HCMOS集成电路的特性

ＨＣＭＯＳ集成电路的特性曾庆贵本文介绍ＨＣＭＯＳ集成电路的直流特性＄ｉｆ交流特性，并且和ＣＭＯＳ、ＬＳＴＴＬ等电路进行比较。一、功耗ＣＭＯＳ集成随路的最大优点是低功耗。ＨＣＭＯＳ保留了这个特点．它的功耗包括协态功耗和动态功耗。ＨＣＭＯＳ电路的静态功耗...     

HCMOS模拟开关及多路转换器/信号分离器

ＨＣＭＯＳ模拟开关及多路转换器／信号分离器曾庆贵开关类集成电路在ＣＭＯＳ和ＨＣＭＯＳＩＣ中占有很重要的地位，它和其他工艺的开关相比，ＣＭＯＳ＄拟开关的优点是功耗低，输入电压范围宽、开关于扰ＣＭＯＳ传输门，如图１所示。它的导通电阻Ｒ。。随输入电压Ｖｉ变...     

高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化

本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术，建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层，２．５微米本征外延层，双阱，基区，多晶硅发射区，深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉＣＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。     

HCMOS振荡器

ＨＣＭＯＳ振荡器曾庆贵与ＣＭＯＳ的信况相同，用ＨＣＭＯＳ集成电路组成的振荡器，一般也分为两类：ＲＣ振荡器和晶体（或者陶瓷谐振器）振荡器。晶体振荡器的频率稳定是性好，精度高，但是比较昂贵。在稳定性和精度的要求不太高时使用ＲＣ振荡器比较合适，在低频、高性...     

短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究

通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧化层、ＣｏＳｉ２／多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件辐照特性的影响，最后得到了薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗核加固方案．     

从CMOS到HCMOS

从ＣＭＯＳ到ＨＣＭＯＳ曾庆贵半导体成电路的发明是２０世纪重大的技术成就之一。半导体集成电路大都采用硅材料制作，因此有人称之为硅集成电路。现在也有少量以砷化锦为衬底材料的隼成电路。集成电路（兀）可以按不同的标准分类。如果根据功都，有数字ＩＣ和模拟ＩＣ之...     

薄膜全耗尽CMOS／SOI—下一代超高速Si IC主流工艺

本文较为详细地分析了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术的优势和国内外ＴＦ ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路的发展状况，讨论了ＳＯＩ技术今后发展的方向，得出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。     

低压低功耗集成电路：SOI技术的新机遇

就热载流于效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅ＣＭＯＳ器件的进行比较。并阐述薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术是低压低功耗集成电路的理想技术。     

HICOM程控交换机软件AMOCOSSU分析

较详细分析了ＨＩＣＯＭ系统ＡＭＯＣＯＳＳＵ的服务范围、命令格式、各参数意义，和ＡＭＯＣＯＳＳＵ的使用举例，并给出了各命令的错误信息和建议。     

薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制

本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延，双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜来微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和门延迟时间仅为１７７ｐｓ的１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器，与厚膜器件相比，薄膜全耗尺器件和电路的性能得到了明显的提高。     

MACH5系列新一代高密度可编程逻辑器件

ＡＭＤ公司的第五代高密度可编程逻辑器件ＭＡＣＨ５系列产品，采用先进的０．５　ｍ～０．２５μｍＥＥＣ－ＭＯＳ工艺，是目前最先进的高密度、高性能、低功耗、电可擦除ＣＭＯＳＣＰＬＤ。ＭＡＣＨ５系列器件可广泛地应用于计算机、网络产品、程控交换机、通信产品及仪器仪表等各个领域。本文拟就三个方面介绍ＭＡＣＨ５系列器件的性能特点和开发过程。一、ＭＡＣＨ５系列器件的结构特点与ＭＡＣＨ１～４系列器件相比，ＭＡＣＨ５在结构上有了较大的改进，采用所谓“层次”的结构设备，结构示于图ＭＡＣＨ器件在结构上的共同特点是ＰＡＬ…     

短沟道CMOS器件在液氮温区的特性比较与分析

本文主要对两种不同的常规工艺条件下制备的短沟道ＣＭＯＳ器件在室温和液氮温区的场效应迁移率，跨导，亚阈和高频特性进行比较和分析，结果发现ＨＣＭＯＳ ＩＩ型ＰＭＯＳ管在７７Ｋ下的工作特性比ＨＣＭＯＳ Ｉ型的好，而相应的ＮＭＯＳ管特性却变得很差，这主要是由于电离杂持散射增强的缘故。为此我们提出一种既适于室温工作又能在液氮温区充分发挥优点的新型短沟道ＣＭＯＳ器件。     

HCMOS施密特触发器

ＨＣＭＯＳ施密特触发器曾庆贵数字系统经常会接收到上升时何和下降时伺比较长的输入信号，例如从滤波器输出的信号、数据传输装置信号、转换器输出信号以及由变压器或振荡器取得的信号。从理论上讲，虽然ＨＣＭＯＳ集成电路输入端和输出端之间有很高的增益，能产生矩形输...     

6H－SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是第一只６Ｈ－ＳｉＣ掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ。     

新型可编程器件GAL讲座第一讲GAL原理

新型可编程器件ＧＡＬ讲座第一讲ＧＡＬ原理肖玉芳，杜恩祥，王子章一、概述在数字系统中大量使用的逻辑器件可分为三类；１．中小规模集成的标准器件，如７４和５４系列的ＴＴＬ器件，７４ＣＨ和ＣＤ４０００系列的ＣＭＯＳ器件等；２．大规模和超大规模集成的微处理器，...     

CMOS专用IC—步进电机分配器

ＣＭＯＳ专用ＩＣ──步进电机分配器毕玉国随着ｃＭＯＳ集成电路设计和制造技术的发展，制造一片新的ＩＣ的周期越来越短，成本也越来越低，加之ＣＭＯＳ工艺ＩＣ本身的优点，要求定制ＣＭＯＳ专用ＩＣ的用户正在增加，使ＣＭＯＳ专用ＩＣ成为ＣＭＯＳ集成电路领域中一个...     

IR扩展肖特基整流器系列

功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特…     

IDDQ测试技术及其实现方法

ＩＤＤＱ测试是近几年来国外比较流行的ＣＭＳＯ集成电路测试技术。ＩＤＤＱ测试能够２检测出传统的固定值故障电压测试所无法检测的ＣＭＯＳ集成电路内部的缺陷、所以,能够明显提高ＣＭＯＳ集成电路的使用可靠性。本文叙述了ＩＤＤＱ测试的基本原理和ＩＤＤＱ测试在集成电路测试系统上的实现方法及测试实例。     

TI通用器件选购指南

ＴＩ通用器件选购指南ＳＮ７４ＨＣ×××：高速ＣＭＯＳ逻辑系列工作电压：＋５Ｖ工艺：ＣＭＯＳ典型传输速率：２５ｎｓ驱动电流（－ＩＯＨ／ＩＯＬ：－８／８ｍＡ型号管脚后缀说明零售价（元）型号管脚后缀说明零售价（元）ＳＮ７４ＨＣ００ＳＮ７４ＨＣ０２ＳＮ７４Ｈ...     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?