蓬勃发展的GaAs MMIC──1994 IEEE GaAs IC讨论会侧记

本文简要介绍了１９９４年ＧａＡｓＩＣ讨论会概况以及所展示的ＧａＡｓＭＭＩＣ的进展，并侧重于其应用领域的介绍。     

GaAsMMIC双栅MESFET混频器设计与实验研究

对微波单片集成 (简称 MMIC)双栅 MESFET混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究。根据双栅 MESFET的理论分析与实验结果 ,建立了一种栅压调制 I- V特性的经验模型 ,推导了双栅 FET混频器变频增益公式。分析了栅压对改变非线性跨导在混频器中的作用。最后设计并加工出了芯片面积为 0 .75 mm× 1 .5 mm Ga As MMIC双栅 FET混频器。     

栅结漏电流对GaAsMMIC中平面肖特基二极管C—V特性的影响

构造了考虑栅结漏电流影响的平面肖特基二极管电容计算模型，并用此模型对同一结构不同漏电流的肖特基二极管作了计算分析，计算结果显示，所构造模型与实验结果符合得很好，同时揭示出栅结漏电流对Ｃ－Ｖ特性克有影响。这种影响表现为，在一定的栅压范围内，随着栅结电流的增大，Ｃ－Ｖ曲线明显上抬，文中还与其它未考虑栅结漏电流影响的模型作了对比。     

GaAs MMIC在移动通信中的应用

便携式无线通信系统是ＧａＡｓＭＭＩＣ潜在的民用大户。在简要陈述该新兴市场现状及前景的基础上，着重讨论ＧａＡｓＭＭＩＣ占据该市场并成为其核心技术的策略。     

微波／毫米波砷化镓单片集成电路及其应用（2）

主要介绍国外微波／毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。     

提高砷化镓功率MMIC中电容成品率的研究

金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容量影响ＧａＡｓ微波单元集成电路（ＭＭＩＣ）成品率的主要原因之一，ＰＥＣＶＤ氮化硅膜又是影响ＭＩＭ电容质量和成品率的主要因素。本文通过实验和分析，提出了提高氮化硅膜质量和减少薄膜针孔的方法，结果大大提高了ＭＩＭ电容ＧａＡｓＭＭＩＣ的成品率，降低了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的成本。     

GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究

本文介绍了GaAs MMIC的可靠性研究与进展，重点介绍了工艺表征工具（TCV）、工艺控制监测（PCM）和统计工艺控制（SPC）等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术，为国内GaAs MMIC可靠性研究提供了新的思路。     

砷化镓微波单片集成电路的失效分析

通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因。     

砷化镓集成电路的成品率技术

本文介绍有关砷化镓单片电路成品率技术的最新进展。阐述了成品率驱动设计策略的原理。     

砷化镓集成电路技术的新进展——1998年IEEEGaAsIC国际会议

作为第２０届盛会，１９９８年ＩＥＥＥ砷化镓集成电路国际会议于１１月１日至４日在美国佐治亚洲首府亚特兰大市的ＷｅｓｔｉｎＰｅａｃｈｔｒｅｅＰｌａｚａＨｏｔｅｌ举行，赴会者超过３００人。正式会议共３天，除大会报告外，分１２个专题，共宣读了５６篇论文。分别涉及毫米波放大器、功率放大器、有源器件模型化、高速信号（４０ＧＢ／ｓ）混合电路与大规模集成电路、超高速集成电路、频率变换技术、高集成信号处理技术、车用ＧａＡｓ技术、ＨＢＴ技术、ＦＥＴ技术以及新型高性能电路、新的制造工艺等领域。会议期间还进行了各大公司…     

DC—1．5GHzGaAs单片集成跨阻放大器

介绍一种采用8个砷化镓FET和7个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为DC－1．5GHz，增益Ga≥18dB，噪声系数Fn≤4．3dB(f=400MHz，Rs=RL=50Ω）。     

8毫米GaAs功率单片集成电路

介绍了以栅宽０．４ｍｍ器件为基础的８ｍｍ单级单片ＩＣ的设计、制造及性能测试等。该单片在３２￣３３ＧＨｚ，输出功率大于１００ｍＷ，增益大于３ｄＢ，最大输出功率达１５０ｍＷ。     

GaAs单片电路封装

简述了微波在封装中的传输特性，以及不同封装型式和材料的ＧａＡｓＭＭＩＣ封装，介绍了多层共烧陶瓷在ＭＭＩＣ封装中的应用。最后，综述了国外ＧａＡｓＭＭＩＣ的最新封装与互连技术。     

Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC

报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片。芯片采用四级放大拓扑结构,在29～32GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25dB,线性增益平坦度小于±0.75dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22dB;1dB压缩点输出功率大于36.5dBm,效率大于18%。     

GaAs PHEMT超宽带六位数控延时器芯片

研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理,基于GaAs PHEMT工艺,设计了一款超宽带数控延时器芯片,该芯片具有超宽带、大延时量和小尺寸等优点,主要用于有源相控阵雷达中。微波在片测试系统对该6位延时器芯片实际测试结果显示,在3~17 GHz范围内,延时调节范围为10~630 ps,64态延时均方根(RMS)误差小于8 ps,全态插入损耗小于22 dB,插损波动小于±1 dB,全频带输入输出电压驻波比(VSWR)小于1.7,整个芯片尺寸仅为4.0 mm×2.6 mm×0.07 mm。实测结果与理论仿真结果吻合良好。     

基于GaAs变容二极管的电调滤波器芯片设计

介绍基于GaAs变容二极管工艺的电调滤波器芯片的研究与设计,包括变容材料制备、二极管模型建立以及电路设计。设计数款电调滤波器,工作频段范围覆盖1~19 GHz。测试结果显示,电调滤波器具有超过一个倍频程的调谐范围,器件击穿电压大于+30 V。本文选取中心频率为2~5 GHz可调的一款电调滤波器进行详细介绍,控制电压范围为0~15 V,插入损耗在10 dB左右,输入和输出驻波(电压驻波比)均优于1.8。设计的系列化电调滤波器具有一致性高、小型化、低成本和免调试等优势,拥有良好的应用前景。     

新颖的超小多倍频程5位GaAs数字移相器

介绍一种新颖的超小型多倍频程5位GaAs MMIC数字移相器的设计，制造和性能。电路拓扑特定选择工艺参数变化对电性能影响最小的方案，22.5℃和11.25℃相移位采用共享一个兰格耦合器的电路拓扑，在5GHz～20GHz频率范围内，获得低峰值相移误差≤5&;#176;对180&;#176;、90&;#176;、45&;#176;相移位，≤2.5&;#176;对22.5&;#176;和11.25&;#176;相位移；低输入/输出驻波比≤1.8；低插入损耗起伏（10dB&;#177;0.8dB）和小芯片尺寸（4.2mm&;#215;2.5mm&;#215;0.1mm）。     

GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模

论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。