC电子有限公司日前宣布,公司基于0.13微米嵌入式闪存(eFlash)工艺平台,成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM(电可擦可编程只读存储器)解决方案,该方案是在已有的0.13微米嵌入式Flash平台上开发的,实现了Flash和EEPROM的完     

嵌入式Flash微控制器

Flash微控制器大大地改变了微控制器市场。系统集成商们总是希望以很少的系统成本来利用EEPROM（电可擦可编程只读存储器）的整体灵活性,Flash是为他们提供了理想的解决方案。     

HW200型多功能电话机测试仪

ＨＷ２００型多功能电话机测试仪史保和ＨＷ２００型多功能电话机测试仪新增了摘机指示和双音频拨号声响功能，给用户带来便利。该机适用于任何型号的脉冲和双音频话机，能测试话机的拨号、受话、振铃、送话等功能，并能指示话机的摘机和挂机电压，还能作内线电话的通话电...     

AT24C系列贴片式EEPROM芯片

<正> 目前使用的EEPROM芯片大多是以并行方式为主,如2816、2864等。美国ATMEL公司推出AT24C系列两线制(串口型)电可擦除EEPROM芯片,这些芯片具有体积小、工作电压低(2.5～6V)、连线简单、工作可靠等特点,可作为仪器、仪表及工业自动化产品中的长期数据保存芯片。这种芯片具有十万次的擦写周期,是一种较好的EEPROM芯片。 参数与功能 AT24C系列EEPROM为8/14引脚CMOS芯片。该系列具有多种型号,从AT24C01到AT24C16、AT24C32等。这些芯片的区别主要在于存储容量不同,还有是后期产品增加了一些操作功能。部分型号的有关参数见表1。     

EEPROM耐久和数据保持试验方法标准分析

介绍了存储器分类,论述非易失性存储器编程机理以及编程/擦除耐久和数据保持试验方法,分析了MIL-STD-883B中的《耐久寿命试验》和JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)编程/擦除耐久和数据保持应力试验》等试验方法标准.     

爱特梅尔嬴得专利诉讼

爱特梅尔(ATMEL)公司（那斯达克ATML）2000年10月17日宣布了美国国际贸易委员会(ITC)编号为337-TA-395的调查结果及最终裁定以及有限驱逐令。美国国际贸易委员会发现：在可擦可编程只读存储器(EPROM)，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，快闪存储器(Flash)以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及产品领域中，爱特梅尔公司的编号为4,451,903美国专利是有效的，可执行的。 另外，美国国际贸易委员会宣布了有限驱逐令以禁止“侵权的可擦可编程只读存储器，电可擦可编程只读存储器，快闪存储器以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及包含这些器件的电子产品进入美国市场”。ITC进一决定，“根据关税法337(j)条款的规定，在等待总统通知委员会关于驱逐令的最终决定的60天期限内，侵权器件以及包含这些器件的电子产品只有缴纳每件0.78美元后才能够进入美国市场”。     

一种ECC校验算法的设计与实现

电可擦除可编程存储器(EEPROM)由于工艺结构的局限性而导致数据在存储过程中存在小概率的位反转问题。为解决该现象,设计了基于汉明码的纠错码(ECC)校验系统。结合EEPROM的结构特点和数据存储模式,该系统包含ECC校验码计算模块和数据检错纠错模块,每32 bit数据生成6 bit ECC校验码,具有1 bit/32 bit的纠错力。采用硬件描述语言Verilog HDL设计并实现了该ECC验证系统,并将其应用于基于串行外设接口(SPI)的EEPROM。仿真结果表明ECC验证系统可以保证数据的正确率,提高存储系统的可靠性。     

华虹NEC推出业界领先的0．13微米嵌入式EEPROM解决方案

上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）日前宣布,公司基于0．13微米嵌入式闪存（eFIash）工艺平台,成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM（电可擦可编程只读存储器）解决方案,充分展现了华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器（eNVM）技术上的领先地位和创新优势。     

集成EEPROM的温度传感器CAT34TS02

CAT34TS02新器件结合了12位（另加标记位）数字输出温度传感器和2Kb串行存在检测（SPD）电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）,用于高速个人电脑和膝上型电脑、显卡、服务器、电信设备和基站、环境控制系统及工业处理控制设备中的第三代双倍数据率（DDR3）应用。     

单片机大容量FLASHRAM的扩展

微机监控设备常常需要对监控的数据进行实时记录,以便于事后分析处理,为事故分析、设备故障诊断和维修提供准确可靠的信息,如飞机“黑匣子”、列车“运行记录器”等。数据信息的记录需要大数据容量和实时快速的读写速度,以及在掉电和复位等干扰下的可靠的数据保护。现在一般采用非易失性RAM(NVRAM)为存储介质,其缺点是没有硬件和软件写保护,在强干扰下,程序误写的概率大。新型闪速存储器（FLASHRAM)由于同时具有EPROM的可编程能力和EEPROM的电可擦写功能,又能像SRAM一样进行随机快速访问,因而越来越多的受到国内外的…     

JFFS:日志闪存文件系统

1闪存技术简介 1．1闪存 闪存是电子可擦写只读存储器（EEPROM）的一种，主要有两种类型——传统的NOR闪存和最近出现的价格更低廉的NAND闪存。这两种闪存有一个共同的特征——在被擦除的芯片中，每一个位都被置成逻辑1，可以被写操作置为逻辑0。闪存芯片以块的形式安排，通常NOR闪存一块的容量是128KB，NAND闪存是8KB。     

电可擦除集成电路的发展及关键技术（一）

电可擦集成电路包括电可擦可编程唯读存储器，闪烁存储器和可编程电可擦逻辑器件三大类。本文首先扼要回顾电可擦集成电路的发展历史，然后分别介绍ＥＥＰＲＯＭ，的原理，市场，最后给出了ＥＥＩＣ的关键技术。