低温烧结PZT压电陶瓷材料

本文介绍了低温烧结PZT压电陶瓷材料的发展概况,给出了不同方法制备的低温烧结PZT压电陶瓷材料的性能,并对降低PZT陶瓷烧结温度的各种方法进行了评价。     

低温烧结的高介钛酸钡陶瓷材料

<正> 据日本专利特公昭61-11404报导,日本研制出一种低温烧结的改性钛酸钡高介陶瓷材料。它是在钛酸钡主材料中,添加2～20％(重量)的铌酸铅。 该组成物的烧结温度为1010～1270℃,     

低温烧结改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究

研制了一种添加Bi(Cd1/2Ti1/2)O3、MnO2、SiO2的新型低温结改性PbTiO3压电陶瓷材料,实验发现低熔物SiO2是影响烧结的主要因素,除能明显降低该材料烧结温度外,还能起掺杂性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因素及低介电常数等特点,960℃烧成时主要性能参数为：厚度机电耦合系数kt=0.49;径向机电耦合系数kp=0.027;压电各向异性比kt/kp=18;压电应变常数d33=65pC.N∧-1;机械品质因素Qm=541,密度ρv=7.4g.cm∧-3,居里温度Tc=312℃,介电常数ε∧T33/Eo=177,介质损耗tanδ=0.63%,该材料在叠层压电滤波器和叠层压电和压变压器方面显示出很好的应用前景。     

低温烧结改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究

研制了一种添加 Bi(Cd1 / 2 Ti1 / 2 ) O3、Mn O2 、Si O2 的新型低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷材料。实验发现 ,低熔物 Si O2 是影响烧结的主要因素 ,除能明显降低该材料烧结温度外 ,还能起掺杂改性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因数及低介电常数等优点。 96 0°C烧成时主要性能参数为 :厚度机电耦合系数 kt=0 .49;径向机电耦合系数 kp=0 .0 2 7;压电各向异性比 kt/ kp=18;压电应变常数 d33=6 5 p C.N- 1 ;机械品质因素 Qm=5 14;密度 ρv=7.4g.cm- 3;居里温度 TC=312°C;介电常数 εT33/ ε0 =177;介质损耗 tanδ=0 .6 3%。该材料在叠层压电滤波器和叠层压电降压变压器方面显示出很好的应用前景。     

中低温烧结超高耐压钛酸钡基BCTZ陶瓷材料的研究

采用传统固相反应法制备出Li~+和Na~+掺杂的(Ba_(1–x)Ca_x)(Zr_yTi_(1–-y))O_3(BCTZ)介电陶瓷材料,研究了助烧剂(Li~+和Na~+)在不同预烧和烧结温度下对BCTZ陶瓷材料相结构、介电性能和耐压特性的影响。结果表明:通过Li~+和Na~+的掺杂,BCTZ陶瓷材料均为纯钙钛矿结构,Li~+掺杂BCTZ陶瓷材料的最佳预烧温度为1250℃,烧结温度为1135℃,所得材料的相对介电常数εr为1051,介质损耗tanδ为2×10~(–4),直流击穿电压V_(DC)为15.5×10~3 V/mm,交流击穿电压V_(AC)为11.0×103 V/mm;Na~+掺杂BCTZ陶瓷材料的最佳预烧温度为1120℃,烧结温度为1135℃,所得材料的εr为1063,tanδ为4×10~(–4),V_(DC)为15.2×10~3 V/mm,V_(AC)为10.1×10~3 V/mm。     

硼硅酸盐玻璃/氧化铝低温共烧陶瓷材料的烧结

采用硼硅酸盐玻璃与氧化铝复合烧结低温共烧陶瓷基板材料,研究了该复合材料的烧结行为。结果表明,该复合材料可以实现低温烧结(825~975℃),相对密度达到94.7%以上。在烧结过程中,w(玻璃)为60%的复合材料的收缩率最大(17.1%),w(玻璃)为50%的复合材料的烧结速率最大(14.5μm/℃),最大烧结速率与复合材料玻璃含量的变化不是严格的单调关系。     

陶瓷材料微波烧结研究

对微波烧结的优点、机理、设备、工艺及发展和展望进行了分析和讨论。     

精细结构陶瓷材料烧结技术的研究动向

本文介绍国外精细结构陶瓷烧结技术的研究动向。重点叙述最近研制成的几种烧结技术，诸如微波、激光、自已燃烧烧结或燃烧合成法，低温无压烧结以及中子照射超低温烧结陶瓷等新技术。并介绍了用上述新技术制备的一些陶瓷材料的工艺及其性能。     

低温共烧陶瓷材料的研究进展

简述了低温共烧陶瓷(LTCC)介质基板的优缺点,介绍了国内外LTCC基板材料的主要生产厂商,综述了LTCC材料中的玻璃/陶瓷体系和微晶玻璃体系。分析介绍了国内外主要研究机构开发的玻璃/陶瓷材料,总结了不同陶瓷材料的介电性能和热学性能;介绍了以Ferro公司的A6系列微晶玻璃体系为代表的陶瓷材料,总结了不同微晶玻璃材料的介电性能和热学性能。分析了LTCC材料的加工工艺,简述了实现LTCC材料零收缩的不同技术。论述了LTCC材料在电子元器件、封装基板、功能器件和集成模块中的应用。最后指出了国内LTCC材料和技术开发的不足,并展望了未来的研究和发展方向。     

