量子点红外光电探测器

美国南加利福尼亚大学和得克萨斯大学的研究人员联合研制出一种用于8μm～12μm大气窗口的量子点光电探测器。经过致冷的量子点探测器的性能可与目前的量子阱红外光电探测器匹敌，但比HgCdTe本征探测器约低一个数量级，其适合的应用包括夜视、目标跟踪和环境监测。量子点探测器对入射的辑射特别敏感(其中包括对垂直入射的辐射)，量子点中的长寿命载流子使得这种探测器具有更高的响应率、     

量子点红外光电探测器

美国南加利福尼亚大学和得克萨斯大学的研究人员联合研制出一种用于8μm～12μm大气窗口的量子点光电探测器。经过致冷的量子点探测器的性能可与目前的量子阱红外光电探测器匹敌，但比HgCdTe本征探测器约低一个数量级，其适合的应用包括夜视、目标跟踪和环境监测。     

远红外量子探测器

日本东京大学的一个研究小组已研制出一种利用掺杂 Al Ga As/Ga As异质结中的二维电子回旋共振的远红外光学探测器 ,其在 4.2 K时的响应率为 1 .1× 1 0 7V/W,比市场上出售的测幅射热计高 1 0 0 0倍。峰值探测率达 4× 1 0 1 3 cm· Hz1 / 2 /W,比市场上出售的测辐射热计高 1个数量级。该探测器长 1 67mm、宽 5 0 μm。它是以蛇形方式装在一个 4mm× 4mm区内的。红外辐射促使探测器的电阻率发生变化 ;在 1 80 μm处 ,灵敏度达到最高点。该研究小组用一个宽带远红外源作为定标源 ,对该器件进行了表征。为了使该探测器的性能充分显示出来 …     

生长在InP上的InAs量子点红外光电探测器

诸如量子阱红外光电探测器之类的子带问探测器在红外遥感中已得到广泛使用。经预测，量子点红外光电探测器的性能比量子阱红外光电探测器更好。美国西北大学的研究人员利用低压金属有机化学汽相淀积技术在InP衬底上生长了一种InAs量子点红外光电探测器。该器件结构由多个带有GaAs／AlInAs／InP热垒的InAs量子点叠层组成。其峰值波长和截止波长分别为6．4μm和6．6μm。在77K温度，当偏压为-1．1V时，该器件的探测率达到了1．0×10^10cm·Hz^1/2／W。     

高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵

为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08量子阱的带阶。对采用In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08和In0.2Ga0.8As/GaAs两种量子阱结构的器件的输出功率进行了理论模拟和比较分析。分别测试了上述两个列阵器件的脉冲峰值功率并利用由开启电压、阈值电流和串联电阻决定的p参数评估了列阵器件的输出性能。实验结果表明,当注入电流为110A时,发光面积为0.005cm2的In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.084×4VCSEL列阵获得了123 W的脉冲峰值功率,比具有相同发光面积的In0.2Ga0.8As/GaAs列阵器件的脉冲峰值功率大13%,前者相应的功率密度和斜率效率分别为45.42kW/cm2和1.11W/A。连续和脉冲工作下的p值分别为15和13,表明器件在两种工作条件下都具有相对较好的输出性能。得到的结果证明,包含3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱的4×4VCSEL列阵器件能够获得较高的功率输出。     

1024×1024GaAs量子阱红外光电探测器成像列阵

美国哥达德空间飞行中心、陆军研究实验室及喷气推进实验室的研究人员通过合作，已研制出一种1024像素×1024像素8．4pm～9．0pm红外焦平面列阵。这个具有1M像素的探测器列阵是一个混成器件，它是通过用点焊方法将洛克韦尔公司出品的TCM8050硅读出集成电路焊接在一个GaAs量子阱红外光电探测器列阵上制备而成的。研究人员将该列阵装入一个成像系统，     

太赫兹量子器件及其成像实验研究

本文简要介绍了工作于太赫兹（THz）波段的量子级联激光器、量子阱探测器的研究进展,主要介绍了器件在THz成像方面的实验研究,包括被动成像技术和扫描透射成像技术,其中扫描透射成像的最佳分辨率为0.5 mm。     

用非线性量子阱红外光电探测器对超短脉冲进行自相关测量

德国和加拿大的科研人员已联合研制出一种非线性特性已经优化了的量子阱红外光电探测器。这种探测器的三个等距能级产生的巨共振线性度使得光电流在光强度低达0．1W／cm^2时仍与平方功率有关。探测器中的双光子效应可用来对皮秒级的超短红外脉冲进行自相关测量。这种基于GaAs的量子阱红外光电探测器具有一个20周期的激活区，     

852 nm半导体激光器量子阱设计与外延生长

设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,用于解决852 nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题.基于理论模型,计算并模拟对比了InAlGaAs,InGaAsP,InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温度的漂移,结果显示,采用In0.15Al0.11Ga0.74As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的波长温漂稳定性.使用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)外延生长了In0.15Al0.11Ga0.74As/Al03Ga07As有源区,通过反射各向异性谱(RAS)在线监测和PL谱研究了InAlGaAs/AlGaAs界面的外延质量,实验证明了通过降低生长温度和在InAlGaAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得InAlGaAs/AlGaAs陡峭界面.最后,采用优化后的外延生长条件,研制出了InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.实验测试结果显示,其光谱半高宽为1.1 nm,斜率效率为0.64 W/A,激射波长随温度漂移为0.256 nm/K.理论计算结果与实验测试结果相吻合,证明器件性能满足在高温环境下工作的要求.     

