废蚀刻液两种不同的处理与处置技术——循环再生技术与加工硫酸铜技术

当前我国PCB行业的废蚀刻液主要存在着两种典型的处理和处置方法：即循环再生技术与加工硫酸铜技术。文章分别从技术路线、资源利用以及环境影响三方面对二者进行了对比分析，得出如下结论：加工硫酸铜技术是一种实现部分资源回收且对环境仍然危险的技术．而循环再生技术不但实现了资源完全回收利用而且对环境没有任何危害．是一种清洁生产技术。     

膜电解法再生FeCl3蚀刻液的蚀刻性能研究

对某蚀刻厂的废蚀刻液通过膜电解工艺进行再生,并通过蚀刻性能条件实验研究了蚀刻时间、温度、蚀刻液浓度、蚀刻液游离酸含量等因素对蚀刻液 (新蚀刻液、在线蚀刻液、再生蚀刻液) 氧化还原电位和蚀刻速率的影响。结果表明,再生蚀刻液满足蚀刻要求,并且当蚀刻温度为50~60 ℃、蚀刻液浓度为再生蚀刻液浓度的90%、游离酸浓度为0.3 mol/L以上时,再生蚀刻液蚀刻速率最大。     

酸、碱性蚀刻液再生循环利用及铜回收设备

一、酸、碱性蚀刻液再生循环利用及铜回收设备简介 针对目前线路板生产过程的主要污染物之一酸、碱性蚀刻废液,在总结前人研究成果利弊的基础上,结合印制板生产中酸、碱性蚀刻过程的特点,自行开发了高效提取酸、碱蚀刻废液中的有价金属铜,同时循环使用保留在废液中的有用成分,及对提铜后的酸、碱性废液进行再生的全套工艺：整个工艺由提取铜、电解成紫铜板（纯度〉99．8％）、酸、碱性蚀废液再生。     

高浓度电镀废铬液循环利用的研究

为了减少铬对环境的污染,节省资源.以电镀废铬液为研究对象,通过氧化、沉淀的方法,将高浓度含铬废水进行净化处理后,采用单因素分析和正交相结合的分析方法将铬回收液复配成退镀液进行除铜.除铜效果显示除铜时间缩短且除铜效果良好.从而实现了废铬液的循环利用,为高浓度含铬污水的处理与利用找到了一条有效安全的途径.     

碱性蚀刻废液的再生与铜回收技术

本文介绍了一种萃取技术,可在生产过程中处理印制线路板生产的碱性蚀刻废液,使之脱铜后再生,实现碱性蚀刻废液的循环使用;运用反萃取技术使萃取剂复活循环使用;反萃取提取到的硫酸铜经电解为电解铜,电解液可循环使用.     

碱性蚀刻废液的再生与铜回收技术

本文介绍了一种萃取技术,可在生产过程中处理印制线路板生产的碱性蚀刻废液,使之脱铜后再生,实现碱性蚀刻废液的循环使用;运用反萃取技术使萃取剂复活循环使用;反萃取提取到的硫酸铜经电解为电解铜,电解液可循环使用。     

铸造废砂再生处理与节能技术的应用

在铸造连续生产过程中,芯砂不断地混入型砂中,循环总量增加的部分只有经过再生处理代替新砂用于制芯,才能实现系统的封闭循环.废砂再生示范工程通过机械与适温焙烧等节能处理工艺,消除较高的需酸值和粘结剂间的相溶性,使混合废砂经有效处理后,成为具有了焙烧砂的优良特性,能达到优于新砂用于冷、热、覆膜砂制芯的目的,成为高品质再生资源.为大批量湿型砂生产的铸造废砂再生的全面实现创造条件.     

中国再生铜冶炼技术现状与发展趋势

中国是铜资源短缺的国家,但又是世界上铜消费量最大的国家,再生铜的回收利用极大地弥补了中国市场对铜的需求。最近几年,中国政府对再生金属循环利用非常重视,一些企业和单位开始研发废杂铜处理技术和装备,并在一些大型再生铜冶炼项目中应用,为提升我国再生铜循环利用整体水平作出了积极贡献。     

引导生产要素向龙头企业聚集 提升再生铅产业集中度——废铅酸电池循环利用与清洁生产新技术交流会召开

2015年4月16日,由中国有色金属工业协会再生金属分会主办的废铅酸电池循环利用与清洁生产新技术交流会在湖南省韶山市召开,工信部、湖南省经信委、中国有色金属工业协会再生金属分会、韶山市、以及湘潭市经信委、韶山市直有关部门、相关行业协会、重点再生铅企业和铅酸蓄电池企业相关负责人、技术管理人员、再生铅生产技术装备供应商、高校及研究机构等产学研代表共130余人参加了会议。     

PCB酸性蚀刻液中不同缓蚀剂对铜蚀刻的影响及模拟计算研究

目的 研究苯并三氮唑(BTA)、苯并咪唑(BZI)和2-巯基苯并噻唑(2-MBT)3种缓蚀剂对酸性蚀刻液中铜的蚀刻速率和蚀刻因子的影响及作用机理.方法 采用静态挂片失重法计算蚀刻速率和缓蚀效率,利用金相显微镜测试蚀刻因子.通过塔菲尔极化曲线,研究缓蚀剂分子对铜腐蚀的影响.运用密度泛函理论,计算BTA、BZI、2-MBT...     

