铁电阴极二极管电子发射研究

讨论了阴极发射能力与极化电场之间关系 ,一般情况为指数 =3的幂指数关系 ,极化电场达到 1.6kV/mm时 ,发射电流受空间电荷限制 ,服从修正后的空间电荷限制定律 ;当极化电场 <2kV/mm时 ,发射电子的初始能量可达18.2keV ;正脉冲激励时产生的发射电流密度比负脉冲激励时要大     

铁电阴极电子发射机理研究

通过铁电阴极二极管电子发射试验分析讨论了发射前后材料的X射线衍射和发射的微观机理 ,指出铁电极发射是出于材料在高电场作用下的极化反转 ,发射电流密度与触发电场满足幂指数关系 ,其幂指数等于 1 1。     

复合阴极材料电子发射特性的基础研究

在不同的温度、压力、电压条件下,对所开发的阴极材料进行了电发射特性的试验研究。研究结果表明,温度、压力、电压对发射电流均有不同程度的影响。在高温(>800 ℃)条件下,由阴极材料热发射所获得的电流密度比采用常规电晕方式所得到的电流密度至少高两个数量级。发射级具有良好的稳定性,可在高温高压条件下长期使用。     

铁电阴极研究进展综述

铁电发射是一种新型强流受激电子发射,本文综述了铁电阴极的国内外研究现状,介绍了目前的主要研究成果,并对其发展前景进行展望。     

用于压电和铁电性能测量的纳秒级脉冲信号发生器

研制成功输出峰值电压从5～80 V连续可调的脉冲信号发生器,信号上升沿小于10 ns.利用该信号源,可将压电和铁电陶瓷材料中的快和慢效应完全分开.介绍该仪器的工作原理及特性,并给出了测量结果.     

阴极曲率半径对微米尺度气隙击穿的影响规律研究

微米尺度气隙击穿特性研究对微结构绝缘性能评价和微放电等离子体应用具有重要意义。该文建立了微米气隙击穿的二维物理模型,利用粒子模拟/蒙特卡洛碰撞(PIC/MCC)方法开展微米气隙击穿过程中电场分布及带电粒子的仿真研究,得到阴极的曲率半径对于微米气隙电场分布、带电粒子分布以及击穿路径的影响规律,并结合实验结果对仿真结果进行了验证,最后讨论分析极不均匀场下微米空气气隙击穿物理过程。结果表明,阴极曲率半径R0对微米尺度击穿特性的影响规律主要分为两个阶段：当R0<5μm时曲率半径的变化对电场畸变的影响较大,进而导致击穿电压变化较大;当R₀>5μm时R₀对电场畸变的影响逐渐变小,对击穿电压影响减弱。当间隙距离d为5μm时阴极场发射电流占总电流的95%以上,证明了场致电子发射成为击穿的主导机制。同时,阴极表面的放电区域面积随曲率半径的增加而增大,进而导致击穿电流增大。研究结果有助于进一步分析和理解微米尺度击穿过程的影响因素及其微观作用机制。     

碳化工艺对磁控管电子发射的影响

本文详细介绍了磁控管阴极碳化工艺,分析了碳化工艺的好坏对磁控管电子发射的影响;根据分析结果,对碳化工艺进行了改进,并对改进后新工艺的效果进行了验证。结果表明,工艺改进前碳化率波动范围相对较大,在9．50％-15．97％之间,工艺改进后为10．0％-12．3％,波动范围小,碳化率更稳定,一致性较好。     

场致发射影响微间隙气体放电形成的模拟

当间隙间距达到几微米时,其击穿电压将与帕邢曲线显著偏离。文中以间隙间距4μm为典型研究对象,基于网格质点法耦合蒙特卡洛碰撞(PIC-MCC)建立这种微间隙气体放电形成过程的仿真模型,并分析了考虑与不考虑场致电子发射对这种微间隙气体放电形成过程的影响,获得了放电形成过程中不同粒子数密度时空分布、不同粒子速度分布和电场分布等随时间的变化,最后通过分析与讨论得到了间隙间距在2～5μm左右范围时,形成微间隙气体放电过程的主要因素是阴极场致电子发射和随后的离子增强场致电子发射;而当间隙间距小于1μm时场致电子发射将会在形成微间隙气体放电过程中起到主要作用。     

磷酸铁锂正极浆料提升固含量工艺优化研究

基于高固含量正极浆料开发需求,分别应用湿法、半干法及干法三种合浆工艺制备磷酸铁锂正极浆料.应用粘度计、旋转流变仪、扫描电镜(SEM)对其状态及性能进行对比分析.试验结果表明,应用半干法工艺能够提升浆料固含量和稳定性,合浆过程可节省NM P用量,有助于提高涂布速度,降低生产成本.     

