OLEDs中CuPc缓冲层作用的AFM与XPS研究

利用AFM对CuPc/ITO样品表面进行扫描,发现其生长较均匀,基本上覆盖了ITO表面的缺陷,且针孔较少.通过样品表面和界面的XPS谱图分析,进一步证实了这一结果,同时发现,CuPc可以抑制ITO中的化学组分向空穴传输层的扩散.有利于器件的性能的改善和寿命的提高.     

XPS在聚合物表面降解研究中的应用

所有固体聚合物材料都是通过其表面与外部环境发生联系，因此，研究材料最表层几十埃区域内所发生的化学结构和组成变化，对于了解聚合物系统与环境的相互作用具有重要意义。本文详细介绍了Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）在聚合物表面降解研究中的应用。     

聚丙烯腈纤维炭化过程中纤维表面的XPS研究

采用X射线光电子能谱（XPS）技术测定了聚丙烯腈（PAN）原丝及其在预氧化和不同炭化阶段的纤维的表面元素含量及其结合态，并对不同阶段中各元素的结合态的变化进行了分析，发现，原丝上由于表面处理存在大量Si元素，预氧化过程主要清除了原丝表面上易挥发的低分子化合物，O，N，Si的结合态未发生明显变化，在炭化过程中，C，O，N，Si则以多种结合态形式存在，在炭纤维表面上含有相当数量的含氧官能团。     

立方氮化硼薄膜表面的XPS研究

研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90,较接近于氮化硼的理想化学配比11;不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86,离氮化硼的理想化学配比11较远.计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8nm.     

微通道板电极表面的XPS分析

为探索微通道板的噪声来源，利用Ｘ射线光电子能谱对国内和国外ＭＣＰ电极表面进行组分分析。实验发现，在国外ＭＣＰ电极表面上只检测Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃ，Ｏ等谱峰，而在国内的ＭＣＰ电极表面还检测到Ｋ，Ｎａ，Ｓｉ等原子谱峰，且在国产未镀电极的ＭＣＰ表面检测出Ｋ的原子谱峰。     

爆轰裂解可膨胀石墨制备石墨微粉

在不改变石墨原始结构与成分的基础上,利用冲击波对可膨胀石墨进行爆轰,收集爆轰灰,进行X射线衍射、SEM的测量分析以及BET法测定比表面积。结果表明,可膨胀石墨经过爆轰后,得到了颗粒大小为1μm～10μm的石墨粉,比表面积由8.096m^2/g增大至47.48m^2/g,并且孔隙变得更为均匀,常规研磨设备是无法达到这种效果的。为石墨的细化提供了一种更为简便快捷而又节省能源的方法。     

微通道板电极表面的XPS分析

为探索微通道板的噪声来源，利用X射线光电子能谱对国内和国外MCP电极表面进行组分分析。实验发现，在国外MCP电极表面上只检测到Ni，Cr，C，O等原子谱峰，而在国内的MCP电极表面还检测到K，Na，Si等原子谱峰，且在国产未镀电极的MCP表面检测出K的原子谱峰。分析认为，MCP体内的K有向表面偏析的现象；MCP电极表面上的杂质，如K，Na，Si等是MCP噪声来源之一；国产MCP表面的杂质不仅与MCP镀膜材料纯度、系统真空度有关，而且还与电极膜层的致密性有关。     

氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS探究

为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O)∶n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.     

XPS在复合材料中的应用

有关XPS在化学分析中的应用,近年来是发展非常迅速的一门学科.本文着重介绍XPS技术在复合材料中的应用,如纤维处理前后的表面元素、表面基团及其含量、树脂固化度、表面接枝度以及表面酸碱性等等的测定.      

