Zr含量对Al3(ZrxEr1-x)相价电子结构与合金性能的影响

用固体与分子经验电子理论(EET)计算研究了微量元素Er,Zr添加到铝合金中产生的Al3Er和Al(ZrIxEr1-x)相的价电子结构,探讨了不同Zr含量对Al3(ZrxFr1-x)相各电子结构参数的影响.计算结果表明:随着Zr原子含量的增加,表征强度性能的最强键上的共价电子对数na和相结构形成因子S会减小,这说明合金...     

三元Fe3Al基金属间化合物价电子结构分析

依据固体与分子经验电子理论，分析了Ｆｅ３Ａｌ基金属间化合物的价电子结构，建立了ＤＯ３型晶胞的键络模型，为提示合金成分－结构－性能与Ｆｅ３Ａｌ合金相价电子结构的关系作了初步尝试。     

纯铁和Fe—Al金属间化合物在液锌中的腐蚀研究

在460℃的液锌中,对工业纯铁、金属间化合物FeAl和FeAl进行了腐蚀试验.结果表明:FeAl和FeAl的耐液锌腐蚀性远远高于工业纯铁.通过固体与分子经验电子理论(EET)建立了α-Fe、FeAl和FeAl的价电子结构,对三种合金存液锌中的腐蚀性能进行了尝试性探讨,发现价电子结构与腐蚀性能之间有着密切的相关性.     

氧化锆基固体电解质价电子结构研究

应用固体与分子经验电子理论（EET理论）计算了不同Y2O3掺杂量的ZrO2基固体电解质材料价电子结构,探讨了成分、价电子结构与离子电导率间的关系,得到了与实验规律一致的结果。提出了可用复合参量P来预测离子电导率,为从理论上预测具有高离子导电性的YSZ材料成分提供依据。     

热压烧结Fe3Al金属间化合物的微观结构与力学性能

采用机械合金化结合退火处理工艺制备了不同Al含量的Fe3Al粉体,并经真空热压烧结得到Fe3Al金属间化合物块体材料,对其烧结后的微观结构、力学性能以及Al含量的影响进行了试验研究.结果表明,该材料以有序度较低的B2结构为主,同时弥散分布着Al2O3颗粒以及少量α-Fe(Al)固溶体;Fe3Al烧结块体材料的室温力学性能较铸态有明显提高,其室温抗弯强度为1000～1400MPa,压缩屈服强度和压缩应变分别为1200～1800MPa和10%～15%,洛氏硬度为55～60HRC;Al含量的变化对其微观结构和力学性能均有一定的影响.     

揭示材料本质的价电子理论

<正>1978年,余瑞璜在能带理论、共价键理论、电子浓度理论的基础上,针对现代固体物理,尤其是金属电子理论中的一些矛盾,经过大量的实践归纳,提出了“固体与分子经验电子理论”(EET)和计算电子结构的“键距差(BLD)法”。     

Ti-Fe系金属间化合物价电子结构与性能分析

在钛与钢的连接界面处,由于母材组元的相互扩散和反应,形成了TiFe和TiFe2金属间化合物,对接头性能影响很大。运用固体与分子经验电子理论,计算TiFe和TiFe2的价电子结构和共价键键能,并从价电子结构层次分析TiFe和TiFe2热稳定性和脆性。结果表明：TiFe2比TiFe具有更牢固的共价键络,因此其热稳定性更好; TiFe和TiFe2的脆性因子均小于0.08,表现为本征脆性     

Fe3Al金属间化合物的高温抗氧化性能

当温度超过１０００℃时,二元ＦｅＡｌ的抗氧化性能随温度上升而争剧下降,对１２００℃氧化试样的ＳＥＭ分析发现试样表面存在晶须状氧化物,氧化层与基体的界面上有大量的孔洞。微量的Ｃｅ加入Ｆｅ３Ａｌ可显著地改善合金的抗氧化性能,在１２００℃长时间氧化后,含Ｃｅ的Ｆｅ３Ａｌ试样表面平整致密,且无氧化物剥落,其抗氧化性能比不含Ｃｅ的合金提高了一个数据级。     

Fe3Al金属间化合物的电学性能

本文研究了Ｆｅ３Ａｌ金属间化合物的电学性能。结果表明,二元Ｆｅ３Ａｌ有很高的电阻率,二元Ｆｅ３Ａｌ的电阻率与Ａｌ含量有关;合金化可进一步提高Ｆｅ３Ａｌ的电阻率。在２０－１１００℃范围内,发现Ｆｅ３Ａｌ的电阻率在某些温度区内存在反常现象。对这一现象本文进行了理论分析。     

