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脉冲激光沉积法制备氧化锌薄膜 总被引:7,自引:0,他引:7
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著的特点是在紫外波段存在受激发射。利用脉冲激光沉积法(PLD)在氧气氛中烧蚀锌靶制备了纳米晶氧化锌薄膜,衬底为石英玻璃,晶粒尺寸约为28-35 nm。X射线衍射(XRD)结果和光致发光(PL)光谱的测量表明,当衬底温度在100-250℃范围内时,所获得的ZnO薄膜具有c轴的择优取向,所有样品的强紫外发射中心均在378-385 nm范围内,深能级发射中心约518-558 nm,衬底温度为200℃时,得到了单一的紫外光发射(没有深能级发光)。这归因于其较高的结晶质量。 相似文献
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电化学制备CuxS薄膜特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用电化学方法在铜衬底上制备CuxS薄膜,在一定反应温度、电压、时间条件下,作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质量 地均匀的CuxS薄膜。实验发现,生成的CuxS薄膜主要居为Cu2S,具有良好的半导体性质,且其电导率与东膜退火温度有很大关系。通过XRD、SED等方法对样品的组织结构、光电性能进行了研究。 相似文献
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本文利用正交实验,对电沉积氧化镍薄膜的制备技术进行了研究,找出了基底的最佳预处理条件和制备条件,并对薄的电色性能及结构特性进行了研究,找出了它们的变化规律。 相似文献
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宽禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展 总被引:4,自引:0,他引:4
氧化锌作为新一代化合物半导体,其禁带宽度对应紫外光的波长。氧化锌薄膜有望开发蓝光、蓝绿光、紫外光等多种发光器件,具有广阔的应用前景。重点介绍了氧化锌薄膜的研究进展以及存在的问题,并对氧化锌薄膜的未来进行了展望。 相似文献
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通过飞秒脉冲激光(50 fs,800 nm,1 kHz,2 mJ)沉积技术在n型Si(100)单晶基片上制备了ZnO薄膜.详细研究了基片温度变化以及退火处理对ZnO薄膜的结构、表面形貌及光学性质的影响.X射线衍射(XRD)结果表明,不同温度下(20~350℃)生长的ZnO薄膜具有纤锌矿结构,并且呈c轴择优取向;当基片温度为80℃时,薄膜沿(002)晶面高度择优生长;当基片温度为500℃时薄膜沿(103)晶面择优生长,场发射扫描电子显微镜(FEEM)结果表明薄膜呈纳米晶结构,并观察到了ZnO的六方结构.进一步通过透射光谱的测量讨论了基片温度及退火处理对ZnO薄膜光学透射率的影响,结果表明退火后薄膜的透射率增大. 相似文献
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脉冲激光双光束沉积掺Mg的GaN薄膜的研究 总被引:4,自引:2,他引:4
采用脉冲激光双光束沉积系统在Si(111)衬底上生长了掺Mg的GaN薄膜和未掺杂GaN薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、室温范德堡霍尔测量及光致发光(PL)光谱对两类薄膜进行对比分析,结果显示,所生长的GaN薄膜均为六方纤锌矿晶体结构,掺Mg可细化所生长的GaN薄膜晶粒。随着掺Mg量的增加,GaN薄膜无需后处理即可由”型导电转化为p型导电,GaN薄膜的光学性能随p型载流子浓度增大而提高;然而掺Mg却导致GaN薄膜结晶质量下降,掺镁量过大的GaN薄膜中p型载流子浓度反而减少,光致发光中黄发射峰增强较大。研究表明通过优化脉冲激光双光束沉积参数无需任何后处理可直接获得高空穴载流子浓度的p型GaN薄膜。 相似文献
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研究了用电化学方法在 Sn O2 基底上沉积的 Ni Ox Hy 膜电致变色特性 ,该膜是一种富氧结构 ,具有优良的变色特性 ,其透射式光密度ΔOD在可见光区可达 1以上 .Ni Ox Hy 膜在 KOH电解液中的电致变色行为是由质子的注入或萃取所决定 .H+注入并占据 Ni空位 ,会使一部分 Ni3+转化为 Ni2 + ,Ni3+的减少将导致光透性增强 ,这是因为Ni的 d电子能级在 Ni O6 八面体晶场中被分裂为 t2 g和 eg 能级 .H+的注入使 Ni3+的 t2 g能级被电子填满 ,变为 Ni2 + ,导致光学透明 .反之 ,H+ 的萃取使 t2 g能级出现空穴 ,即形成 Ni3+ ,导致光吸收 相似文献
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用一种新颖的制备纳米粒子与薄膜的垂直靶向脉冲激光沉积(VTPLD)方法,在室温及空气气氛下,于玻璃基底上成功地制备出ZnO纳米薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对ZnO纳米薄膜的表面形貌和结构进行了表征,用荧光光谱仪对薄膜的光致发光(PL)性能进行了测量.结果表明,当激光功率为13 W时,沉积出的粒子大小较均匀,尺寸在40 nm左右,且粒子排列呈现出一定方向性;当激光功率为21 W时,沉积的ZnO纳米薄膜图呈现出微纳米孔的连续薄膜.在玻璃基底上沉积的ZnO纳米薄膜有一主峰对应的(002)衍射晶面,表明ZnO纳米薄膜具有良好的c轴取向性.不同激光功率下沉积ZnO纳米薄膜经500 ℃热处理后的PL峰,其强度随激光能量而变化,最大发光波长位于412 nm. 相似文献
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掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究 总被引:1,自引:2,他引:1
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜.研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射功率对ZnO:Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向.在溅射功率为150 W时,实验获得的ZnO:Zr薄膜电阻率具有最小值3.8×10-3Ω·cm.实验制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过92%.ZnO:Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极. 相似文献
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End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性 总被引:1,自引:1,他引:1
利用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了单层HfO2薄膜,离子源分别为End-Hall与APS离子源。采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏振仪(V-VASE)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、ZYGO干涉仪和激光量热计测试了薄膜的透射光谱、光学常数、晶体结构、表面形貌和吸收(1064nm)。实验结果表明,薄膜特性与辅助离子源及起始膜料有着密切的关系。End-Hall离子源辅助沉积制备的薄膜出现轻微的折射率不均匀性。两种离子源辅助沉积制备的薄膜折射率均较高,吸收损耗小,薄膜均为单斜晶相。不同离子源辅助沉积条件下,利用金属Hf为起始膜料制备的薄膜表面平整度较好,其均方根粗糙度和总积分散射均相对较小。与End-Hall离子源相比,APS离子源辅助沉积制备的薄膜吸收相对较小。 相似文献