阴极对有机电致发光器件性能的影响

比较了不同阴极材料对器件性能的影响,发现阴极材料为ITO/NPB/Alq3/LiF/Al时器件的性能较好,原因是LiF的加入增大了电子的注入能力.当LiF的厚度为1 nm时,器件的性能最佳,其最大亮度为14 700 cd·m-2;发光效率在7 V时最大,为3.117 cd·A-1;电流也较大,使其只需较小的电压就可以达到相同的电流.     

有机电致发光器件的阴极研究

介绍了用Al/LiF双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),研究了绝缘层LiF对电子注入所起的作用。实验发现,LiF的引入对电子注入起到了显著的促进作用,当LiF层取最佳厚度1nm时,器件发光亮度和效率得到了明显提高,达到了14700cd·m-2和3.117cd·A-1。此外还研究了不同厚度Al阴极对OLED器件性能的影响,实验表明,随着厚度的增加,外部量子效率和亮度先增加后减少,存在一个约为100nm的最佳厚度。     

Spiro发光双层结构有机电致发光器件

为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT：PSS作为空穴输运层,Spire作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属AI作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2．40％。     

Spiro发光双层结构有机电致发光器件

为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT∶PSS作为空穴输运层,Spiro作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属Al作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2.40%。     

ITO/NPB/Alq_3/LiF/Al电致发光器件光电特性

针对有机电致发光器件发光效率低、稳定性差的问题,设计制备了ITO/NPB/Alq3/LiF/Al多层有机电致发光器件.测试了器件的电流电压特性、器件的亮度电压特性、器件的电致发光光谱.结果表明,当外加电压为16V时,器件的电流达到最大值21.70mA,器件的亮度达到了11 700cd/m2;当外加电压为14 V时,电致发光光谱波峰位于528 nm处,归一化强度最大值为0.522 1a.u.制备的器件电子注入能力、电流和亮度均得到了增强.     

退火方式及PCBM阴极修饰层对聚合物太阳电池的影响

研究了不同退火方式及PCBM阴极修饰层对聚合物太阳电池性能的影响。与前退火相比,后退火的器件性能显著提高,电池的开路电压Voc由0.36V增加到0.60V,能量转换效率η从0.85%提高到1.93%,短路电流密度Jsc和填充因子FF也有不同程度的改善;在电池的活性层与Al电极间沉积一定厚度的PCBM阴极修饰层也能改善电池的性能,当PCBM厚度为3nm时,聚合物太阳电池在100mW.cm-2强度光照下,Voc为0.59V,Jsc为6.43mA.cm-2,FF为55.1%,η为2.09%。     

空穴注入层对OLED性能的影响

通过实验研究了不同种类的空穴注入层材料对有机电致发光器件（OLED）性能的影响，将酞菁铜（CuPc）、2T-NaTa和TcTa分别作为空穴注入层材料制备了3种器件，然后测试器件的电流-电压特性、高度-电压特性及发光效率-电压特性，并进行了对比．结果发现用CuPc、2T-NaTa和TcTa作为空穴传输层的3种器件的流明效率最大值分别为2．94cd／A，2．4cd／A和18cd／A；2T—NaTa作为空穴注入层的器件的启亮电压最低．由此得出结论：在实验研究的3种材料中，2T—NaTa最适合作为空穴传输层．     

不同AlQ厚度黄光OLEDs的研究

制备了一种新型的黄光器件,其结构为：ITO/2T-NATA（15 nm）/NPB（50 nm）/ADN（20 nm）：2%DCJTB：2%TBPe/Al Q（x）/LiF（5 nm）/Al（100 nm）（x=10 nm,15 nm,20nm,25 nm,30 nm）,通过对不同Al Q厚度的黄光器件的性能如发光光谱、效率、亮度-电压曲线进行比较发现Al Q厚度为20 nm时,发光强度、效率和亮度都是最好的,而发光颜色几乎不发生改变.     

掺杂型有机电致发光器件

成功制备了可溶性电子型聚合物PPQ [poly (phenylquinoxaline) ]掺杂的可溶性空穴型聚合物PDDOPV[poly(2 ,5 bis (dodecyloxy) phenylenevinylene) ]的单层发光器件。与具有相同厚度的纯PDDOPV的单层器件相比 ,起亮电压从 4 .5V降低到 2 .6V ,在电压相同的条件下 ,掺杂的单层器件的电流和纯PDDOPV的单层器件在同一个数量级 ,但其亮度和发光效率均比未掺杂器件提高 1个数量级以上。结果表明 ,在可溶性空穴型聚合物中掺杂可溶性电子型聚合物是提高器件性能的有效方法。     

有机发光器件中载流子复合特性的数值模拟

考虑单层有机发光器件中注入载流子在电场作用下的漂移运动和Langevin复合,将注入特性量化为电极与有机层接触处的电流密度比,计算了有机层中的电场强度、载流子浓度和复合率分布,研究了注入特性、载流子迁移率及有机层厚度对载流子复合性能的影响.结果表明正负载流子的迁移率比、注入平衡程度及有机层厚度是影响器件内电场、载流子浓度和复合率分布的重要因素.计算结果对于发光材料选择和有机发光器件结构的优化设计具有重要的指导意义.     