细鳞片与大鳞片膨胀石墨微观结构的比较研究

用混酸（浓硫酸、浓消酸）、强氧化剂处理天然鳞片[大鳞片（-60～＋80目），细鳞片（-140～＋160目）]石墨，制得可膨胀石墨，再经高温膨胀得膨胀石墨。采用SEM对两各种膨胀石墨的形貌进行观察分析，发现不同粒度的石墨获得的膨胀石墨其微观孔结构的特征基本相同，但尺寸上存在较大的差异。采用XRD对原料石墨、可膨胀石墨和膨胀石墨的结构作了分析，通过层间距变化、衍射峰出现与消失的情况，判断出不同鳞片大小的石墨在氧化、膨胀过程中发生了相同的变化，从而证明了不同鳞片大小的石墨的膨胀机理是相同的。     

用X射线光电子谱研究Pt和CeO2间的相互作用

用X射线光电子谱研究了CeO2和Pt间的相互作用,探讨了通过相互作用能提高CeO2的氧化还原反应活性的机理,并与通常的金属和载体强相互作用的机理进行了比较.对高结合能端O1s峰和表面O-离子的产生过程进行了讨论.     

膨胀石墨的形貌、成分与结构变化研究

膨胀石墨是重要的工业应用材料,但其微观形貌、成分与晶体结构随膨胀倍率的变化规律认识仍不足。选择 H 2 SO4+HNO3+KMnO4+FeCl3作为插层氧化体系,通过对鳞片原料石墨化学氧化制备出可膨胀石墨,分别在400℃、600℃、800℃、1000℃下膨化处理获得不同的膨胀石墨。针对上述几种石墨,采用 OM、SEM、EDS、XRD等技术对比研究了其形貌、成分与结构的变化。结果表明,原料石墨、可膨胀石墨与膨胀石墨分别呈现层片状、褶皱状和蠕虫状的微观形貌,插层物主要由 S 与 O 组成,膨胀石墨的 S 与 O 含量显著低于可膨胀石墨,且其含量随着膨化温度提高逐渐降低。这些石墨具有相同的密排六方结构,其中可膨胀石墨的晶格常数显著大于原料石墨,反映出插层后石墨结晶度的严重劣化。膨胀石墨的结晶度稍差于原料石墨,但压片处理后得到改善,更高温度膨化的石墨改善更加明显,且优于原料石墨,这预示着高温膨化石墨的应用可塑性更强,具有更好的应用前景。     

膨胀石墨CuCl2-NiCl2-层间化合物磁性研究

在膨胀石墨ＣｕＣｌ_２－ＮｉＣｌ_２－ＧＩＣｓ合成和电性研究基础上,采用ＭＯＤＥＬ１５５振动磁强计测量了ＧＩＣｓ在０～７．９５８×１０^５Ａ／ｍ磁场强度下的磁化强度、磁化率．发现ＣｕＣｌ_２－ＮｉＣｌ_２引入石墨层间,形成ＧＩＣｓ后磁性升高．与膨胀石墨相比,ＧＩＣｓ的磁化率大约提高了２～３个数量级．ＧＩＣｓ的磁性不但由石墨的抗磁性转变成为顺磁性,磁化曲线斜率由负变正,而且随着阶结构、 ＣｕＣｌ_２和 ＮｉＣｌ_２比例变化, ＧＩＣｓ磁性发生变化．氯化镍含量在 ５０％以下,表现为强烈的顺磁性;５０％时,磁化曲线出现最大值,表现为铁磁性．＞５０％,达到６０％、８０％时,铁磁性更明显．ＧＩＣｓ阶数升高,铁磁性降低．     

X-ray photoelectron spectroscopy on implanted argon as a tool to follow local structural changes in thin films

Argon ions were implanted in metallic, semiconducting or insulating substrates, and investigated with X-ray photoelectron spectroscopy. Analysis of the Ar2p core level of argon showed clear differences in binding energy position and width as function of the matrix material, implantation energy, and post-annealing treatment. Although argon is not expected to form chemical bonds with the host matrix, the electronic shells within the gas atom can react to their environment according to different effects. It is shown that the precise determination and correct interpretation of the binding energy levels of the embedded gas atoms provides information about the local environment of the matrix such as amorphization of the crystalline structure, defect healing or gas bubble formation.     

