利用消光式椭偏仪精确测量波片相位延迟量

采用消光式椭偏仪精确测量波片的相位延迟量。从理论上分析了椭偏仪测量波片相位延迟量的可行性,重点讨论了标准1／4波片及待测波片的相位延迟量误差对测量精度的影响,并给出相应的实验验证。实验表明：该方法测量过程简单,方便,易受光强波动的影响,测量相位延迟量重复性精度达0．02°,相对误差为0．02％,是一种实用及有效的波片相位延迟量测量的方法。     

利用调制式椭偏仪测量薄膜电光系数

利用调制式的椭偏仪测量了掺镧锆钛酸铅PLZT薄膜的电光系数．首先用反射椭偏测量的方法得到薄膜的折射率(n)和厚度(d),然后利用透射椭偏在线测量的功能,在样品上加电场(E),得到薄膜的折射率的改变8n．最后用测量得到的厚度,折射率以及折射率的改变来计算薄膜的电光系数．该仪器的灵敏度很高,很适合较薄的膜层材料电光性质的测量．     

椭偏仪的研究进展

主要介绍了椭偏仪的测量原理,比较了不同结构的椭偏仪,并根据具体应用需求介绍了椭偏光谱仪、红外椭偏光谱仪、成像椭偏仪和广义椭偏仪,分析了椭偏仪的数据处理过程,最后展望了椭偏仪的发展趋势.     

国外椭偏仪性能简介

各种薄膜工艺参数和质量(厚度、折射率的数值及其均匀性等)的精确、快速测定和控制,在半导体器件生产、研制中有着极其重要的作用.现综合评述美国Rudolph研究公司应用材料公司、Gaertner科学公司和Sagax国际公司开发的从手动到自动椭偏仪系列的几代椭偏仪产品,并和其它薄膜厚度测量技术进行比较.     

椭偏仪测量吸收膜光学参数入射角的选择

本文介绍了利用双入射角法测量吸收薄膜的光学参数,适当地组合和选择入射角可提高测量的灵敏度。     

椭偏仪数据处理及误差修正

提出了一套对椭偏仪的测量误差进行有效修正的方案,设计了一个Windows版的椭偏仪测厚数据处理软件,并在该软件中嵌入了对测量数据的误差进行修正的方法,使椭偏仪的最终测量结果更加精确。制作了30片厚度梯度分布的标准样片（厚度20nm～1μm）,用于从“软”、“硬”件两个方面对椭偏仪进行误差修正,使最终的误差小于1％。本文所提出的修正方案具有一定的普适性、实用性。     

自动椭偏仪及其在LCD膜系测量中的应用

简要介绍了椭圆偏振测量术的基本原理,并对自动椭偏仪进行了介绍。由于自动椭偏仪具有无损探测、测量准确度高和测量迅速等特点,它非常适合用于LCD薄膜系统光学性质的在线测量。     

AUEL—Ⅲ型自动椭偏仪

本文介绍了我们研制成功的实用化的ＥＬ－Ⅲ型自动椭偏仪，经专家鉴定和用户使用证明本仪器的实用化和实用化和商品化程度高，功能和技术指标与国外同类产品相当，达到国际先进水平。     

石英晶体最大双折射率色散特性的椭偏测量

为了测量石英晶体最大双折射率的色散特性,在椭偏光谱仪的水平透射测量模式下,通过对确定厚度的石英波片相位延迟量的精确测量,计算出了石英晶体的最大双折射率值,并进行了误差分析。结果表明:这种方法光路简单、操作方便,屏蔽了光源的不稳定性;双折射率测量精度达到了10-6,比连续偏光干涉法的测量精度提高了1个数量级;实现了对石英晶体的最大双折射率色散特性的连续光谱测量;此方法对其它双折射晶体材料的双折射率色散特性的研究也同样适用。     

高精度双臂消光全自动椭偏仪的研制

应用于横向磁场的Kerr效应,磁光效应较小,尤其是石榴石材料要用常规仪器测出其反射相移和反射比随磁场的变化比较困难,为了测量的需要,必须有一种接近于实用情况的测量方法,仪器的精度要达到可以敏感出万分之一度的相移,为了解决这一问题,我们在常规椭偏仪的基础上采用了小抖动调制消光和磁光角度放大方法,运用扫场控制与微弱信号检测技术,研制成功了高精度双臂消光全自动椭偏仪。并对各种误差因素进行了理论     

利用椭偏仪研究氢气退火处理对ZnO-Ga薄膜光学性能的影响

通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的ZnO透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分析,所有薄膜均表现为六方纤锌矿结构,经过氢气退火处理之后,薄膜的电学性能均得到提高,当Ga掺杂含量为5 at%时,得到薄膜的电阻率为3.410×10-3 Ω·cm.利用可变入射角椭圆偏振光谱仪(VASE)在270~1 600 nm波长范围内研究了GZO薄膜折射率和消光系数的变化,采用双振子模型对实验数据进行拟合.     