阴极材料对聚合物发光二极管特性的影响

报道了基于聚(9,9 二辛基芴 4,7 二噻基苯并二唑)(PDOF DBT,m(DOF):m(DBT)=85:15)的双层聚合物发光二极管(PLEDs)在使用碱金属、碱土金属和绝缘材料为阴极时表现的各种特性.当以厚度为3nm左右的Ba作为阴极时,器件表现出较好的性能:外量子效率为1.6%,最大的发光亮度接近4000cd m2.结果表明PDOF DBT与这种阴极的交界面具有较好的能级匹配以及电荷注入平衡.     

载流子平衡的低压高效有机白光器件

研究了结构为ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB/TBADN:EBDP:DCJTB/Bphen:Liq/LiF/Al的有机白光电致发光器件(WOLED)。分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA:4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层间加入高迁移率的Bphen:Liq层增强器件的电子注入,降低驱动电压,提高器件效率。同时,由于注入的电子和空穴数量偏离平衡,器件的效率也会受到影响。实验中,通过调节4F-TCNQ的掺杂浓度来调控空穴的注入和传输,使载流子达到高度平衡。器件的最大电流效率和流明效率分别达到了9.3cd/A和4.6 lm/W。     

顶部发射有机电致发光显示器最新进展

简要介绍了OLED中的新技术，包括实现全彩色高对比度OLED的新技术，并介绍了TOLED的概念及其突出特点，对于基于Ag／ITO阳及和Ca／ITO阴极、Ag2O／Ag阳极、LiF／Al／Al-SiO电极和缓冲层以及有ZnSe介电层的Ca／Mg阴极等的高效TOLED及其最新进展也进行了综述。     

High efficiency blue phosphorescent organic lighting-emitting diodes with novel anode structure

High-efficiency blue electrophosphorescent organic light-emitting devices employing MoO3 used as hole injection layer （HIL） and MoO3 doped N,N-dicarbazoly-3,5-benzene （mCP） as hole transport layer （HTL） were demonstrated. The blue OLED with the novel anode structure and TAPC used as electron blocking layer show a low turn-on voltage of 2.4 V, a maximum power efficiency of 33.6 lm/W at 3.1 V and 25 lrn/W with 1 000 cd/m2 at 3.8 V. It is also found that the efficiency of the devices is dependent on the different EBL materials. This is may because of relationship with the charge mobility and the triplet energy level of EBL materials. The device efficiency is determined by the charge balance which plays an important role.     

阴极蒸镀和隔离层对有机发光二极管性能的影响

制备了简单结构的有机发光二极管(OLED)ITO/NPB/Alq3/Al/Ag。实验结果表明,快速蒸镀法制备的Ag阴极越厚,器件性能越差,而慢速蒸镀200nmAg阴极时器件性能也较差。在Alq3与Al阴极之间插入BCP/C60/LiF隔离层后,即使快速蒸镀法制备的Ag厚达280nm,器件的最大电流密度、最大亮度和最大电流效率仍分别高达248.6mA/cm2、5380.7cd/m2和3.52cd/A。隔离层不仅保护NPB和Alq3基本不被玻璃化,还很好地与Alq3和Al阴极匹配,大大提高了器件性能。     

新型芴类电致发光聚合物的合成

合成了一种新型的氰基取代的三本胺单体,将这种单体与芴衍生物采用Suzuki反应以较高的产率制备了一种结构新颖的共轭聚合物PFCBCT,由于这种聚合物既含有富电子的芴与三本胺单元,又含有强吸电子的氰基官能团,因而使得该聚合物兼具良好的空穴与电子传输性能,并且两种载流子的注入与传输都比较均衡．根据电致发光机理,该聚合物可以成为高效的电致发光材料．值得一提的是,由于聚合物中含有大量的氰基官能团,因此可以显著降低最低空轨道（LUMO）能级,使聚合物的最大电致发光峰出现较大程度的红移,呈现长波段的红光或橙光发射．     

Influence Mechanism of Sulfide Ions during Manganese Electrodeposition

Influence mechanism of sulfide ions(S~(2-)) during manganese electrodeposition from sulphate electrolyte was investigated. Under the experimental conditions, S~(2-) ion concentration and electrolyte pH represented significant multiple effects on the cathode current efficiency. Scanning electron microscope(SEM) indicated that electrodeposition manganese layer(EML) became refinement as S~(2-) ion concentration was increased. X-ray Diffraction(XRD) displayed that S~(2-) ion had negligible influence on the preferred orientation of the crystalline layer of the EML. S~(2-) ion had no influence on the chemical composition of EML. S~(2-) ion could improve the corrosion resistance of EML. The interaction mechanism of S~(2-) ion with manganese electrodeposition was systematically explored by analysing E-pH diagram, cyclic voltammetry curve, cathode polarization curve and electrochemical impedance method.     

MEH-PPV的短波光与传导电流关系

采用MEH-PPV和SiO2复合制成异质结固态阴极射线发光器件,获得了固态阴极射线发光的特征光谱-双峰谱带。在电场较低时为激子发光,符合分子理论;在电场较高时激子已严重离化,属于带-带跃迁,符合能带理论。利用改进的电桥测量出传导电流,并研究了固态阴极射线发光蓝色发光强度同传导电流的关系。在低电压区,发光强度同传导电流关系近似为线性,在高电压区,由于SiO2的二次特性更加突出,发光强度同传导电流关系表现出超线性。     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,...