Fe3Al金属间化合物的价电子结构与其力学性能的关系

对长程有序金属间化合物Fe     

合金γ-TiAl价电子结构的计算及其力学性能

利用固体与分子经验电子理论计算了合金γ-TiAl及γ-TiAl、α—Ti、β-Ti、α2-TiAl的价电子结构；利用价电子结构给出的信息-相结构因子αN、F、ρL/V、ρC/V和键络的空间分布nα，讨论了γ-TiAl、合金γ-TiAl的价电子结构及其与力学性能的关系，分析了合金元素的合金化行为，提出了改善γ合金力学性能的有效途径。     

从电子结构和成键特性分析高Cu/Mg比Al-Cu-Mg-Ag合金强化机制

提出了计算高Cu/Mg比Al-Cu-Mg-Ag合金主要析出相W相及相界面电子结构的计算模型与方法,从合金相结构因子和相界面结合因子分析了合金的强化机制。基于余氏的固体分子经验电子理论和程氏改进的TFD理论,对Al-Cu-Mg-Ag合金主要析出相Ω相及相界面电子结构进行了计算,发现合金相及相界面价电子结构与合金强化机制有密切的关系,并从电子结构层次上阐释分析了合金中θ′, Ω,θ相的竞争相析出机制及对合金强化机制的影响     

(Ti,Me)C-Fe金属陶瓷界面电子结构与性能的关系

根据固体与分子经验电子理论(EET)以及异相界面电子结构模型,系统计算了(Ti,Me)C/Fe系列金属陶瓷界面电子结构(Me=Mo、W、V、Nb、Ta),初步分析了其界面电子结构与界面润湿、金属陶瓷力学性能之间的关系,结果表明:Me的添加使TiC/Fe金属陶瓷界面电子密度增大,界面润湿改善,改善界面润湿的能力从大到小排列为:Mo、W＞Nb、Ta＞V;另外,Me的加入使TiC/Fe金属陶瓷界面电子密度差增大,界面应力增大,有利于陶瓷晶粒的细化和提高界面结合强度,Mo、W添加剂能有效提高TiC/Fe金属陶瓷界面强韧性.     

微量铬元素对FeB相价电子结构的影响

进行了铬元素降低硼化物层脆性实验验证,用EET（Experimental Electron Theory)理论,着重分析了微量铬元素对FeB相价电子结构的影响。认为：铬原子置换FeB相中的Fe原子,可改善FeB相空间键络分布不均匀的状况,使强键与弱键差值减小,提高弱键的键能,对其他键也有不同程度的强化作用,从而降低FeB相的本质脆性。     

经验电子理论中与温度相关的价电子结构计算模型

通过合金平均线膨胀系数,建立起与温度相关的合金价电子结构计算模型,对该模型的理论基础进行了分析,研究了Cu和钢中γ-Fe-C含碳奥氏体晶胞价电子结构与温度的相关性。结果表明,温度可以显著影响合金价电子结构,温度升高时,其晶格常数增加,原子向较低杂阶迁移,各键的共价电子对数na及价电子结构中的相结构因子（nA、∑nc和FC^D）均出现了不同程度的下降。     

CuCrSnZn合金析出相价电子结构计算与强化机理分析

基于经验电子理论(EET理论)及程氏改进的TFD理论,计算了CuCrSnZn合金时效处理后析出的析出相Cr与基体Cu形成的α-Cu(111)/Cr(110)相界面的价电子结构,利用界面结合因子ρ、△ρ分析了合金界面电子结构与合金的析出强化和软化温度的关系.结果表明,α-Cu(111)/Cr(110)晶面电子密度差较大,界面应力较大,有效阻碍了位错的运动和界面的推移,从而提高了合金的强度和软化温度.     

PZT固溶体的价电子结构与铁电性

应用固体与分子经验理论(EET)计算了铁电材料PbZrxTi1-xO3 (0＜x＜1)体系的价电子结构.研究表明,O的2p轨道与B位原子(Zr或Ti)的最外层d轨道的杂化是铁电性的必要条件.PZT为四方钙钛矿结构时,B位原子相对于O发生了一个位移,由此产生了一个电偶极矩(自发极化),B位原子和O原子共价作用的强度(表现...