SCPC／DAMA移动卫星通信系统信道分配比较研究

ＳＣＰＣ／ＤＡＭＡ移动卫星通信系统的频率资源是有限的, 因此确定信道分配的最佳方案是系统运行优化的重要一环。本文将互调干扰作为影响信道分配的主要因素考虑, 首先推导出ＳＣＰＣ 卫星通信系统中三阶互调功率谱的一种快速计算方法。然后通过对四种信道分配方法的比较, 确定了适用于ＳＣＰＣ／ＤＡＭＡ移动卫星通信系统的信道动态最佳分配方法。最后运用这种分配方法得到一个具体的ＳＣＰＣ／ＤＡＭＡ移动卫星通信系统的信道动态最佳分配方案     

综合运用HFC网的C/N指标进一步提高系统性价比

１　前言由于光纤传输本身具有频带宽、衰耗低、工作稳定、调试简单等一系列优点，因而在ＣＡＴＶ网络建设或改造中，被广泛地用于干线传输，其结构大都以光纤到节点（ＦＴＦ）、电缆分配到户的ＨＦＣ方式为主。设计这种网络，综合考虑系统的性能价格比，通常遵循的原则是：光节点的光功率在（－２～－１）ｄＢｍ之间；光节点的服务半径小于２ｋｍ，服务用户约为５００～５０００个。本人在实践中发现，电缆分配部分的Ｃ／Ｎ余量较大，而Ｃ／ＣＴＢ、Ｃ／ＣＳＯ相对紧张，如适当调整系统结构，或改变放大器的工作状态，可进一步提高系统性价…     

为ISDN终端设备设计的DC／DC转换器

文章介绍一种用大规模集成电路Ｓｉ９１０５设计的ＤＣ／ＤＣ转换器，这种转换器可用于ＩＳＤＮ的终端设备，并符合ＣＣＩＴＴ的标准     

AM—VSB光纤传输设备多级级联应用

本文介绍了ＡＭ－ＶＳＢ光纤传输设备在多级级联应用中载噪比（Ｃ／Ｎ）、复合三阶差拍（ＣＴＢ）、复合二阶失真（ＣＳＯ）三个主要性能参数的常用计算方法，并对这些方法进行了分析，同时指出用这些方法计算的结果与工程实践中设备级联实测参数之间存在差异，可在多级级联应用中使Ｃ／Ｎ、ＣＴＢ、ＣＳＯ三个指标的劣化降到最小，实质上是有效利用了这种差异，实现三级甚至四级级联，而保持其指标均达到网络设计时分配的指标要求。     

3Com利用Cable/DSL技术帮助企业享受商务质量的互联网接入服务

３Ｃｏｍ公司推出一款ＯｆｆｉｃｅＣｏｎｎｅｃｔＣａｂｌｅ／ＤＳＬ网关产品。通过与一台Ｃａｂｌｅ／ＤＳＬ调制解调器相连 ,可为一个小型企业中的用户提供同步的Ｉｎｔｅｒｎｅｔ接入服务。ＯｆｆｉｃｅＣｏｎｎｅｃｔＣａｂｌｅ／ＤＳＬ网关产品是一款企业级解决方案 ,同时也是一款集经济性、易用性、安全性 ,以及众多ＩＰ路由于一体的全功能路由器产品。３ＣｏｍＯｆｆｉｃｅＣｏｎｎｅｃｔＣａｂｌｅ／ＤＳＬ网关产品可以通过一条以太网电缆与企业现有的一台Ｃａｂｌｅ或ＤＳＬ调制解调器相连接。该产品还带有一台集成化、具备４个以…     

串行A/D转换器TLC2543与TMS320C25的接口及编程

本文以ＴＩ公司的ＤＳＰ芯片芯片ＴＭＳ３２０Ｃ２５与１１通道１２位串行模／数转换芯片ＴＬＣ２５４３为例,介绍该类ＡＤＣ与ＤＳＰ的接口及编程,这种方法对于其它具有ＳＰＩ串行接口的Ａ／Ｄ转换器一样适用。     

