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SiC_w/Si_3N_4复合材料制造中工艺因素的探讨EI 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了热压SiC_w/Si_3N_4复合材料的力学性能。得知:SiC晶须的长径比和表面状态、晶须在基体中的分散程度以及热压工艺参数均对复合材料力学性能有很大影响。对上述内容进行优化后,材料的力学性能得到提高。1000℃的断裂韧性值超过10MPa^(1/2)。 相似文献
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本文对稻壳合成SiC晶须(简称SiCw)的副产品SiC颗粒(简称SiCp,牌号BP)的合成及特性进行了研究,运用TEM、XRD等分析检测技术,对SiCp的形状、结构、粒度分布等进行了研究。研究表明:BP-SiCp呈无规则形状,以β-SiC为主要晶型。由稻壳生产的BP-SiCp,粒度小于10μm的占76%。此外,对BP-SiCp在复合材料上的应用进行了展望。 相似文献
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SiC颗粒强韧MoSi2复合材料 总被引:4,自引:0,他引:4
采用湿法混合及热压成型法制成不同体积百分比(10、20、30vol%)的SiCp/MoSi2复合材料。运用维氏压痕法对这些材料进行室温断裂韧性(K1c)的估算;测试了室温和高温(1200℃)的三点弯曲强度。实验结果表明,复合材料的力学性能都比MoSi2基材有较大的提高。 相似文献
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在较低的烧结温度下(1450℃)制备出钡长石(BaAl2Si2O8,BAS)含量为20wt%~100wt%的Si3N4/BAS陶瓷基复合材料,并对其进行了组织结构分析和力学性能测试。通过EDS研究发现无金属离子固溶入β-Si3N4晶格。随着BAS含量升高,Si3N4的α→β相转变量增加。Si3N4/BAS复合材料的室温抗弯强度随BAS含量增加选增后降。在1000℃、1100℃和1200℃时分别测试了复合材料的高温抗弯强度。 相似文献
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SiCw+B4Cp/MB15镁基复合材料力学性能与微观结构 总被引:13,自引:0,他引:13
对真空反压浸渍方法制备的挤压态SiCW+B4CP/MB15镁基复合材料及基体合金进行了一系列的力学性能测试,并用SEM观察增强剂分布与断口形貌,用TEM和EDS方法对复合材料的界面结构进行分析。研究结果表明,上述复合材料同基体相比有更高的强度、弹性模量和比强度、比弹性模量。深浸蚀SEM相分析表明均匀排布的晶须、颗粒起到很好的增强效果。复合材料的断口有晶须露头与韧窝存在,该复合材料具有一定的韧性;并在SiC/MB15界面上发现Zn析出相。 相似文献
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采用热压烧结工艺制备了纳米SiC颗粒和SiC晶须协同补强增韧的Si3N4基纳米复合陶瓷材料,并对其微观结构和力学性能进行了研究。结果表明:该复合材料室温抗弯强度达1080MPa,断裂韧性K1c值达11.7MPam^1/2。纳米SiC颗粒和SiC晶须对Si3N4基体具有较好的协同补强增韧作用。 相似文献
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Al2O3/TiB2/SiCW陶瓷材料的高温力学性能研究 总被引:6,自引:0,他引:6
采用热压法制备了不同SiC晶须含量的Al2O3/TiB2/SiCw复合材料.研究了该复合材料的强度、断裂韧性随温度的变化规律.结果表明:添加SiC、有利于提高材料的高温韧性和高温强度.晶须含量越高,高温增韧效果越明显. 相似文献
9.
