高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管

水平沟道场控晶闸管(简称LFCT)是由垂直沟道场控晶闸管发展而来的,它具有开关速度快、与集成电路工艺兼容等特点。我们采用刻蚀V型槽来代替栅扩散,已制成最大正向阻断电压为200V,可关断电流为2A的LFCT,其正向电压阻断增益达40～200。     

场控晶闸管的测试研究

场控晶闸管较之普通晶闸管、门极可关断晶闸管具有正向导通压降低、开关速度高以及正向电压阻断增益高的优点,因此受到很大的关注。本文对场控晶闸管测试时由于测试电阻而造成门极“减偏压”效应进行了较为详细的分析。     

发射极开关晶闸管正向特性数值分析

本文在计算机二维数值分析的基础上，模拟了ＥＳＴ（ｅｍｉｔｔｅｒ＆ｓｗｉｔｃｈｅｄｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）正向工作时的载流子浓度，电流的变化过程，从而深入了解了ＥＳＴ正向工作特性，最后指出了ＥＳＴ正向工作时的五个工作区域。     

6000伏晶闸管正向压降的计算机模拟

介绍用数值分析方法对6000V特大功率晶闸管的正向压降进行计算机模拟,对降低正向压降的途径进行计算机辅助分析的一些基本考虑和主要结果。在强调重掺杂与大注入效应的时候,提出了一种修正的少数载流子寿命模型。根据模拟结果对决定正向压降的物理因素和工艺因素进行了讨论。     

正向栅控二极管的R—G电流直接表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区

使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE,对正向栅控二极管R－G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究,数值分析表明,由于栅控正向二极管界面态R－G电流的特征,沟道工程pocket或halo注入区的界面态会产生一个独立于本征沟道界面态R－G电流特征峰的附加特征峰,该峰的幅度对应于pocket或halo区的界面态大小,而其峰位置对应于pocket或halo区的有效表面浓度,数值分析还进一步显示了该附加特征峰的幅度对pocket或halo区的界面态变化的敏感性和该峰的位置对pocket或halo区的有效表面浓度变化的敏感性,根据提出的简单表达式,可以用实验得到的R－G电流的特征直接抽取沟道工程的pocket或halo注入区的界面态和的有效表面浓度。     

n型GaAs MESFET沟道特性的研究

报道了ｎ型ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ漏源电流Ｉｄｓ和栅源电压Ｖｇｓ间的关系,发现在负栅压状态下,沟道特性分四个区域：过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区,并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区的范围较大,过渡区的范围较小。     

声电输运器件的沟道特性研究

为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对器件工作特性的影响.     

场控晶闸管

本文回顾了场控晶闸管的历史,研究了国外此类器件的发展过程与趋势,分析了场控晶闸管的特点,总结了我们自己的经验,并提出相应意见。     

发射极开关晶闸管正向特性分析

本文在对发射极开关晶闸管ＥＳＴ正向特性二维数值分析的基础上，提出了ＥＳＴ正向工作时的五个区域，从剖面图及等效电路图出发，分区、分阶段对其正向特性进行了解析分析，最后将实验结果、解析分析结果及数值分析结果进行比较，发现数值分析结果和解析分析结果吻合较好，同时说明了解析结果和实验结果之间存在差别的原因。     

加热器功率调节器可控硅击穿故障分析

核电厂稳压器加热器功率调节器通过调节电路的导通和关断时间实现对加热器功率的调节.由于可控硅击穿故障,造成功率调节器工作异常.通过对功率调节器运行状况及故障可控硅的解剖分析,最终确定造成可控硅击穿故障的原因是器件内部存在绝缘薄弱点,并通过更换质量可靠的可控硅后,恢复了设备的正常运行.     

晶闸管软起动的典型应用

本文介绍了高压晶闸管软起动的典型应用,并详细阐述了其优缺点。     

通道参数对MPCA传播特性的影响分析

该文针对现有高功率微波武器辐射天线的不足,提出了将磁化等离子体通道用作电磁脉冲辐射天线的思想磁化等离子体通道天线(MPCA),分析了MPCA周围为有耗气体媒质时MPCA所传播的一般模式。简单阐述了MPCA的具体实现方法,根据MPCA的工作原理,建立了MPCA的几何模型,导出了广义柱坐标系下磁化等离子体中纵向场所满足的波动方程及纵-横的关系,利用边界条件导出了MPCA严格的特征方程。重点讨论了MPCA的传播常数随等离子体通道参数(等离子体频率和通道半径)的变化。结果表明,强磁场时等离子体频率对天线衰减常数影响增大,且有一极值出现。     

一种高速移动衰落信道的特性与分析

高速移动信道不同于一般的移动信道，其速度影响亦不可忽视，本文分析了高速移动信道的特性，提出了信道模型，并进行了性能分析。     

有限磁场中等离子体通道天线的辐射特性分析

为了弥补现有高功率微波武器辐射天线的不足,提出了等离子体通道天线(PCA),研究了该天线的辐射特性.根据PCA的工作原理,将PCA等效为电子在横向旋转、轴向漂移的均匀冷磁化等离子体束,且认为该等离子体束的横截面为沿轴向不改变的圆形;推导出了一般性天线的辐射方向函数;结合麦克斯韦方程和本构关系,得出了PCA的色散方程,求出PCA的表面波波矢.重点讨论了PCA的辐射特性随等离子体密度、天线长度、半径及纵向速度的变化,得出一些有益的结论,为PCA的实现打下坚实的理论基础.     

提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径

介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理，并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法，及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率，保护晶闸管器件的方法。