PMN-PFN Relaxor Ferroelectric Ceramics by a Reaction-Sintering Process

Pb((Mg_1/3Nb_2/3)_0.6(Fe_1/2Nb_1/2)_0.4)O₃ (PMFN) perovskite relaxor ferroelectric ceramics produced by reaction-sintering process were investigated. Without any calcination, the mixture of PbO, Mg(NO₃)₂, Fe(NO₃)₃ and Nb₂O₅ was pressed into pellets and sintered directly. PMFN ceramics of 100% perovskite phase were obtained. Density of 7.84 g/cm³ (95% of theoretical value) was obtained after sintered at 1250°C for 2 h. Grain sizes of 3–6 m were formed after 2 h sintering at 1150–1250°C. Dielectric constant at room temperature under 10 kHz reaches 22400 after sintered at 1250°C for 2 h.     

PZN-PFW and PFN-PFW Relaxor Ferroelectric Ceramics by a Reaction-Sintering Process

Pb((Zn_1/3Nb_2/3)_0.6(Fe_2/3W_1/3)_0.4)O₃ and Pb((Fe_1/2Nb_1/2)_0.7(Fe_2/3W_1/3)_0.3)O₃ (PZNFW and PFNW) perovskite ceramics prepared by a reaction-sintering process were investigated. Without any calcination, the mixture of PbO, Zn(NO₃)₂, Fe(NO₃)₃, Nb₂O₅ and WO₃ for stoichiometric PZNFW and PFNW was pressed and sintered directly. Pyrochlore phase more than 25% were formed in PZNFW ceramics after 2 h sintering at 930–980C. PFNW ceramics of 100% perovskite phase were obtained after 4 h sintering at 930–1080C. A density of 8.13 g/cm³ (93.4% of theoretical value) was obtained after sintered at 1080C for 4 h. Dielectric constant at room temperature under 1 kHz reaches 32000 after sintered at 1080C for 4 h.     

双基区结构快速软恢复二极管特性研究

为研究引入缓冲层的双基区结构对功率二极管反向恢复特性的改善作用,本文定量地讨论了缓冲层厚度和表面浓度对二极管的反向恢复时间、软度因子以及正向压降的影响。依据双基区结构设计须满足的条件,建立了双基区结构二极管模型,模型仿真结果表明缓冲层的厚度越小或者缓冲层表面浓度越高,二极管的软度因子越大,反向恢复时间越长,这是由缓冲层浓度梯度的影响引起的。结合具体工程项目的参数要求,即二极管反向恢复时间trr≤250ns,反向阻断电压VB≥1 000V,正向压降VF≤1V,给出了缓冲层厚度和表面浓度的最优值,即缓冲层厚度为70?m,表面浓度为1×1017cm?3。通过样品试制与特性检测实验,证明了双基区结构二极管的软恢复特性。     

铁电体触发开关的实验研究

利用铁电体作为脉冲开关的触发源,是当前脉冲功率技术发展的一个重要研究方向,为掌握铁电体作为触发极的工作性能,阐述了铁电体触发开关在真空条件下的工作原理和实验结果,给出了铁电体触发开关的设计思路及电极结构图并进行了真空条件下铁电体触发开关的实验研究,在开关间距0.3mm、真空压力度8cPa的条件下测得开关的抖动<800ps。实验结果表明:触发电压的高低对开关抖动的影响很大,随着触发电压的升高开关的抖动越来越小,但触发电压超过某一值时开关的抖动又会增加;开关阴阳极之间的间距对开关抖动基本无影响,对于不同的铁电体触发极,其触发电压的最佳值不同。     

高含水量粉料的拌粉工艺与设备

本文除探讨了高含水量电芯粉在混制拌合过程中受材料自身物理化学性能的影响外,对其拌合设备的结构,转速的高低,电液的加入方式等也作了分析。对如何使粉料有一个良好的混制成型条件,怎样在设备结构上满足和达到工艺要求,作了有益的探讨。     

高效电子粉粒度工艺改进的研究

传统阴极发射荧光灯在当今社会中的应用十分广泛[1~3],其中的阴极发射材料(电子粉)的需求量十分巨大,电子粉的质量对荧光灯寿命有十分重要的影响,而粒度是衡量其质量优劣的一个重要指标,本文就如何生产粒度合适的电子粉,在生产工艺方面做了一些论述。