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相似文献
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1.
ZnO压敏电阻器述评   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   

2.
采用sol-gel法制备了复合纳米添加剂。将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。通过粒度测试,分析了复合纳米添加剂的粒径大小;借SEM分析了电阻器的微观形貌,并测试了电阻器的电性能。结果表明:添加剂的粒径集中在100nm以下,用该添加剂制成的电阻器微观结构更均匀,其8/20μs通流能力达2500A,2ms方波能量耐受能力达46J。  相似文献   

3.
复合纳米添加法制备ZnO压敏电阻器   总被引:3,自引:0,他引:3  
提出了一种利用复合纳米添加剂改善ZnO压敏电阻的晶界效应和微观特性,以获得高性能ZnO电阻片的方案,并通过化学共沉淀法制备了多元复合纳米添加剂。实验分析表明,此方案能提高通流50%以上,并能显著改善器件的微观均一性,制得的复合添加剂选择性好,易于实现工业化生产。  相似文献   

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5.
ZnO压敏电阻器性能的改进   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用共沉淀法制得含五种添加剂的复合添加剂。用该复合添加剂、ZnO、Sb2O3及Al(NO3)3溶液混合球磨后的粉体制成氧化锌压敏电阻器。通过TEM和粒度测试,分析了复合添加剂的尺寸和微观结构,并对电阻器的性能进行了测试。结果表明:采用化学共沉淀方法制备的复合添加剂粉体粒径小,活性大。用该添加剂制备的氧化锌压敏电阻器的通流能力,较传统工艺提高35%,其漏电流约为0.1μA,非线性系数为53。  相似文献   

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7.
介绍了低压ZnO压敏电阻器的几个配方试验。此瓷料制作的瓷片其电性能:U(1mA<50V,非线性系数α>30,漏电流、通流能力均良好。  相似文献   

8.
籽晶法制备低压ZnO压敏电阻器   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了ZnO籽晶粒度、掺入量及其制备方法对压敏电压的影响。实验结果表明:掺入适量粒度合适的籽晶,勿需在高温下长时间烧结,也可制成压敏电压较低,漏电流较小的ZnO压敏电阻器。  相似文献   

9.
用液相掺杂法制备的粉体制成了ZnO压敏电阻器。SEM测试分析及密度测试结果证明,瓷片的微观结构得以改善,从而提高了ZnO压敏电阻器的性能,其中非线性系数达到67,通流能力为传统法制作的ZnO压敏电阻器的2倍。  相似文献   

10.
ZnO压敏电阻器复合添加剂制备技术   总被引:4,自引:2,他引:4  
论述了利用化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻器复合添加剂的原理和方法,讨论了氨水、碳酸氢铵等8种试剂作为沉淀剂的可行性。实验结果表明,合理地选择复合沉淀剂和沉淀条件,可以显著地提高压敏电阻器的通流能力、降低残压比,并可降低烧结温度和成本,有广阔的推广应用价值。  相似文献   

11.
基于理论研究的结果,用固相法研究了四价添加剂对ZnO压敏电阻器性能的影响和作用机理.结果表明,优选的四价添加剂掺杂能有效降低ZnO晶粒的电阻率和残压比;通过提高晶界氧的电离度,可使晶界势垒高度上升,提高了ZnO的压敏电压梯度.  相似文献   

12.
线性双向式超声波马达的设计与分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
提出了双Π形线性双向式小型超声波马达模型,分析了这种超声波马达的线性驱动原理及其受力情况。通过计算机模拟仿真,证明了该理论模型的正确性和可靠性,指出了小型线性超声波马达的应用前景及其所要解决的主要问题。利用该原理的超声波马达将具有体积小、结构简单、重量轻、换向方便、响应速度快、可控性好等特点。  相似文献   

13.
李朝林 《电子工程师》2003,29(11):57-59
叙述了压敏电阻器的特性、微观结构、导电机理。分析了实现低电压氧化锌压敏电阻器的方法——增大氧化锌半导体瓷晶粒直径和压制厚度很薄的氧化锌半导体瓷片。探讨了低压氧化锌独石型、薄膜体型压敏电阻器的主要特性和其制造工艺的关键技术。  相似文献   

14.
无铋氧化锌压敏电阻的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
讨论了无铋氧化锌压敏电阻压敏特性的根本原因。由于离子置换使得Zn2+成为填隙离子,从而在氧化锌晶粒间引起肖特基势垒。对于氧化锌压敏电阻而言,双肖特基势垒是形成非线性电特性的根本因素。  相似文献   

15.
采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。  相似文献   

16.
陈后胜  岳辉 《电子器件》1998,21(3):153-156
本文从含TiO2低压压敏材料入手,研究了HNO3处理及热处理工艺对ZnO压敏电阻器性能的影响,并讨论了交流冲击下的电压稳定性,通过处理,其非线性系数a上升,漏电流IL下降,尤其耐冲击能力大有改观。  相似文献   

17.
氧化锌压敏电阻的湿式化学合成法   总被引:4,自引:0,他引:4  
综述了氧化锌压敏电阻的特性、用途及国内外用各种湿式化学合成技术制备氧化锌压敏电阻的原理及方法。  相似文献   

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