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采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。 相似文献
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用浅P^+离子注入InGaAs/InGaAsP应变多量子阱(MQW)激光器H2/N2混合气氛下的快速退火,体内MQW层发生组份混合(intermixing),导致器件的带隙波长蓝移(blue shift),结构的光荧光(PL)峰值波长向短波方向移动了76nm。作者认为,有源区中的应力对量子阱混合起到了十分关键性的作用。 相似文献
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本文报道了利用低压金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)技术,在(001)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs体材料及In_(1-x)Ga_xAs/InP量子阶结构材料的结果.对于TMG/TEIn源,In_(1-x)Ga_xAs材料的非故意掺杂载流子依匿为7.2×1016cm-3,最窄光致发光峰值半宽为18.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶结构材料测到±2级卫星峰;而对于TMG/TMIn源,非故意掺杂载流于浓度为3.1×10 ̄15cm ̄(-3),最窄光致发光峰值半宽为8.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶 相似文献
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本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器. 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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利用MBE生长的GaAAlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相一次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体激光器,经腔面多功能摹一器件已稳定工作4500多小时。 相似文献
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本文介绍了InP、InGaAs、InGaP、InGaAsP等的光压港(PVS)。并把InGaAsP(在特定组份下)的PVS与FFT—PL谱进行了比较;分析和讨论了PVS测试的局限性和复杂性;指出了对多层异质结构材料,只有把器件结构、外延工艺、ECV测试等结合起来,才可能正确地理解PVS给出的测试结果。 相似文献
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通过优化有源层和采用具有高反射涂层的短腔体,对于1.3μm InGaAsP/InP应变MQW激光器在室温下(25℃)获得了0.56mA这一创记录的低阈值。 相似文献
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InP系列异质材料中的宽带隙夹层和它对材料特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
InGaAs/InGaAsP/InP等异质材料在室温和低温下的光荧光测试中的工为3 ̄30nm宽带隙夹层峰。夹层的化学成分主要是InGaP,它与MOCVD生长时开关程序和PH2或AsH3气流空流时间及气体存储时间等上关,实验表明,对InP/InGaAsP/InP异质材料生长,AsH3气流空流时间为0.5秒左右时,宽带隙夹层峰基本消失,还指出宽带隙夹层将相引起较大的晶格失配,增另异质界面缺陷,从而使材 相似文献