智能功率集成电路精彩纷呈

近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导体、信息电子学、超大规模集成电路、电机学和计算机辅助设计等为一体,成为航空航天技术、工业自动化、汽车电子、未来家电和其它高新技术工业的基础。随着SPIC的设计与工艺水平不断提高,性能价格比不断改进,已逐步进入了实用阶段,成为实现功率电子装置小型化、智     

Study on Pulse Skip Modulation Mode in Smart Power Integrated Circuits and Its Test Technology

Up to now, the popular control modes for smart power integrated circuit (SPIC) are PWM and PFM.PWM bases on constant frequency variable width (CFVW) control pulse, whereas, PFM bases on constant width variable frequency (CWVF) control pulse. PWM converter has low efficiency with light loads and high amplitude harmonic. On the other hand,the control circuit and filter for PFM are much complex. This dissertation proposes a novel modulation mode named pulse skip modulation (PSM) for SPIC converter, which bases on constant width constant frequency (CWCF) control pulse. It is shown that PSM converter would improve its efficiency and suppress EMI. It also has quick response speed,     

BCD集成电路技术的研究与进展

飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BCD、RF-BCD和SOI-BCD等五类工艺的特点及各自的发展标准;讨论了BCD技术的总体发展趋势。     

BCD工艺的外延层最佳参数选择

智能功率集成电路SPIC是把低压控制和功率输出集成在同一芯片上,在电路内部实现具有防止短路,过载,高温和过大功率等功能.对于较低电压使用的SPIC,通常采用PN结隔离技术,集成双极型的CMOS和DMOS的器件结构,即所谓BCD技术,在工艺上就要实现双极型,CMOS和DMOS的工艺兼容.在这个兼容工艺中,选择外延层电阻率和厚度是个     

CMOS单片集成恒带宽放大模块

基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．     

1200 V功率MOS栅驱动集成电路的设计

文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱劝集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V，最大输出峰值电流为1A，最高工作频率100kHz，温度范围-55～125℃，可同时驱劝系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件，是SPIC的一种典型电路。     

一种新型的用浮空场限环实现的可集成在SPIC中的高压电压探测器

提出一种可以集成在 SPIC(智能功率集成电路 )内部的高压电压探测器的方法 ,其理论是基于基本的结终端技术中的浮空场限环系统 ,把场限环系统作为表面电压分压器 .在通常的场限环外侧再增加两个环 ,对外侧环电压再一次分压 ,并把最外侧环设计成高压电压探测器 .这样当主结电压上升到一个高压时 ,最外侧的环可以只有几伏到十几伏的变化 ,这样环 (探测器 )上的信号既可以表征主结高电压 ,又可以由低压逻辑电路处理 .以一个 40 0 V的结构为例 ,分析并模拟了这个结构 .结果证明可以有效探测 SPIC的高压并可以集成在 SPIC中 .同时 ,该结构可以与 CMOS和 BCD     

一种新型的具有简易APFC的SPIC电路

提出了一种新型的具有简易APFC的单片SPIC电路.通过采用集成在SPIC内部的延迟电路,使有APFC电路的总线电压由600V下降为400V.在电路中,采用长沟道的NMOS管来代替大电阻以节省版图面积.在保证所需的功率因数的情况下,总线电压的下降可以直接导致功率开关器件的比导通电阻下降,减小功率器件的损耗,提高电路的效率.同时,总线电压下降,也使电路成本降低.此外,还同时设计了相应的高压过压保护电路.理论分析与模拟结果都证明该设计是正确的和有效的.     

一种新型的具有简易APFC的SPIC电路

提出了一种新型的具有简易APFC的单片SPIC电路.通过采用集成在SPIC内部的延迟电路,使有APFC电路的总线电压由600V下降为400V.在电路中,采用长沟道的NMOS管来代替大电阻以节省版图面积.在保证所需的功率因数的情况下,总线电压的下降可以直接导致功率开关器件的比导通电阻下降,减小功率器件的损耗,提高电路的效率.同时,总线电压下降,也使电路成本降低.此外,还同时设计了相应的高压过压保护电路.理论分析与模拟结果都证明该设计是正确的和有效的.     

一种新型的用浮空场限环实现的可集成在SPIC中的高压电压探测器*

提出一种可以集成在SPIC(智能功率集成电路)内部的高压电压探测器的方法,其理论是基于基本的结终端技术中的浮空场限环系统,把场限环系统作为表面电压分压器.在通常的场限环外侧再增加两个环,对外侧环电压再一次分压,并把最外侧环设计成高压电压探测器.这样当主结电压上升到一个高压时,最外侧的环可以只有几伏到十几伏的变化,这样环(探测器)上的信号既可以表征主结高电压,又可以由低压逻辑电路处理.以一个400V的结构为例,分析并模拟了这个结构.结果证明可以有效探测SPIC的高压并可以集成在SPIC中.同时,该结构可以与CMOS和BCD工艺兼容,且工艺上也不会增加步骤.     