采用超晶格的太阳盲紫外光电探测器

美国得克萨斯技术大学的研究人员目前正在利用大带隙器件中的短周期晶格的结构特性制作基于Al Ga In N的太阳盲紫外光电探测器。这种紫外光电探测器具有较高的 AIN含量 ( AIN含量越高 ,器件可响应的波长就越短 ) ,其超晶格的周期为 1 .4nm,这可以形成 2 60 nm的有效带隙。这种简单的台面型二极管是在无表面钝化的蓝宝石上生长的 ,它有两层超晶格层 (一层 n型掺杂层 ,一层 p型掺杂层 ) ,每层超晶格层有 1 5 0对量子阱。平均 AIN含量为 0 .63。经观测 ,在接近零偏压时 ,其暗漏泄电流为 0 .2 p A～ 0 .3p A;对于直径为 2 80μm的器件来说…     

单片集成的双波段红外探测器列阵

量子阱红外光电探测器（QWIP）技术已取得了显著的成就，因为它在宽波段和多波段两方面都实现了大规格的焦平面列阵。这些探测器基于Ⅲ-V族半导体材料，其在中波红外和长波红外（3μm～50μm）范围的光谱响应是可以专门确定的。     

美研制出暗噪声较小的电压可调谐超晶格红外探测器

据美国《Laser Focus World》杂志报道，探测波段位于3μm～5μm和8μm～12μm波长区的双色红外光电探测器对于遥测温度是有用的。提供两个探测波段的一种方法是在波段之间进行电压调节，然而，迄今为止，用于这种电压调节的技术都会使器件的暗电流变大，从而导致背景限温度上升。现在，美国普林斯敦大学、美国陆军研究实验室以及美国圣地亚国家实验室的研究人员已经联合研制出了一种背景限温度与单色量子阱红外光电探测器差不多的电压可调谐双色超晶格红外光电探测器。     

消息

美研制出暗噪声较小的电压可调谐超晶格红外探测器据美国《Laser Focus World》杂志报道,探测波段位于3μm~5μm和8μm~12μm波长区的双色红外光电探测器对于遥测温度是有用的。提供两个探测波段的一种方法是在波段之间进行电压调节,然而,迄今为止,用于这种电压调节的技术都会使器件的暗电流变大,从而导致背景限温度上升。现在,美国普林斯敦大学、美国陆军研究实验室以及美国圣地亚国家实验室的研究人员已经联合研制出了一种背景限温度与单色量子阱红外光电探测器差不多的电压可调谐双色超晶格红外光电探测器。研究人员为中波红外和长波红…     

基于CCD和CsI闪烁体的硬X射线成像

根据CCD的工作特点,采用曝光控制和多帧图像叠合技术,研制了基于CCD和CsI闪烁体的硬X射线成像探测器,以提高对硬X射线的探测效率。搭建了实验平台,以微加工技术制作的镍准直器为成像目标进行了实验验证。实验中,利用55Fe放射源对CCD进行直接成像;然后利用241 Am放射源同时对CCD和硬X射线成像探测器分别进行直接成像和间接成像。最后,对图像中出现的拖影、清晰度渐变和区域亮度不同等现象进行分析。分析结果表明:相比CCD本身,这种技术不仅拓展了探测器的可响应能区,而且提高了的量子效率,并且在241 Am放射源照射下,实现了对硬X射线的高分辨成像,其空间分辨优于50μm。该器件可作为位置灵敏探测器应用于未来空间天文观测。     

灵敏度提高两倍的新型量子点红外探测器

美国伦斯勒理工学院的研究人员日前开发出了一种基于纳米技术的新型量子点红外探测器（QDIP）。这种以金为主要材料的新型元件可大幅提高现有红外设备的成像素质，将为下一代高清卫星相机和夜视设备的研发提供可能。     

基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率分析

初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量。当805nm的控制光注入强度为6×103W/cm2(8×103W/cm2)时,在垂直材料表面内1μm深度处,对1.55μm(1.31μm)的传输光可以达到-1-0 2的折射率变化量级。与GaAs体材料相比,量子阱材料所需控制光强度能够减少约20%,有助于降低全光开关与全光调制器的功耗。     

一种新型色谱鉴定器——四极离子阱探测器

本文介绍一种新型气相色谱仪鉴定器——四极离子阱探测器(ITD)。这种新型探测器具有灵敏度高,动态范围宽,对所有有机化合物类型有良好的响应,可获得质谱数据等特点,而且小巧,价廉,操作简便可靠。     

基于微纳机械加工的THz单光子探测器及其应用

通过量子阱的子带跃迁光吸收改变自身带电状态来调控另一个量子阱中的二维电子横向输运特性,从而产生可探测的电导变化。这种双量子阱电容耦合的结构具有很高的非线性放大系数,从而具有很高的探测效率,响应波长可以从远红外设计至THz波段。针对器件特性设计增益可调读出电路,进一步研制成工业级微型光谱仪。     

聚焦扫描线阵相机量子效率测试系统

为了测量线阵图像传感器的量子效率,建立了一套基于聚焦扫描法的量子效率测试系统.该系统由照明光源、单色仪、扫描运动机构和标准探测器等组成,利用扫描运动机构带动线阵相机和标准探测器高精度匀速运动,使相机对生成的单色光斑扫描成像;切换线阵相机与标准探测器之间的位置,可实现对单色光斑能量的测量;最后分析计算线阵相机采集图像灰度...     

用于傅里叶变换红外光谱学的光电探测器

Vigo系统公司推出一种型号为PCI-2TE-13的、适用于傅里叶变换红外光谱学的光电探测器。这种探测器的响应光谱带宽为1μm～13μm，具有一个较宽的谱线输出范围，一个内在的两级珀尔贴制冷器使探测器的工作温度保持在220K-240K的范围。