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相似文献
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1.
对p-InGaAs的Au/Pt/Ti欧姆接触提供了一种新的制造技术,即在淀积金属之前采用阳极氧化和低能Ar~+离子溅射腐蚀。从RTP之后提供的具有极好均匀性和一致性的低电阻率接触看出,这种清洗工艺优于湿法化学预清洗。  相似文献   

2.
方芳  S.S.Lau 《半导体学报》1990,11(6):475-477
用离子束混合Si(700A)/C样品,在天然Ⅱb型金刚石上形成了梯度能带接触。选用Ge~+为注入离子,在能量120keV,剂量2.0×10~(16)cm~(-2),温度700℃下进行离子束混合。Rutherford背散射显示:有3—4%的Si与金刚石混合。红外吸收谱发现了Si—C键的形成,这表明形成了Si/SiC/C的梯度结构。Ⅰ—Ⅴ特性说明了离子束混合和高温热退火有助于欧姆接触的形成。而没有经过离子束混合的样品显示了Ⅰ—Ⅴ开路特性。  相似文献   

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