椭偏仪测试数据处理的Windows软件的开发

本文提出了一种在Windows环境中用面向对象的类库OWL构造数据处理系统的方法，建成了数据处理系统的一系列子类，讨论了程序设计中的关键问题，并以此方法实现了基于Windows环境的椭偏仪数据处理系统。     

红外自动椭偏仪最佳测试条件的研究

宽波段工作的自动红外椭偏仪的测量精度主要受探测器噪声的限制。本文分析了光学薄膜参数n和d的测量精度如何随测量条件(如起偏器、检偏器的方位角和入射角)而变化,并提出选择最佳测量条件的方法。最后,给出具体实例的计算结果并与实验结果进行了比较。     

外差椭偏测量技术及其混频误差分析

结合激光外差干涉术和反射式椭偏测量技术,设计了一种抗干扰能力强,快速、高精度 测量纳米厚度薄膜光学参数的方法。着重分析并计算了非线性混频误差对测量精度的影响,其中塞曼激光和波片产生的光束椭偏化是关键因素。定义了评价因子以比较非线性混频误差的相对大小,这对外差椭偏纳米薄膜测量系统的设计有指导意义。     

椭偏法在光学薄膜测量中的应用价值

椭圆偏振法是一种测量表面和薄膜特性的精密方法。它具有两个优点:第一,它的测量灵敏度很高,特别是偏振参数Δ对表面或薄膜参数的微小变化有灵敏的反应;第二,它可以测量多种参数。测量中直接得到的是偏振参数Δ、ψ,然后根据不同的测量对象可以进一步求得各种不同的参数。到目前为止,在半导体表面和电化学过程的研究中已经广泛应用椭偏法,但是它在光学薄膜领域内始终只有有限的应用。在本文中,我们将结合工作体会讨论椭偏法在光学薄膜的各项测量中的应用价值。首先简单介绍目前使用的两种椭偏仪:消     

椭偏法测量极化聚合物的电光系数

研究了利用椭偏技术进行极化聚合物电光系数测量的方法。基于简化模型推导了γ３３的计算公式，讨论了这种方法的有效性。     

正确使用多次测量法提高椭偏测量精度

通过分析椭偏测量的复杂性可知椭偏角高精度测量的重要性 ,针对曾认为可提高测量精度的多角度测量法在不恰当地增加入射角时极易破坏求解收敛性得到伪解的情况 ,提出了在测量误差一定和合适数目的多入射角时分别进行单角度多次数测量椭偏角来提高薄膜参数精度的方法 ,并对不同搜索范围和不同测量误差时的诸多情况进行了大量模拟计算。此方法能有效避开伪解、得到高精度的稳定真值 ,是提高椭偏测量精度的有效方法之一。     

斯托克斯椭偏仪仪器矩阵的条件数评价研究

斯托克斯椭偏仪一般使用定标的方法来测量其仪器矩阵,其仪器矩阵的优劣直接影响了被测光线斯托克斯参量的精确度与稳定度,从而影响了被测薄膜的厚度、折射率及消光系数等光学参数的精确度与稳定度。文章以椭偏参数总偏差为评价函数,分析了条件数大小与斯托克斯椭偏仪仪器矩阵的优劣关系,并从实验上证明了条件数较大时,仪器矩阵较差,测量结果偏差大;条件数较小时,仪器矩阵较优,测量结果较佳。     

马赫-曾德尔外差干涉椭偏仪非线性误差分析

马赫-曾德尔外差干涉椭偏仪是一种重要的光偏振态实时测量技术。为了提高测量系统的精度、降低误差,采用外差干涉光路分析和数值模拟的方法,理论推导了透射式马赫-曾德尔外差干涉椭偏仪光路的误差公式。结果表明,光源偏振的椭圆化程度,偏振分光棱镜消偏比及倾斜都能引起测量误差;同误差参量下待测光束不同的椭偏比和s,p分量相位差得到的测量误差不同;马赫-曾德尔外差干涉仪的误差结果与迈克尔逊外差干涉仪相近。     

用AES及椭偏仪研究硅上超薄氧化层

<正> 一、引 言 硅片上厚度在6A|°-50A|°范围内的超薄氧化层的性质已引起人们的广泛注意.因为它不仅在一些半导体器件制造中起关键作用,而且对Si-SiO_2界面性质的研究也有重要意义. 用椭偏仪测量50A|°以下的氧化层厚度,除了仪器的灵敏度外,尚需解决数据处理问题.在此厚度范围内椭偏参数ψ非常接近,因此不能像厚膜那样,依据ψ、△同时确定膜的折射率和厚度.我们的计算结果表明,在10A|°以内及在20A|°-50A|°范围内,由折射率