外延淀积过程中的自掺杂抑制

外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数。文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析，提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂，从而改善器件的特性参数。     

用于平面型Gunn畴雪崩器件的SiO_2低温淀积技术

<正> 制作平面Gunn畴雪崩器件的材料是在掺Cr的高阻GaAs衬底上汽相外延一层n-GaAs,其电子浓度为1×10~(15)～1×10~(18)cm~(-3),厚度为6～15μm,迁移率为4000～7500cm~2/V·s。在这样的材料上生长SiO_2,常压下,当衬底温度大于630℃时,由于As的升华,使GaAs的晶体完整性受到损坏,而在较低温度下(如420～450℃)淀积时,SiO_2常出现破裂或脱落现象。 GaAs的热膨胀系数为5.9×10~(-6)℃~(-1),而SiO_2为0.4×10~(-6)℃~1,相差一个数量级以上;此外,SiO_2的应力,300K时为1～6×10~3N/cm。实验表明,在GaAs上淀积的SiO_2厚度超过5000(?)时便产生破裂。而P_2O_5在GaAs上淀积1500(?),却未观察到裂纹,因为P_2O_5的热     

基于TEOS-O2-N2淀积SiO2工艺研究

采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用.主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试.通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果.