退火温度对冷轧低碳钢再结晶行为的影响

利用热感应马弗炉模拟罩式退火工艺,研究不同退火温度对冷轧低碳钢再结晶行为的影响。结果表明,退火温度为565 ℃时,试样以回复软化机制为主,轧后扁平状的铁素体保持不变;退火温度上升到580 ℃时,试样的屈服强度和抗拉强度下降明显,断后伸长率迅速上升,维氏硬度值也显著下降,表明此阶段完成再结晶,组织以片层渗碳体为主,有少量变形的铁素体;退火温度达到580 ℃以上时,力学性能和硬度变化不明显,表明580 ℃时试样充分完成再结晶。     

化学气相沉积高纯钨的择优取向与性能研究

利用光学显微镜、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜的电子背散射衍射花样(electronic backscatter ring diffraction,EBSD),对用化学气相沉积制备的高纯钨进行了微观结构和晶面取向分析;利用霍普金森压杆系统和电子万能试验机测试了高纯钨的动态和准静态力学性能。研究表明：化学气相沉积高纯钨具有柱状晶组织,并且具有明显的(100)择优取向;动态屈服强度达到2000 MPa以上,静态屈服强度约为1350 MPa,具有应变速率敏感性     

冲击加载条件下化学气相沉积高纯钨的塑性变形机制

采用较低温度下的化学气相沉积技术制备了高纯钨，利用分离式HOPKINSON压杆装置对制备的高纯钨和商用粉末烧结纯钨进行应变率为1000／s～2000／s的冲击加载，对冲击后的样品进行了变形机制对比分析。结果表明：在冲击载荷作用下粉末烧结纯钨变形机制以滑移和品界滑动为主，析化学气相沉积纯钨则是孪生变形起到很大的作用：临近孪生间的交互作用会产生2种类型的穿晶断裂，这是化学气相沉积纯钨致脆的原因：在低于10^3／s应变率量级化学气相沉积纯钨不会发生绝热剪切，难以与钨合金一样通过绝热翦切变形提高其塑性变形能力。     

退火工艺对冷轧纯钛带再结晶织构的影响

研究了退火工艺对冷轧纯钛带再结晶织构和屈服强度的影响,并讨论了保温时间、再结晶织构及屈服强度三者之间的关系.结果表明,在650℃下,冷轧纯钛带退火后的再结晶织构主要是(0001)[2110]和(0001)[5610],遗传了纯钛带的冷轧织构.随退火保温时间的延长,织构的取向梯度均逐渐减小,组分和强度趋于稳定,且退火后纯钛带的屈服强度也比较均一,为冷轧纯钛带的生产提供了理论依据.     

化学气相沉积钨锭工艺研究

以WF6和H2为原料，粉末冶金钨板为基体，采用热丝开管气流化学气相沉积试验装置，成功地制备出可变形钨锭。试验分析表明：钨锭纯度可达99．9％以上，密度大于19．0g／cm^3，硬度为400-500HV，具有良好的加工塑性。研究了钨锭在轧制变形后组织性能变化，以及影响其热轧性能的因素。     

化学气相沉积纯钨材料晶体生长习性及其应用性能研究

本研究结合CVD(chemical vapor deposition,CVD)-W材料实际应用对其性能及组织结构的要求,详细讨论了随生长阶段的变化CVD-W晶体生长习性,获得了CVD-W表面形貌-晶粒生长尺寸-表面粗糙度三者与涂层厚度之间的关系,为CVD-W材料及技术在半导体行业及相关高温发热及防护领域中的应用和推广提供了借鉴。     

化学气相沉积钨铼合金工艺研究

以ReF6、WF6及H2为原料，用化学气相沉积法，成功地在铜基体表面沉积出钨铼合金。试验分析表明：合金成分均匀，且可由反应气体配比控制，随ReF6增加，合金中铼含量增加；沉积层组织和形貌随沉积温度升高或反应气体中ReF6的增加，由致密的柱状晶发展为杂乱的树枝晶；沉积层结构随ReF6的增加由单一固溶体向固溶体＋金属间化合物＋铼单质发展。     