两种不同晶粒细化剂的对比分析

对比分析了自制Al-5Ti-1B中间合金和英国LSM公司Al-5Ti-1B中间合金的化学成分、微观组织和细化效果,自制的Al-5Ti-1B合金的成分优于英国LSM公司产品,Ti、B含量均高于英国LSM公司产品,而杂质元素Si和Fe含量均低于该公司产品,金相组织英国LSM公司产品较好。细化效果接近LSM公司产品。     

计算机模拟技术在生产中应用的两个实例

采用三维有限元数值模拟方法，将温度，相变，应力结合起来进行耦合计算，模拟了水口电站活塞杆的局部加热消除应力的热处理过程及小浪底电站用磁轭拉紧螺杆开裂事故分析。结果表明，模拟效果良好，可以解决生产中的实际问题。     

碱性蚀刻液影响因素的研究

为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件,提高工作效率,采用烧杯静态吊片蚀刻法,研究了影响蚀刻速率的因素.主要研究结果如下:1)在蚀刻时间为5min时,单因素试验得出的适宜的工艺范围为:Cu2+的质量浓度约为140～180g/L,Cl-的质量浓度为4.8～6.5mol/L,pH为8.2～9.0,操作温度为48～55℃;2)正交试验结果表明,在Cu2+的质量浓度为160g/L,Cl-的质量浓度为5.5mol/L,pH为8.8,操作温度为50℃时,蚀刻状态最好,静态蚀刻速率可达到5.84μm/min.     

Etching of Laminates with Hydrogen Peroxide in Sulphuric Acid Solution

Three types of nuclear reaction have been applied to study chromium conversion coatings on zinc electroplate. The 1005keV resonance in the ⁵²Crlp, Y)⁵³Mn reaction has been used to determine the depth versus concentration profile of chromium in the coatings, while the ¹⁵O(d,α) ¹⁴N reaction has been used to profile oxygen content, or particle induced elastic forward scattering of protons (proton recoil) was used to determine the hydrogen profile in the samples. The results suggest that the newly introduced trivalent type treatments produce coatings containing comparable water/hydroxide contents to the establishedhexavalent type treatments.     

铝合金固溶处理炉的技术关键

铝合金热处理的主要目的是提高强度和硬度，消除压力加工过程中所产生的内应力，使其获得均匀的成分、组织和性能。其基本方法有固溶处理、时效及退火等。为提高铝合金强度，通常采用固溶热处理。针对铝合金固溶处理工艺特点，介绍了我厂设计、制造铝合金固溶处理炉及其两个重要的技术关键问题。     

研究蚀刻液稳定性的一种方法

为了得到更好的蚀刻效果,有必要研究蚀刻液的稳定性,因而研究方法显得尤为重要。研究了3组各成分含量不同的蚀刻液的稳定性,通过原子发射光谱法测得蚀刻液中Ni2+浓度,并间接计算出腐蚀量,对比考察了根据蚀刻速率-腐蚀量的关系和蚀刻速率-时间的关系研究蚀刻液稳定性这2种方法。实验结果证明:根据蚀刻速率-腐蚀量的关系研究蚀刻液的稳定性具有可行性,且更具优越性;同时,3种蚀刻液中,1B42稳定性最好,且该蚀刻液的最大金属腐蚀量为3 g/L。     

金刚石表面刻蚀技术研究进展

金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技术是实现金刚石上述应用的关键所在。常见的刻蚀技术可根据刻蚀剂的物相分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、固相刻蚀、气固相混合刻蚀、等离子刻蚀这五类。熔盐刻蚀是利用熔融离子化合物对金刚石表面进行刻蚀,其刻蚀机理主要是金刚石碳原子的氧化过程。气相刻蚀是利用氧气等气体与金刚石表面发生气固相反应,使金刚石中的碳原子变为一氧化碳等气态化合物进行刻蚀。气固相混合刻蚀主要是以镍、铂等金属作为催化剂,辅助氢气与金刚石发生反应生成甲烷,对金刚石进行刻蚀。固相刻蚀是金刚石合成的逆过程,主要用铁钴镍及其盐对金刚石进行催化石墨化,之后这些金属作为溶剂形成碳固溶体对金刚石进行刻蚀。等离子体刻蚀主要是用氧等离子体与金刚石发生反应,对金刚石进行刻蚀。文章着重介绍了这五种金刚石表面刻蚀技术近年来的研究进展,简要分析了这些技术的原理、特点与用途。     

Etching Effect on CMP of Different GaN Layers

Chemical mechanical polishing (CMP) was used to etch various GaN materials, such as GaN layers on sapphire and silicon carbide substrates grown by metal-organic chemical vapor deposition and thick GaN layers grown by physical vapor transport. It was found that CMP could reveal the dislocations in GaN surfaces due to a selective etching component. After the optimization of CMP condition, the surface finish improved and the subsurface damage was almost completely removed, demonstrated by atomic force microsco...