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本文论述了在InP衬底上用InP、InGaAs和/或InAlAs构成的异质结双极晶体管的现状及展望。着重强调了超高电子速度的重要性。阐述了自对准制造技术,提出了适于微波功率应用的宽禁带集电区器件和适于数字应用的低开启电压Vbe器件。用这些器件构成的分频器可工作到17GHz。 相似文献
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报道了具有最高单位电流增益截止频率(fT)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作,器件的fT值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层电阻(Rbi)17kΩ/□,发射极宽0.9um,该器件用SiGe作基底材料,采用多发射极双极工艺制作,其75GHZ的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍,45nm基区中的Ge是缓变的,这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场,因而本征渡越时间仅为1.9ps。 相似文献
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八十年代以来,微波半导体技术的迅速发展,应用领域不断扩大,为适应微波、毫米波半导体技术的发展,近年来已出现不少新结构、新器件,如异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁移李晶体管(HEMT)、双极反型沟道场效应晶体管(BiCFET)调制掺杂场效应晶体管(MOFET)、谐振隧道晶体管(RTT)、负阻效应晶体管(NBERFET)、毫米波混合隧道雪崩渡越时间(MITATT)二极管、超导器件及量子器件等。本文主要叙述异质结双板晶体管的最新进展及其应用。 相似文献
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本建立了包括空间电荷区复合电流在内的缓变异质结双极晶体管(HBT)的分析模型,对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,缓变发射结中可有效地消除导带边的势垒尖峰,但也会大大增加空间电荷区中的复合,导致小电流情况下电流增益的明显下降,发射结界面附近的不掺杂隔离层会进一步增大空间电荷区内的复合,加剧电流增益的下降,因此在器件的设计和制作过程中,应精确控制组分缓变区和不掺杂隔离层的厚度,以减小空间 相似文献
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随着微波半导体技术的发展,近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展,包括AlGaAs/GaAs,InP/InGaAs,GeSi等开发现状和性能参数达到的水平。 相似文献
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本文提出了一种制作HBT采用的垂直台面结构自对准工艺.利用该工艺及对A1GaAs/GaAs具有高选择比的化学湿法腐蚀剂,已研制成微波HBT.发射区台面与基极电极间隙为0.1μm,最大直流电流增益为40,截止频率f_T为10GHz. 相似文献
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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。 相似文献
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苏里曼 《固体电子学研究与进展》1991,11(4):286-290
本文提出和制作了双基区条准平面InAIAs/InGaAs HBT.准平面和低基区电阻是该设计的主要特点.文中介绍了制管工艺.直流特性的测量表明,器件的共发射极增益h_(fe)为50左右. 相似文献
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