钼基体上化学气相沉积钨功能涂层的研究

采用CVD（Chemical Vapor Deposition）法沉积的钨涂层有[100]／[111]／[110]择优取向。择优取向主要受气体组分、流动速度、温度等因素的影响。研究了钼基体上CVD钨涂层的表面形貌和织构、涂层界面的元素分布、涂层的抗热震性能及高温扩散性能。结果显示：钨涂层与基体钼有2μm左右的互扩散层且钼在钨中的扩散速度更高；涂层在通H2条件下，进行室温→1400℃→室温20次循环后涂层不脱落、界面没有明显变化，涂层结合力好；涂层界面上的杂质元素氧等影响涂层的结合性能。     

氟化物气相沉积制备钨涂层

采用氟化物氢还原的方法制备钨涂层。结果显示涂层的厚度可达 15 0微米以上 ,密度为理论密度的 99%,纯度可达 99.9%。采用扫描电境分析沉积层组织形貌 ,结果显示气相沉积钨是沿沉积方向上生成柱状晶体结构。     

缠绕钨丝CVD钨管的组织及性能

为了提高CVD钨的强度和韧性,采用自制化学气相沉积装置,以WF6和H2为反应气体,在化学气相沉积钨过程中周期性地在基体上缠绕钨丝,沉积制备了钨丝-CVD钨复合材料。使用金相显微镜和扫描电镜(SEM)分别对沉积制备的钨丝-CVD钨复合材料涂层的显微组织和断口形貌进行观察和分析,使用X射线衍射仪(XRD)、电子能谱仪、密度测量仪、显微硬度仪和万能材料试验机分别测试分析了涂层的结构、成分、密度、显微硬度及压溃强度。结果表明:与不缠钨丝的CVD钨管相比,缠绕钨丝的CVD钨管中CVD钨晶粒得到了细化,择优取向基本消失;钨丝-CVD钨复合材料涂层具有较高纯度和致密度;钨丝-CVD钨管的压溃强度显著提高,断口形貌发生了明显的变化。     

基底材料和温度对CVD金刚石沉积的影响

使用热丝CVD装置在钢渗铬层、三氧化二铝、YG8硬质合盒基底上沉积了金刚石膜、结果表明，在700～900℃温度范围内，热稳定性好的基底材料有利于金刚石晶核的形成。硬质合金和三氧化二铝的热稳定性都比钢港铬层好，在700～900℃能获得10^7cm^-2以上的形核密度，而钢渗铬层超过800℃后．形核密度低于10^6cm^-2。     

具有高结合强度的铝基片SiOx陶瓷膜层CVD制备

采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.使用SEM、TEM及XPS仪分析了膜层形貌、成分和组织结构,通过180°、90°弯曲实验和450 ℃热冲击实验考察了陶瓷膜层与基片的结合性能,证实该技术制备的膜层与基底的结合强度很高.     

甲烷浓度对CVD金刚石膜表面粗糙度的影响

研究了化学气相沉积金刚石膜时甲烷浓度与金刚石膜表面粗糙度的关系。结果表明，随甲烷浓度的增加金刚石膜表面粗糙度下降。表面粗糙度主要由金刚石膜的晶粒大小和二次形核决定，晶粒越细，表面粗糙度越低，在金刚石晶界二次形核及长大，也促使金刚石膜表面粗糙度降低。     

Effect of deposition temperature on properties of boron-doped diamond films on tungsten carbide substrate

Boron-doped diamond (BDD) films were deposited on the tungsten carbide substrates at different substrate temperatures ranging from 450 to 850 °C by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) method. The effect of deposition temperature on the properties of the boron-doped diamond films on tungsten carbide substrate was investigated. It is found that boron doping obviously enhances the growth rate of diamond films. A relatively high growth rate of 544 nm/h was obtained for the BDD film deposited on the tungsten carbide at 650 °C. The added boron-containing precursor gas apparently reduced activation energy of film growth to be 53.1 kJ/mol, thus accelerated the rate of deposition chemical reaction. Moreover, Raman and XRD analysis showed that heavy boron doping (750 and 850 °C) deteriorated the diamond crystallinity and produced a high defect density in the BDD films. Overall, 600–700 °C is found to be an optimum substrate temperature range for depositing BDD films on tungsten carbide substrate.     