微波烧结钛酸锶钡陶瓷材料的介电性能

采用碳酸盐固相合成法制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)粉体,应用微波烧结技术将粉体烧结成陶瓷。对样品的介电性能进行了测试,研究分析了材料的介电性能,并与传统制备工艺获得的样品进行了性能对比。结果表明:微波烧结成瓷温度和时间较传统制备工艺大大降低,分别为1 300℃和30 min,可以获得晶粒尺寸5μm以下的BST陶瓷;材料的εr变化不大,但tanδ大幅降低。     

Co-Ni-Sr-O系低温热敏陶瓷材料研究

着重研究了工作温度范围为20~77K的低温热敏电阻器的生产工艺参数。利用先进的半导体陶瓷工艺,合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ,并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性,得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料,同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响。在材料粉体合成中,采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Pechini法等不同方法制备,讨论了不同方法的基本原理与特点,并对一些具体制备方法进行了比较。     

Co-Ni-Sr-O系低温热敏陶瓷材料研究

着重研究了工作温度范围为20～77 K的低温热敏电阻器的生产工艺参数.利用先进的半导体陶瓷工艺,合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ,并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性,得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料,同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响.在材料粉体合成中,采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Peehini法等不同方法制备,讨论了不同方法的基本原理与特点,并对一些具体制备方法进行了比较.     

Co-Ni-Sr-O系低温热敏陶瓷材料研究

着重研究了工作温度范围为20-77K的低温热敏电阻器的生产工艺参数。利用先进的半导体陶瓷工艺，合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ，并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性，得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料，同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响。在材料粉体合成中，采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Pechini法等不同方法制备，讨论了不同方法的基本原理与特点，并对一些具体制备方法进行了比较。     

低温烧结陶瓷基片

本文介绍了日本研制和生产的新型陶瓷基片材料。这些材料烧结温度低(约1000℃),能耗低,成本低,性能优良,能很好地满足现代电子组装技术的需要。     

高纯高导热BeO陶瓷材料烧结工艺研究

选用两种高纯氧化铍(BeO)瓷料(一种为原生料,另一种为瓷件料),以不同的烧结工艺制备高纯BeO陶瓷。通过品红实验和扫描电镜(SEM)观察发现:采用原生料制备的陶瓷素坯在天燃气方式加热的钟罩炉中难以致密化,陶瓷容易吸红。这主要是由于高纯BeO的原生料的烧结是以蒸发-凝聚传质方式为主,扩散传质方式为辅,在一定的温度和压力下,有BeO(蒸汽) CH4易产生BeOH CH3或CH3OH Be。采用瓷件料制备的陶瓷素坯在天燃气热钟罩炉中能致密化,陶瓷不易吸红。这主要是由于高纯BeO的瓷件料的烧结是以扩散传质方式为主,以蒸发-凝聚传质方式为辅,烧结后期离子沿粒界作快速迁移,靠界面扩散使瓷体致密化。     

水热合成PZT热电体陶瓷材料烧结性的研究

本文对水热合成ＰＺＴ热电体陶瓷的烧结性进行了研究。结果表明：烧成温度为１１６０℃左右，比用传统的固相合成法烧成温度低６０℃，在烧结过程中，Ｐｂｏ的挥发速度比用固相法小得多。     

低温共烧微波介质陶瓷材料研究进展

在介绍低温共烧陶瓷(LTCC)技术的基础上,阐述了LTCC微波介质陶瓷材料的特点及应用背景。综述了BaTi4O9、Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ、ZnNb2O6、ZnTiO3及Li2O-Nb2O5-TiO2等常用的LTCC微波介质陶瓷材料体系。指出了目前研究中存在的问题,指出新体系的开发是今后的主要研究方向。新体系可以采用多相复合,也可以由几种低熔点氧化物化合而产生。     

低温共烧PZT压电陶瓷材料的研制

为了满足片式化压电陶瓷元件的低成本化对陶瓷材料低温烧结的要求,通过在PZT陶瓷材料中添加烧结助剂PBN来降低陶瓷的烧结温度。研究了PBN的添加量对PZT陶瓷材料晶相、陶瓷晶粒及介电常数、压电常数机电耦合系数的影响,在PZT陶瓷材料中,当PBN的摩尔分数为6%时,可使陶瓷材料的烧结温度下降至960℃,所制得陶瓷材料具有很好的压电性能,并且实现了陶瓷材料与全银内电极的共烧,可应用于制作片式多层压电扬声器器件,大大降低了片式压电元件的成本。     

低温烧结微波介质陶瓷

在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。     

低温烧结SiC热敏电阻体

采用聚碳硅烷作为SiC粉的“粘结剂”,聚碳硅烷在1200℃以下热解形成SiC,从而与SiC粉一起烧成一个整体。其半对数阻-温特性具有明显的分段线性。可作廉价的高温热敏电阻器。