Ag/Si3N4纳米复合材料的电学性质研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用干压方法制得了0-70vol%Ag弥散的Ag/Si3N4纳米复合材料。借助于SEM,EDS和复阻抗谱等方法研究了Ag/Si3N4复合材料的结构和反常电学性质。结果表明,纳米Ag粒子以μm尺寸的团聚体形式存在于纳米Si3N4基体中。 相似文献
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SiCW对TiB2/25SiCW陶瓷材料高温增韧效果的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用热压工艺制备了TiB2/SiCW陶瓷复合材料,结果表明:在TiB2基体中添加体积分率为25%的SiC晶须,可显著的提高材料的断裂韧性和抗弯强度,实验表明,TiB2/25SiCW陶瓷材料的断理解韧在1000℃内随温度的升高而增大,其原因是由于的升高使晶须径向残余压应力松驰,晶须拔出所需要的力FP减小,温度越高,晶须拔出越容易,能够被拔出的晶须量增多,拔出功增大,在低落曙下晶须以脆性断裂为主,在高 相似文献
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复合电沉积法制备SiC_p/Cu复合材料的工艺研究EI 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了用复合电沉积法制备SiC_p/Cu复合材料的工艺。结果表明,用复合电沉积法制备颗粒增强金属基复合材料是一种切实可行的方法。当镀液中SiC颗粒含量为15g/1,电流密度为4A/dm ̄2,电镀温度15~20℃,板泵搅拌时,可获得含有20vol%SiC_p的SiC_p/Cu复合材料。 相似文献
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SiC(w)/TZP+mullite陶瓷复合材料界面和组成设计与力学性能 总被引:2,自引:1,他引:1
本文从理论上分析了SiC(w)TZP+mullite(p)复合材料界面残余热应力及其在基质内的分布规律。提出在SiC(w)表面涂复Al2O3和在PZT中加入mullite(p)联合作用来降低晶须/基质界面残余热应力的界面设计方案,导出SiC(w)和mullite(p)协同补强PZT的匹配条件。制备了SiC(w)/TZP+mullite(p)复合材料并了SiC(w)表面涂层Al2O3厚度和SiC(w 相似文献
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从SiC晶须性能及晶须表面氧化层特性角度研究分析了SiC晶须特性对其在Si_3N_4陶瓷基体中补强、增韧行为的影响。结果表明,晶须的直径、长径比值正比于晶须补强、增韧Si_3N_4陶瓷基体的能力。表面粗糙晶须对Si_3N_4复合材料的强度影响不大,却能显著地改善其韧性。晶须表面氧化层增厚,表面氧化硅从Si-O单键形式转化成为SiO_2后,晶须在Si_3N_4基体中的补强、增韧效果非但没有降低,还略有增加。 相似文献
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研究了烧结助剂AIN 和B对Cf/SiC复合材料力学性能的影响。结果表明:B含量较低时(小于0.5w t% ),B的增加能有效地提高复合材料的抗弯强度与断裂韧性,继续增加B的用量至1w t% ,虽能大幅度提高复合材料的强度,但使复合材料的断裂韧性大大降低。AIN 与SiC高温反应形成固溶体,能起到强化和细化基体SiC晶粒以及改善SiC晶界结构的作用,但对复合材料内纤维与基体间界面的结合影响较小,因此与B的作用相比,AIN 对复合材料密度和力学性能的影响较小。烧结助剂为5w t% AIN-0.5w t% B,经1850℃和25MPa 热压烧结后的Cf/SiC复合材料具有较佳的综合力学性能,其抗弯强度与断裂韧性值分别为526.6MPa 和17.14MPa·m 1/2。 相似文献
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碳化硅陶瓷及其复合材料的热等静压烧结研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过采用热等静压(HIP)这一先进的烧结工艺,研究了Al2O3添加量对SiC陶瓷之显微结构与力学性能的影响。并成功地制备出Si3N4粒子以及SiC晶须补强的SiC基复合材料,结果表明:Al2O3是HIP烧结SiC陶瓷及其复合材料的有效添加剂,当添加3wt%Al2O3时,采用HIP烧结工艺在1850℃温度和200MPa压力下烧结1h就可获得密度分别高达97.3%、99.4%和97.0%的SiC的 相似文献
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本文采用机械混合Si3N4,AlN,Al2O3,Dy2O3和纳米β-SiC粉料,通过热压烧结,制备了10wt%纳米SiC颗粒增强,α-SiAlON复合材料,力学性能测试表明,在室温时复合材料的维氏硬度,压痕断裂韧性和三点弯曲强度比单相α-SiAlON略高,但复合材料的三点弯曲强度可以保持到1000℃,其值为时单相α-SiAlON的两倍,断口形貌表明复合材料的晶粒尺寸比单相α-SiAlON的小,这两 相似文献
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研究了以SiC晶须为增强剂和以聚碳硅烷为先驱体热解制备SiCw/SiC陶瓷基复合材料的成型工艺及其热物理性能。同时对SiCw/SiC复合材料高温氧化机理进行探索。制得的SiCw/SiC复合材料的密度为2.19/cm ̄3,弯曲强度为250MPa。 相似文献
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用纯金属粉料制备高性能SiCp/Al复合材料 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以Al,Cu,Mg等纯金属粉料及普通工业磨料用SiC颗粒为原料,借助于液相烧结及热挤压工艺,制备了10%SiCp/Al和20%SiCp/Al复合材料,并对其性能,基体成分的均匀性及SiC颗粒与基体界面的结合状况进行了测试分析。研究结果表明,按此工艺制备的10%SiCp/Al复合材料具有很高的力学性能,由于该工艺简单易行,无需特殊设备,故具有低成本的优点。本文试验还表明,过度强化热挤压工艺有时会 相似文献