片式多层陶瓷电容器

本文介绍片式多层陶瓷电容器的发展现状,论及片式多层陶瓷电容器用陶瓷材料和电极材料的进展,并对未来的发展趋势提出见解。     

片式电容器发展现状与技术动态

本文对全球片式陶瓷电容器、片式钽电解电容器、片式铝电解电容器、片式有机薄膜电容器、片式微调电容器等各类片式电容器的发展、现状及走势作了系统而扼要的阐述,分析了国内外该系列产品在生产规模、质量管理、工艺技术等方面存在的差距,探讨了我国赶超世界先进水平的奋斗目标和发展战略。     

高频微片式电容器

这种电容器为单层陶瓷电容器，能在最新的信息和通讯设备中以极高频率工作，而普通的圆片状和块状陶瓷电容器因其引线和形状的复杂性，谐振频率较低，不适用于GHz频段。微片式电容器体积微小，结构简单，采用黄金微电极，可靠性更高，高频特性极好，它在厚度仅有0．1-0．3毫米的介电陶瓷材料的顶部和底部形成黄金电极。介电陶瓷材料主要由钛酸钡和二氧化钛等材料构成，在1500℃以上高温焙烧而成。     

真空镀膜在片式多层陶瓷电容器上的应用

提供了一种采用真空镀膜方式形成片式多层陶瓷电容器外电极的技术,一方面避开开发生产银、镍、铜等端电极浆料技术难题,同时减少对环境的污染,由于端电极是真空镀膜上去的,无须进行烧结,简化生产工艺,能够有效地降低片式多层陶瓷电容器的制造成本,提高产品竞争力.     

片式多层陶瓷电容器三分天下

片式多层陶瓷电容器（MLCC），又称独石电容器，主要工艺是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合．并共烧成一个整体：主要用于各类电子整机中的振荡、耦合、滤波等电路中。由于MLCC率先实现片式化．适应SMT技术需求．大量取代了有机电容器和云母电容器．并开始部分取代钽电解和铝电解电容器。其未来发展趋势包括微型化、高性能／低成本化、高容量化、     

国内外片式电容器探析

通用小型片式元件表面安装技术的发展,已经走过了16年的历程.尤其是近年来各种电子设备小型化的发展突飞猛进,促使片式电容器的种类不断增加,体积不断缩小,性能不断提高,技术不断进步,材料不断更新,轻薄短小系列的产品已在全世界趋向于标准化和通用化.片式电容器的应用逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展,特别是在军用移动通信设备中更是被大量采用.片式电容器的发展有六个趋势:     

国内外片式电容器综述（上）

本文对全球片式陶瓷电容器、片式钽电解电容器、片式铝电解电容器片式有机薄膜电容器、片式云母电容器、片式微调电容器等各类片式电容器的发展、现状及走势作了系统而扼要的阐述，分析了国内外该系列产品在生产规模、工艺技术、质量水平等方面存在的差距，探讨了我国赶超世界先进水平的奋斗目标和发展战略。     

交流陶瓷电容器的发展

主要介绍国内外交流陶瓷电容器的发展状况，对瓷料组成和电极结构从理论上进行了论述，详细介绍交流陶瓷电容器的生产工艺。对我国发展交流陶瓷电容器提出了建议。     

片式高压多层瓷介电容器最新进展

片式高压多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的研制生产水平已达额定直流电压０．５～２０ｋＶ。额定交流电压２２０～１１００Ｖ，标称电容量范围为：０．５ｐＦ～０．１５μＦ（Ｃ０Ｇ），４７ｐＦ～２．２μＦ（Ｘ７Ｒ）。产品技术标准尚未统一纳入国际标准体系。高压ＭＬ－ＣＣ在Ｖ－Ｃ、ＴＶＣ（温度、偏压、容量关系）、耐电压及电晕等性能和试验方法方面有特殊要求，设计制造技术有独到之处。高压ＭＬＣＣ的包装和使用须严格控制工艺过程。     

片式MLC三层端电极中的Sn－Pb合金电镀

片式ＭＬＣ上涂烧Ｔ９４１０银浆。由瓦特型镀镍法得到镍阻挡层。通过加入稳定剂使氯化亚锡、酒石酸──碱式碳酸铅、乙二胺四乙酸钠──柠檬酸体系稳定，再加入醇类和胺类表面活性刘，在ｐＨ值５．０～６．０、温度２７～３５℃、电流密度０．３～０．７Ａ／ｄｍ２条件下得到致密、均匀而白亮的镀层。在１２０６型片式ＭＬＣ上经６５ｍｉｎ电镀，得到厚度约８μｍ的锡铅镀层，具有与锡铅焊料类似的金相结构，可焊性优良，在１０Ｎ的拉力下５ｓ不脱落。     

片式MLC三层端电极中的Sn－Pb合金电镀

片式ＭＬＣ上涂烧Ｔ９４１０银浆。由瓦特型镀镍法得到镍阻挡层。通过加入稳定剂使氯化亚锡、酒石酸──碱式碳酸铅、乙二胺四乙酸钠──柠檬酸体系稳定，再加入醇类和胺类表面活性刘，在ｐＨ值５．０～６．０、温度２７～３５℃、电流密度０．３～０．７Ａ／ｄｍ２条件下得到致密、均匀而白亮的镀层。在１２０６型片式ＭＬＣ上经６５ｍｉｎ电镀，得到厚度约８μｍ的锡铅镀层，具有与锡铅焊料类似的金相结构，可焊性优良，在１０Ｎ的拉力下５ｓ不脱落。     

片式有机电容器的研究进展

对片式有机电容器的种类、结构与发展方向进行了简要介绍,详细介绍了不同品牌电容器的规格、技术指标和用途,具体分析了新型结构的片式有机电容器关键材料的特性、工艺技术要点,指出了国产化电容器因市场需求、设备与人才等因素而将面临机遇与挑战。     

片式铝电解电容器国产化的初步研究

介绍了片式铝电解电容器较其他片式元件发展迟缓的原因：关键是技术难度大。表面贴装技术是第四代电子组装技术，片式铝电解电容器是这一技术中不可缺少的元件。它能否实现国产化，使之成为商品，已成为人们关注的热点。本文从工艺、性能、技术角度，讨论了片式铝电解电容器在研制过程中的技术难点和采取的技术措施。     

多层陶瓷电容器的发展及其动向

小型、低压、大容量化，片式高压系列化和低成本化是当前多层陶瓷电容器的主要技术发展趋势；移动通信设备和开关电源等产品是其应用的热门。瓷膜材料的面世，符合多层陶瓷电容器的低成本、小型和大容量化的发展潮流，将会取得推广与应用。     

Ni电极片式多层陶瓷电容器产生开裂的几种因素分析

在片式多层陶瓷电容器的生产制作过程中,电容器开裂现象是比较常见的质量问题之一。本中对陶瓷介质与内电极浆料的匹配、膜片密度、Ni重、排胶、烧结这五个因素是如何导致电容器开裂进行了深入的分析。     

交流陶瓷电容器早期失效的研究

分析了交流陶瓷电容器早期失效的原因，论述了在工艺上提高介质抗电强度的方法，提出了早期失效产品的筛选方法。     

无引线片状固体电解质钽电容器的研制

结合作者的研制实践，阐述了所研制的无引线片状固体电解质钽电容器的先进性、科学性和标准化依据，并给出试验数据和图表，还概述了该系列产品的设计、工艺、材料等方面的研究成果及产品发展方向。