曝光量对DCG中Cr2P_(3/2)XPS谱的影响的研究

通过对不同曝光量的重铬酸盐明胶(DCG)中的Cr2P3／2XPS（X射线光电子能谱）的规定发现，Cr2P3／2XPS谱随曝光量呈规律性的变化：在0～195mJ／cm2曝光量范围内，它的1／5高宽度（FWFM，即：thefullwidthatfifthmaximum）和576．4eV附近的峰的相对强度先随曝光量增加而增大，到达极大值后又随曝光量的增加而减小；相反，它的579．4eV和577．4eV附近的两个峰的相时强度却是先随曝光量的增加而减小，达到极小值后又随曝光量的增加而增大。对这些不同曝光量的DCG膜定性地水洗处理后，曝光量为130mJ/cm2的全息图最均匀、明亮；曝光量为195mJ／cm2的全息图衍射效率很低，且有残余黄褐色。根据这些实验结果和固态膜反应的特点，就曝先对DCG微观结构引起的变化作了分析，确定出了贡献各峰的化合物状态并科学准确地找到了Cr2P3／2XPS谱随曝光量成规律性变化的本质原因是作为潜影中心的二氧化铬（576．4eV附近的铬）严格地受曝光量的制约。这个结论的得出，为制作理想的全息图选择合适的曝光量提供了理论依据。即：576．4eV附近的峰有最大相对强度的曝光量为最佳曝光量。     

Photochemical synthesis and characterization of Bi2S3 nanofibers

Bismuth sulfide (Bi₂S₃) nanofibers have been successfully prepared by a photochemical method from an aqueous solution of bismuth nitrate (Bi(NO₃)₃) and thioacetamide (TAA) in the presence of complexing agents of nitrilotriacetic acid (NTA) at room temperature. It was found that the irradiation time, the pH of the solution, and the species of complexing agents play important roles in the morphology control of the bismuth sulfate (Bi₂S₃) nanomaterials. The nanofibers were characterized by X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), electron diffraction (ED), high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray photoelectron spectra (XPS), and UV-Visible absorption spectra (UV-Vis). Probable mechanisms for the photochemical formation of Bi₂S₃ nanofibers in aqueous solutions are proposed. The photochemical method is a convenient approach for controlling the shape for other metal sulfide semiconductor nanocrystals.     

膨胀石墨的尺寸效应

以不同产地、不同粒度的鳞片石墨为原料, 采用硫酸、硝酸、高锰酸钾的适当配比为氧化剂制备膨胀石墨, 发现石墨膨胀倍数从粒度>420μm的750mL/g减小至95～85μm的110mL/g. 电镜及压汞法观察膨胀石墨的形貌及微孔的特征, 表明膨胀石墨的孔隙大小随粒度减小而减小, 反映出膨胀石墨存在尺寸效应.不同粒度的膨胀石墨的灰分、硫分和对机油的吸附能力不同, 与不同粒度膨胀石墨制备的柔性石墨板的抗拉强度也不同. 这种效应源自石墨的结晶程度的不同.     

Oxidation of nanostructured Ti films produced by low energy cluster beam deposition: An X-ray Photoelectron Spectroscopy characterization

We used in-situ X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) to study the oxidation process of a cluster-assembled metallic titanium film exposed to molecular oxygen at room temperature. The nanostructured film has been grown on a Si(111) substrate, in ultra high vacuum conditions, by coupling a supersonic cluster beam deposition system with an XPS experimental chamber. Our results show that upon in-situ oxygen exposure Ti^3 + is the first oxidation state observed, followed by Ti^4 +, whereas Ti^2 + is practically absent during the whole process. Our results compare well with the existing literature on Ti films produced using other techniques.     

Tailoring the adhesion of optical films on polymethyl-methacrylate by plasma-induced surface stabilization

Adhesion of plasma-deposited optical and protective coatings, such as amorphous hydrogenated silicon nitride, SiN_1.3, on polymethyl-methacrylate (PMMA) substrates has been found to be limited by a cohesive failure inside the PMMA bulk. Using direct exposure to a low pressure plasma in helium or to vacuum ultraviolet (VUV) radiation generated from plasma, the adhesion of SiN_1.3 at high humidity and elevated temperature has been substantially increased. Using a multitechnique analytical approach, the enhanced adhesion was attributed to the initial etching of the weak boundary layer followed by formation of a crosslinked, graded, mechanically stabilized layer in the interfacial region (interphase), which possesses a physical thickness of 50 to 100 nm and a microhardness of about 2 GPa.