智能功率集成电路精彩纷呈

近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导体、信息电子学、超大规模集成电路、电机学和计算机辅助设计等为一体,成为航空航天技术、工业自动化、汽车电子、未来家电和其它高新技术工业的基础。随着SPIC的设计与工艺水平不断提高,性能价格比不断改进,已逐步进入了实用阶段,成为实现功率电子装置小型化、智能化的重要途径。目前新型MOS功率器件已开始进入实用化阶段,其研究开发着眼于提高器件的工作频率和     

混合集成电路贯彻国军标的基线问题研究

基线（Baseline)是混合集成电路贯彻国军标中的一个重要概念，基线是“规定的数量或质量，作为以后工作的起始点和进展情况的度量依据”。通常用一组经过批准的技术文件来表征，混合集成电路贯彻国军标中的基板反映了生产线工艺，材料，检验，试验，质量控制等的技术状态，是作为生产线认证的一个基准点，基线不宜过高，也不宜过低，适当的基线有益于产品的性能价格比。     

A NOVEL OVER—VOLTAGE PROTECTION METHOD FOR 600V SPIC

A novel over-voltage protection method for 600V BPIC(Smart Power IC) is proposed in this paper.The combining FFLRs(Floating Field Limiting Rings) system is designed to be a voltage detector.The detector‘s voltage can turn off the switch of the APFC(Active Power Factor Correction )Circuit and the bus voltage would fall from 600VDC to 300VDC,so the SPIC and power devices can be protected.The advantages of this design are that the total protection circuits are integrated in SPIC and technologically compatible with CMOS or BCD(Bipolar CMOS-DMOS) technology.     

BCD工艺的外延层最佳参数选择

一、引言 智能功率集成电路(SPIC)是把低压控制逻辑和功率输出集成在同一芯片上,在电路内部实现逻辑控制,自诊断和具有过医、过热、过流以及短路、开路等保护功能。对于功率器件耐压低于100伏的SPIC,通常采用PN结隔离技术,集成双极型的CMOS和DMOS的器件结构,即所谓BCD技术,在工艺上就要实现双极型、CMOS和DMOS的工艺兼容。在这个兼容工艺中,选择外延层电阻率和厚度是个最重要的问题之一。因为对于智能功率集成电路中关键的功率输出DMOS管,保证足够高的源漏击穿电压BV_(DS)和尽可能低的导通阻抗R_(OD)是     

数字化时代模拟电路照样发展

以双极晶体管作为有源器件而制成的半导体集成电路,称为模拟集成电路。它的作用是对电压或民流等模拟量进行放大、转换和调制。模拟集成电路有线性和非线性之分,常见的是线性集成电路.钱往染成用路的王举代表严品百：医界放大器、［C较器、l隔离放大器等;D／A、A／D、V／F等转换器;电源稳压器、电D有通信、汽车、育频、视频等专用模拟集成电路。虽然目前D许多电子设备都在数字化,但是数字设备中的电源和输出入D部分仍然是模拟或模／数混用的,因此模拟电路并不会走向I芜筑而且体供担法爱胞够繁展M浩煦l据世界半导体统计协会（WST…     

Study on Pulse Skip Modulation Mode in Smart Power Integrated Circuits and Its Test Technology

Up to now, the popular control modes for smart power integrated circuit (SPIC) are PWM and PFM.PWM bases on constant frequency variable width (CFVW) control pulse, whereas, PFM bases on constant width variable frequency (CWVF) control pulse. PWM converter has low efficiency with light loads and high amplitude harmonic. On the other hand,the control circuit and filter for PFM are much complex. This dissertation proposes a novel modulation mode named pulse skip modulation (PSM)for SPIC converter, which bases on constant width constant frequency (CWCF) control pulse. It is shown that PSM converter would improve its efficiency and suppress EMI. It also has quick response speed, good interfere rejection and strong robust. Furthermore, it is easy to realize PSM control circuit. The modulating theories of PSM are firstly studied in the world according to the author's investigation.     

基于PIC16F874单片机的喷织机的控制系统

基于单片微处器SPIC16F874研制开发喷织机松紧度调整控制器，结出控制系统的硬件电路和软件的设计思想，并阐述了控制器的工作原理。设计该控制器的精度是该系统的重点。     

几种音效处理电路用后感

目前,音响技术飞速发展,新产品不断问世,SRS刚热过,BBE、虚拟环绕又扑面而来。笔者购入元件经数小时的忙碌,邀挚友来聆听分享成功的喜悦,作一番品评和比较,实录如下。一、两声道三维环绕立体声处理电路。笔者试用过SRS5250、LM4610N、QS7779等,三者均只需两路放大器即可营造出优异的三维环绕立体声。     

激光调值技术

本文针对薄膜混合集成电路生产中的激光调阻，从切割电阻的方式和激光参数的设计等方面，介绍如何提高其工艺水平。     

形成优质Si~＋注入SI—GaAs层的研究

在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的ｎ型薄层．本文研究了引Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系．结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响．材料或退火过程中Ａｓ和Ｇａ的原子比［Ａｓ］／［Ｃａ］稍大时，注入层中电激活率和迁移率都高．实验还证明，２９Ｓｉ＋注入时ＢＦ＋束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降．本文指出注入时剂量不宜过大，白光快速退火时温度不宜过高，一般在９６０℃５秒退火为佳．