PDAC28S14型DC／AC驱动控制电源的研制

本文介绍了已成功地应用于１６０元碲镉汞红外探测系统中的ＰＤＡＣ２８Ｓ１４型ＤＣ／ＡＣ驱动控制电源，详细介绍了这种逆变电源的原理、特点及解决的关键技术问题。     

小型化高精度DRC/DSC模块开发研究

介绍ＤＲＣ／ＤＳＣ（自整角机／旋转变压器）模块的构成和基本工作原理，小型化高精度ＤＲＣ／ＤＳＣ模块的基本设计原理，应用及其注意事项。     

宾馆综合业务管理系统

在关系数据库所提供的数据管理服务的基础上，实现了一个宾馆综合业务管理系统。软件系统采用客户机／服务器（Ｃｌｉｅｎｔ／Ｓｅｒｖｅｒ）结构，Ｃｌｉｅｎｔ主要处理用户输入输出，Ｓｅｒｖｅｒ主要提供事务处理服务，开发工具采用ＰｏｗｅｒＢｕｉｌｄｅｒ。     

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺     

u C／OS的应用和扩展

本文介绍了ｕ Ｃ／ＯＳ在ＣｏｌｄＦｉｒｅ为核心系统上的具体应用，并在此基础上做了扩展，在ｕ Ｃ／ＯＳ的核心上实现了ＲＡＭ盘和文件系统。为了方便应用和调试，还实现了用户Ｓｈｅｌｌ程序，可以接受并执行用户命令，扩展并丰富ｕ Ｃ／ＯＳ的功能。     

CATV与综合业务数字通信

ＣＡＴＶ有能力提供电话和数据服务，有线电视分配与电视ＩＳＤＮ接入集合到户是实现宽带综合网络的便利途径，本文考虑了ＣＡＴＶ／ＩＳＤＮ结合的方法，ＩＳＤＮ主速率时分多址接入方式以及用户接口的规格。     

ITU—T B—ISDN／多媒体信令标准研究的新进展

文章在介绍Ｂ－ＩＳＤＮ／多媒体信令特点和要求的基础上，着重介绍了ＣＳ－１的信令协议栈以及ＣＳ－２、ＣＳ－３信令协议的研究进展。     

双层CdS／CdSe光电导薄膜的制作和光电特性

提出并采用真空热蒸发技术制备了一种新型的多元掺杂（Ｃｌ，Ｃｕ）敏化的ＣｄＳ／ＣｄＳｅ双层光电导薄膜。研究了这种光电导薄膜的暗电导和亮电导、响应时间，以及光谱响应等主要光电特性与初始材料比例、掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例等工艺参数的关系。实验表明：适宜的掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例可使暗电导降低而亮暗电导比提高，响应时间比未掺杂薄膜的显著降低；而光谱响应特性则可以通过控制ＣｄＳ／ＣｄＳｅ之比加以优化。     

全耗尽SOI MOSFET及CMOS／SOI电路的研究

采用ＳＩＭＯＸ材料，研制了一种全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ模拟开关电路，研究了全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳ场效应晶体管的阈值电压与背栅偏置的依赖关系，对漏源击穿的Ｓｎａｐｂａｃｋ特性进行分析，介绍了薄层ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ制作工艺，给出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的测试结果。     

Si／SiGe HBT高频特性的模拟与分析

给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的高频特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善，而基区及集电结ＳＣＲ区的电荷输运时间将成为提高Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。     

薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制

本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延，双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜来微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和门延迟时间仅为１７７ｐｓ的１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器，与厚膜器件相比，薄膜全耗尺器件和电路的性能得到了明显的提高。     

SCSI规范概述

本文从ＳＣＳＩ规范的发展历史入手，简要介绍了与ＳＣＳＩ相关的概念、ＳＣＳＩ设备及其连接、ＳＣＳＩ总线与ＩＤＥ／ＡＴＸ总线的比较等问题。     

CS—5101次级后置调节器IC及其应用

ＣＳ－５１０１是美国ＣＨＥＲＲＹ半导体公司生产的次级后置调节器ＩＣ，在高频ＡＣ／ＤＣ或ＤＣ／ＤＣ变换器中可调整多路输出电压，并具有过电流保护功能，本文介绍了ＣＳ－５１０１的功能、原理、特征应用及设计实例。     

三层/多层C/S模式分析及其在C Builder 3下的实现

Ｃ／Ｓ模式是目前开发数据库应用系统的首选模式。文章分析了传统Ｃ／Ｓ模式的特点和作为其改进方案的三层／多层Ｃ／Ｓ模式。介绍了如何使用Ｃ＋ ＋ Ｂｕｉｌｄｅｒ ３ 构造三层／多层Ｃ／Ｓ模式应用程序。