退火温度对08Al冷轧板力学性能的影响

对08Al冷轧钢板在不同退火温度下的显微组织与力学性能进行了研究,讨论了退火温度对08Al冷轧板力学性能的影响。结果表明,在退火温度为680℃时08Al冷轧板获得较为均匀的组织结构,当退火温度超过720℃时,出现晶粒异常长大和半网状、网状渗碳体;随退火温度升高,08Al冷轧板的硬度逐渐下降;屈强比先降低后升高,在680℃时相对较低。     

退火温度对1235铝合金冷轧板显微组织的影响

以1235铸轧板(7.0 mm)经过两道次冷轧后的1.1 mm厚的冷轧坯料为对象,借助光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析仪(EDS)、定量金相分析技术和电解抛光等试验手段,研究了退火温度对1.1 mm厚的1235铝箔坯料组织的影响。结果表明：在相同的退火时间(6 h)内,随退火温度(320~420 ℃)升高,析出相(AlFeSi)数量先增加而后减少且粗化;退火温度为380 ℃时,析出相数量多且均匀细小,平均尺寸约为3 μm。再结晶温度的区间为320~340 ℃;随着退火温度升高,再结晶晶粒逐渐长大;退火温度为380 ℃时,再结晶晶粒数量多且均匀细小,平均尺寸约为23 μm。因此,在380 ℃保温6 h的退火工艺最佳。     

Effects of electric field on recrystallization texture evolution in cold-rolled high-purity aluminum sheet during annealing

The effects of an external DC(direct current)electric field on recrystallization texture evolution in the cold-rolled aluminum sheets with 99.99%purity were investigated by means of X-ray diffraction techniques.The cold-rolled high-purity aluminum sheets were annealed for 60 min at 200,300 and 400℃,respectively with and without an external DC electric field of 800 V/mm.The results show that with DC electric field,the recrystallization cube texture is strengthened at the stage of grain growth. Possible reason for the strengthening of the recrystallization cube texture with the applied electric field may be attributed to both selected nucleation and selected growth of cube oriented crystal nuclei.     

铝表面化学气相沉积SiOx膜层的显微结构和性能

采用低温常压化学气相沉积(CVD)方法在铝基底上制备了硅氧化物陶瓷膜层.使用SEM、XPS、AFM、XRD、HRTEM和UV-VIS等技术分析了膜层的形貌、成分和组织结构特征,测试了膜层的孔隙率、光学和显微力学性能.结果表明:硅氧化物SiOx陶瓷膜层在铝基表面以气相反应沉积硅氧化物颗粒-颗粒嵌镶堆垛-融合长大的方式生成,大部分膜层为非晶态区域,其中包含少量局部有序区域,SiOx中的硅氧原子比为1:1.60～1:1.75,膜层疏松多孔,具有很高的紫外-可见光吸收率,膜层与基底具有很好的结合性.     

化学气相沉积金刚石膜的研究与应用进展

化学气相沉积(CVD)金刚石膜具有极其优异的电学(电子学)、光学、热学、力学、声学和电化学性能的组合,因此在一系列高新技术领域有非常好的应用前景,并曾在20世纪80年代中期形成席卷全球的"金刚石热"。30余年来,CVD金刚石膜研究取得了极其巨大的进展,但在产业化应用方面仍不尽人意。本文对此进行了比较详尽地综述和评论,希望更多的人了解,并推进其研究和产业化进展。