IR2XXX三相桥功率驱动芯片的原理及应用

ＩＲ２１３３／ＩＲ２１３５／ＩＲ２２３３／ＩＲ２２３５系列驱动芯片内部集成了互相独立的３组半桥驱动电路、具有多种保护电路,可直接驱动功率半导体ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ。本文简要介绍了其电气性能、工作原理和典型应用电路。     

IR2110高压MOS驱动器

ＩＲ２１１０是一种有高低两路输出，耐压值５００Ｖ，速度快的大功率ＭＯＳ管或ＩＧＢＴ驱动器，其控制特性好，两路输入分别控制两路输出，使用方便灵活，连线简单，外围器件少，普遍应用于驱动由两个大功率ＭＯＳ管或ＩＧＢＴ构成的半桥式，以向式或其他形式的电路。     

IR215X在电子镇流器中的应用

本文介绍一种新型的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动集成电路ＩＲ２１５Ｘ,并给出了使用该芯片的荧光灯、高压钠灯、金属卤化物灯电子镇流器实际应用电路。     

150V及200V新型MOSFET器件

国际整流器公司（ＩＲ）推出了一系列全新的１５０Ｖ及２００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ ,它们的导通电阻和栅电荷特性已经过优化 ,能将４８Ｖ输入隔离式直流 -直流转换器的效率提高１ % ,适用于网络和电信系统。该新型ＭＯＳＦＥＴ的载电效能比ＴＯ -２２０封装器件高出２０ % ,同时还提供有Ｄ２Ｐａｋ和ＴＯ -２６２两种封装。新器件ＩＲＦＳ３８Ｎ２０Ｄ和ＩＲＦＳ５２Ｎ１５Ｄ适用于单输出板上功率模块或多输出电源的原边插座 ,也可用于“热插拔”电路及有源ＯＲｉｎｇ电路 ,因而确保了系统操作的稳定可靠。在典型的１５０Ｗ半砖式…     

CMOS／SOI电路模拟与参数提取

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。     

IR扩展肖特基整流器系列

功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特…     

IR推出新型HEXFET功率MOSFET

ＩＲ公司的新型１００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０增强了４８Ｖ输入、半桥或全桥拓扑技术的功率密度 ,可用于通信设备所需的高性能直流 -直流转换器。ＩＲＦＢ４７１０采用ＴＯ -２２０封装 ,额定电流可达７５Ａ ,使用该器件可使设计人员只用较少的器件即可获得所需的额定电流 ,从而减少设备的体积、重量和电源成本。ＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０型ＭＯＳＦＥＴ的导通电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））比以往器件低４０ % ,因此其效率更高和操作温度更低。在３５０Ｗ功率时 ,使用４个ＩＲＦＢ４７１０可…     

适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路

建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合，表明该模型具有较高的精确性．     

栅控Tc的高温氧化物超导体场效应晶体管

本文提出了栅控超导临界温度Ｔｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管的原理，建立了场控Ｔｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｓＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。     

一种双扩散p阱nMOS器件新结构

本文介绍了一种适用于ＶＤＭＯＳ功率集成电路的双扩散ｐ阱ｎＭＯＳ器件新结构，该结构具有与ＶＤＭＯＳ工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现ｎＭＯＳ处理电路与衬底间的ｐｎ结隔离，并且隔离电压接近ＶＤＭＯＳ管的耐压。通过调节源、漏扩散窗口间距，可以在小范围内调整ｎＭＯＳ管的阈值电压。这种双扩散ｎＭＯＳ器件结构，特别适合于制作单驱动器件的ＭＯＳ功率集成电路。     

新型功率MOSFET驱动电路的设计

提出了一种全新思路的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路。该电路采用数字电路结构，分立器件少，易实现模块化，波形控制十分灵活，工作频率很高，适用于高频软开关的开关电源及ＤＣ／ＤＣ变换器。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

一种舰载雷达自适应信号处理方法的探讨

本文介绍了一种用高速ＤＳＰ芯片实现的舰载雷达自适应信号处理的新方法。该方法采用查表的方式实现舰速补偿，用ＦＩＲ滤波器实现窄带滤波器组。通过调整ＦＩＲ滤波器的系数即可使系统适应各种不同的杂波，大大提高了系统的灵活性和可编程性。在器件方面用ＩＭＯＳ公司生产的高速可级联型横向滤波器ＩＭＳ－Ａ１００作ＦＦＴ，ＴＭＳ３２０Ｃ２Ｓ作控制器，从而在很大程度上提高了信号处理的速度。本文还介绍了Ａ１００的系统结构和开发系统。     

VMOS场效应管开关电源

本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两大突出优点：１）开关速度极快，可以在几ｎｓ到几十ｎｓ的时间内开关几Ａ到几十Ａ的电流，比同功率双极型开关管快１～２个数量级；２）ＶＭＯＳＦＥＴ为电压控制器件，几乎不需要驱动电流。因此，用ＶＭＯＳＦＥＴ代替双极型功率管可使管耗进一步下降、效率进一步提高；集成块可直接驱动，使驱功电路非常简单而可靠，功耗、体积也相应减小。有效地克服了双极型开关电源的缺点。     

薄膜全耗尽CMOS／SOI—下一代超高速Si IC主流工艺

本文较为详细地分析了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术的优势和国内外ＴＦ ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路的发展状况，讨论了ＳＯＩ技术今后发展的方向，得出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。     

元器件快讯

IR推出全新30V功率MOSFET功率半导体国际整流器公司（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ，简称ＩＲ）推出ＩＲＬＲ７８３３及ＩＲＬＲ７８２１两款ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ ,这两款器件以最新的条形沟槽（Ｓｔｒｉｐｅ -ｔｒｅｎｃｈ）技术设计 ,成为Ｄ -Ｐａｋ封装市场上通态电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））最低的３０ＶＭＯＳ ＦＥＴ。现同类直流 -直流变换器ＭＯＳＦＥＴ相比 ,它们能将效率提升高达２．５ %或节省多达２５ %的元件数目。两款新器件专为同步降压变换电路而设计 ,适用于服务器、台式和笔记本电脑 ,以及网络和…     

星用微电子器件辐射效应及加固途径分析

在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上，着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应，包括电离辐射效应，瞬态辐射效应和中子辐射效应，并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法，涉及的器件包括：ＣＭＯＳ／体硅电路，ＣＭＯＳ／ＳＯＳ电路，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及其电路，电荷耦合器件等。     

星用微电子器件辐射效应及加固途径分析

在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上，着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应，包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应，并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括：ＣＭＯＳ／体硅电路，ＣＭＯＳ／ＳＯＳ电路，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及其电路，电荷耦合器件等。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

IR2130MOS和IGBT驱动器及其应用

介绍了ＩＲ２１３０ ＭＯＳ和ＩＧＢＴ驱动器的功能，及其在大功率开关电源、电机驱动系统中的应用。